レーザエッチングの英語

剥離性を有する基体シートに少なくともハードコート層、着色層の順序でハードコート層と着色層の対が複数対積層された多色成形品形成用のレーザエッチング用転写材とする。例文帳に追加

A transfer material for laser etching is for the multicolor molded article formed by laminating a plurality of pairs of at least the hard coat layer and a colored layer, in the order, on a base sheet having peelability. - 特許庁

この空間層１２は、第１のコンタクト層４の側面に流動性光吸収物質を接触させ、その反対側からレーザ光を照射してレーザエッチングを行なうことにより形成される。例文帳に追加

The space layer 12 is formed, by bringing a fluid light-absorbing substance into contact with a side face of the first contact layer 4, and conducting laser etching by emitting laser light from the opposite side thereof. - 特許庁

被加工物のレーザエッチング位置周辺に加工副生成物が付着しないように加工するとともにレーザ光束の照射エネルギ損失を低減する。例文帳に追加

To conduct machining in such a manner that a machining by-product is not stuck to a part around a laser etching site of a workpiece, and to reduce an irradiation energy loss of a laser beam flux. - 特許庁

レーザエッチングを利用して有機ＥＬ装置を製造する際における使用材料の節約及び製造プロセスの簡略化を達成し得る製造技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing technique for saving materials to be used and simplifying a manufacturing process, when manufacturing an organic electroluminescence device by utilizing laser etching. - 特許庁

本発明の表示装置の製造方法は、基板上(10)に少なくとも第１の電極膜(11)、発光膜(13)及び第２の電極膜(14)を形成してなる表示装置の製造方法において、少なくともいずれかの膜をレーザエッチングによってパターニングすることを特徴とする。例文帳に追加

The method of this invention for manufacturing a display device, in which at least a first electrode film (11), a light emitting film (13) and a second electrode film (14) are formed on a substrate (10), and has a feature of patterning at least any of the films by means of laser etching. - 特許庁

半導体膜形成装置８００において、成膜装置８７０とレーザエッチング装置８５０とを一体化し、かつ、非酸化性雰囲気中で基板を搬送機構８６０で搬送することにより、基板の表面に非晶質の半導体膜を形成した後、アニール工程を行うまでの間、非晶質の半導体膜の表面を酸化性雰囲気に一切、晒さない。例文帳に追加

Related to a semiconductor film forming device 800, a film- forming device 870 is integrated with a laser etching device 850 and a substrate is transported by a transportation mechanism 860 in a non-oxidizing atmosphere, so that the surface of an amorphous semiconductor film is never exposed to an oxidizing atmosphere while subjecting to an anneal process after the amorphous semiconductor film is formed on the surface of substrate. - 特許庁