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bragg reflectorsとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「bragg reflectors」の意味

bragg reflectors

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「bragg reflectors」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

To provide a surface emission semiconductor laser having such a structure as increase in resistance resulting from distributed Bragg reflectors can be suppressed.例文帳に追加

分布ブラッグリフレクタに起因する抵抗の増加を小さくできる構造を有する面発光半導体レーザを提供する。 - 特許庁

These distributed Bragg reflectors form a DBR laser having a cavity length defined by the length of the active layer 21.例文帳に追加

これらの分布ブラッグ反射器により、活性層21の長さを共振器長とするDBRレーザが形成される。 - 特許庁

The DBR laser 101 has at least two active regions 101b, 101c with mutually different gain peak wavelengths, and DBR regions 101d, 101e on which distributed Bragg reflectors (DBRs) are formed.例文帳に追加

DBRレーザ101は、異なるゲインピーク波長を持つ少なくとも2つの活性領域101b、101cと、分布ブラック反射器(DBR)が形成されたDBR領域101d、101eとを有する。 - 特許庁

The surface-emitting lasers 10A to 10D include mesas 100A to 100D which respectively have first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D, an active layer 103, a semiconductor layer 104, and a second multilayer film Bragg reflector 105.例文帳に追加

面発光レーザ10A〜10Dは、それぞれ、第一多層膜ブラッグ反射鏡102A〜102D、活性層103、半導体層104,第二多層膜ブラッグ反射鏡105を有するメサ100A〜100Dを備える。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

npnp構造のサイリスタ型VCSEL20は、npnp構造のサイリスタをn型およびp型のブラッグ反射器(DBR)26,28で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device of surface light emission, a Bragg reflection mechanism comprising DBR multi-layer reflectors 64 and 69 on upper and lower layers sandwiching an active layer 66 is provided to restrict light emitting patterns by light quantum containment effect by the Bragg reflection mechanism.例文帳に追加

面発光型の半導体発光素子において、活性層66を挟む上下層にDBR多層反射鏡64および69からなるブラッグ反射機構を備え、ブラッグ反射機構による光の量子閉じ込め効果により発光パターンを制限する。 - 特許庁

例文

To allow spontaneous emission light from an amplifier to be activated to laser, a laser resonant cavity is formed by using a wavelength division multiplexer such as an arrayed waveguide grating, an optical amplifier, and wavelength-dependent reflectors such as optical fiber bragg gratings or wavelength-independent reflectors such as mirrors.例文帳に追加

アレイ導波路回折格子のような波長分割多重化器、光増幅器及び光ファイバブラッグ格子のような波長依存反射器又はミラーのような波長無依存反射器を利用して、レーザ共振空間を形成して増幅器の自然放出光がレージングされるようにする。 - 特許庁

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「bragg reflectors」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

The first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D of the mesas 100A to 100D have different thermal resistance values so that the surface-emitting lasers 10A to 10D oscillate at different wavelengths.例文帳に追加

各メサ100A〜100Dの第一多層膜ブラッグ反射鏡102A〜102Dの熱抵抗値を異ならせ、各面発光レーザ10A〜10Dから発振される波長を異なるものとしている。 - 特許庁

Cost reduction is possible because of being able to use dielectric interference film filters and fiber Bragg reflectors which can extract only specific wavelength optical channels and are low in price, by means of restricting the branch insertion optical channels to about two channels in the sub-node of the logical star.例文帳に追加

論理スターのサブノードでの分岐挿入光チャネルを2チャネル程度に限定することで、特定の波長の光チャネルのみが抽出できる価格の低い誘電体干渉膜フィルタやファイバブラッグ反射器が使えるのでコストの低減ができる。 - 特許庁

At least one of the reflectors constitutes an embedded Bragg grating, the grating has a largest reflectivity in the laser oscillation wavelength, and has a tuning means for changing the lengths of the resonance cavities to change the laser oscillation wavelength.例文帳に追加

前記反射器のうちの少なくとも一方は、埋設ブラッググレーティングを構成し、前記グレーティングは、前記レーザ発振波長で最大の反射率を有するとともに、前記共振キャビティーの長さを変えて前記レーザ発振波長を変化させるチューニング手段を備えている。 - 特許庁

The electrically pumped VCSEL includes a pair of distributed Bragg reflectors(DBR), an optical cavity located between DBR, active regions located in the optical cavity, and p-i-n junction structure of the equal number to the active regions.例文帳に追加

本発明は、1対の分布型ブラッグ・レフレクタ(DBR)、DBR間に配置された光共振器、光共振器内に配置された活性領域、及び、活性領域と等しい数のp−i−n接合構造を含む、電気ポンピング式垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)である。 - 特許庁

The vertical resonator surface emission semiconductor laser comprises a resonator 603 including an active layer 605 formed on a substrate 601, distributed Bragg reflectors 602 and 608 formed above and below the resonator 603, and a layer 604 for absorbing light of the active layer 605.例文帳に追加

基板601上に、活性層605を含む共振器603と、共振器603の上下に形成された分布ブラッグ反射鏡602,608と、活性層605の光を吸収する光吸収層604を含む垂直共振器型面発光半導体レーザ装置の出力光強度を変調する光変調に関する。 - 特許庁

例文

In the surface emitting laser element, at least one of a pair of distributed Bragg reflectors includes a second resonance region 114 that is different from a resonance region 107 made up of an active layer 105 and resonator spacer layers 104, 106, and the second resonance region 114 is provided in the region exclusive of the range from a center of the current injection region to a predetermined distance.例文帳に追加

一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層105と共振器スペーサー層104,106とから構成される共振領域107とは別の第2の共振領域114を含み、該第2の共振領域114は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 - 特許庁

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