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反強磁性系の英語
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「反強磁性系」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
また、反強磁性膜をＭｎＩｒまたはＭｎＦｅ系合金で形成する。例文帳に追加
Also, the anti-ferromagnetic film is made of MnIr or MnFe based alloy. - 特許庁
反強磁性層３はＰｔＭｎ系材料とし、強磁性層５との界面において、５０原子％Ｍｎの組成とする。例文帳に追加
The antiferromagnetic layer 3 is made of a PtMn type material having a composition of Mn 50 atm.% in the interface with the ferromagnetic layer 5. - 特許庁
組成がＰｔ_100-zＭｎ_z（ここで、ｚは、４０＜ｚ≦７５）で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性膜と、前記反強磁性膜と積層形成されたＦｅＣｏ合金からなる強磁性膜とを備えることを特徴とする交換結合膜。例文帳に追加
The exchanged bond film comprises an antiferromagnetic film having a composition shown by Pt100-zMnz (where, 40<z≤75) and a crystal structure of tetragonal system, and a ferromagnetic film of an FeCo alloy laid on the antiferromagnetic film. - 特許庁
トンネルバリア層１３と隣接するように、Ｎｉ、またはＮｉを含む合金、またはＮｉを含む化合物強磁性層１４を配置し、かつＭｎ系規則合金反強磁性層１６と隣接するようにＣｏ、またはＣｏを含む合金、またはＣｏを含む化合物強磁性層１５を配置する。例文帳に追加
This ferromagnetic tunnel junction element has such a structure where a compound ferromagnetic layer 14 which contains N1 or a Ni alloy is arranged adjacent to a tunnel barrier layer 13, and a compound ferromagnetic layer 15 which contains Co or a Co alloy is arranged adjacent to Mn ordered alloy anti-ferromagnetic layer 16. - 特許庁
交換バイアス型強磁性トンネル素子において、Ｍｎ系規則合金を反強磁性体として用いる際に必要とされる高温、長時間の熱処理によっても特性の劣化がなく、高い磁気抵抗変化率を示す強磁性トンネル接合素子を得る。例文帳に追加
To obtain an exchange bias ferromagnetic tunnel junction element which has a high magnetoresistance change rate and is never deteriorated in characteristics due to a thermal treatment which is required to be carried out at high temperatures for many hours when an Mn ordered alloy is used as an anti-ferromagnetic body. - 特許庁
このドクターブレード１１６は、板状の反強磁性オーステナイト系ステンレス鋼であり、かつ、前記現像ローラとの最近接領域が、加工誘起によるマルテンサイト変態により強磁性化された後、磁場配向されている。例文帳に追加
The doctor blade 116 is a plate-like antiferromagnetic austenite stainless steel, and the proximal region to the developing roller is magnetic-field oriented after being ferromagnetized by martensitic transformation induced by the processing. - 特許庁
熱処理を受けてもＭｎ系合金を含む反強磁性層からのＭｎ拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。例文帳に追加
To provide a ferromagnetic tunnel junction element capable of effectively suppressing diffusing of Mn from an antiferromagnetic layer containing a Mn-based alloy even if a heat treatment is applied thereto, and excelling in characteristics and heat resistance. - 特許庁
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「反強磁性系」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
熱処理を受けてもＭｎ系合金を含む反強磁性層からのＭｎ拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。例文帳に追加
To provide a ferromagnetic tunnel junction element wherein, excellent in heat-resistance and characteristics, the Mn diffusion from an antiferromagnetic layer comprising an Mn array is effectively suppressed even in a thermal process. - 特許庁
基板上に、Ｍｎ系反強磁性材料からなる磁区制御層１２と、非磁性導電性材料からなる中間層１３と、軟磁性材料からなる裏打ち層１４と、記録される磁気信号に応じて磁区が形成される磁気記録層１５とを順次積層する。例文帳に追加
A magnetic domain controlling layer 12 consisting of a Mn based anti-ferromagnetic material, an intermediate layer 13 consisting of a non-magnetic conductive material, a backing layer 14 consisting of a soft magnetic material and a magnetic recording layer 15 in which a magnetic domain is formed corresponding to a recorded magnetic signal are successively laminated on a substrate. - 特許庁
基板１１上に磁区制御層１２、非晶質軟磁性下地層１３、中間層１４、垂直記録層１５を順次積層してなる垂直磁気記録媒体において、磁区制御層１２を基板側から第一多結晶軟磁性層、不規則系反強磁性層および第二多結晶軟磁性層が積層された三層膜とする。例文帳に追加
In this perpendicular magnetic recording medium configured by sequentially stacking a magnetic domain control layer 12, an amorphous soft magnetic underlayer 13, an intermediate layer 14 and a perpendicular recording layer 15 on a substrate 11, the magnetic domain control layer 12 is composed of a three-layer film wherein a first polycrystalline soft magnetic layer, a random antiferromagnetic layer and a second polycrystalline soft layer are stacked. - 特許庁
下部シールド層１０と上部シールド層１９との間に、ピン層１４ａ、１４ｂとフリー層１７とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層１４ａの下層に、界面にMn層２２を挟んで、Mｎ系反強磁性材からなる反強磁性層１３が設けられている。例文帳に追加
The magnetoresistive effect element has a magnetoresistive effect film including pin layers 14a, 14b and a free layer 17 sandwiched between a lower shield layer 10 and an upper shield layer 19 wherein an antiferromagnetic layer 13 composed of an Mn based antiferromagnetic material is formed at a lower layer of the pin layer 14a through an Mn layer 22 on an interface. - 特許庁
（００２）配向した六方晶系金属からなる下地層と、上記下地層上に形成された反強磁性層とからなる磁化方向制御膜である。例文帳に追加
A substrate layer which is composed of a (002)-oriented hexagonal crystal system metal and an antiferromagnetic layer, which is formed on the substrate layer constitute this direction of magnetization controlled film. - 特許庁
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