半張りの英語

この状態で、半導体素子１２に引っ張り応力が作用すると、残留圧縮応力と引っ張り応力が相殺するので、半導体素子１２が耐えられる引っ張り応力が残留圧縮応力の分だけ強くなる。例文帳に追加

When the tensile stress acts on the element 12 under this condition, the endurable tensile stress of the element 12 is increased by the residual compressive stress, because the residual compressive stress offsets the tensile stress. - 特許庁

規制部材３０の張り側アーム３０Ａと緩み側アーム３０Ｂは、駆動プーリー１８の外周縁から半径方向外側に張り出している。例文帳に追加

The protruded side arm 30A and the loose side arm 30B of the regulating member 30 protrude outside in a radial direction from the outer circumferential edge of the driving pulley 18. - 特許庁

半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置例文帳に追加

ADHESIVE APPLIED TAPE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND COPPERED LAMINATE USING THE SAME, SEMICONDUCTOR CONNECTION BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置例文帳に追加

TAPE WITH ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR AND COPPER-CLAD LAMINATE USING THE SAME, SUBSTRATE FOR CONNECTING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体用接着剤付きテープおよびこれを用いた銅張り積層板、半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置例文帳に追加

TAPE WITH ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR AND COPPER-CLAD LAMINATE USING THE SAME, SUBSTRATE FOR CONNECTING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置例文帳に追加

TAPE HAVING ADHESIVE FOR SURFACE MOUNT BGA-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COPPER CLAD LAMINATE, SEMICONDUCTOR CONNECTION BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

既に湯張りされている通常の入浴用の湯張り状態を半身浴用の湯張り状態に自動的に変更調整することができて使い勝手の良い風呂設備を提供する。例文帳に追加

To provide bath equipment of high usability capable of automatically changing and adjusting an ordinary hot water supply state for bathing, having hot water already supplied, to a hot water supply state for half body bathing. - 特許庁

半導体基板は、複数の半導体基板(10,12)同士を互いに張り合わせて形成した半導体基板であって、張り合わせ界面に、窒化膜或いは酸窒化膜(11)が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor substrate is formed by bonding a plurality of counterpart semiconductor substrates (10, 12) together, and a nitride film or an oxynitride film (11) is formed at the bonded interface between them. - 特許庁