回折係数の英語

温度範囲−２０℃〜＋８０℃に含まれる何れかの温度において、回折格子の周期Λの線膨張係数と媒質２１，２２の屈折率の温度係数との和が０である。例文帳に追加

At some temperature in a temperature range of -20 to +80°C, the sum of the coefficient of linear expansion of the cycles Λ of the diffraction grating and temperature coefficients of refractive indexes of the media 21 and 22 is 0. - 特許庁

制御部３０は、算出した回折角度に応じて重み付け係数を設定し、設定した重み付け係数、予想位置及び電波測位位置に基づいて、自車位置を特定する。例文帳に追加

The control part 30 sets a weighting coefficient corresponding to the calculated diffraction angle, and specifies the own vehicle location based on the set weighting coefficient, the prediction location and the radio wave positioning location. - 特許庁

重心座標間伝搬特性推定部６は、該経路情報を参照し、反射係数や、回折係数などを用いて、全ての経路における複素電界を算出して加算し、経路情報メモリ５に記憶する。例文帳に追加

An inter-barycentric-coordinate propagation characteristic estimation part 6 refers to the route information, calculates and adds complex electric fields in all the routes using a reflection coefficient and a diffraction coefficient, etc., and stores them in the route information memory 5. - 特許庁

その結果、活性層の平坦性を損なうことなく活性層と回折格子を近接して設定できるので、活性層と回折格子の光の結合係数を大きくすることができ、単一波長発振する温度範囲を従来よりも広範囲にすることができる。例文帳に追加

As a result, the active layer can approach the diffraction grating for setting without losing planarity in the active layer, thus making large the coupling coefficient of light in the active layer and diffraction grating, and hence widening the temperature range for signal wavelength oscillation as compared with before. - 特許庁

光学素子は、所定の条件を満たす対物光学系に搭載され、少なくとも一方の面には回折構造が設けられ、該回折構造を規定する光路差関数の二次および四次の係数が所定の条件を満たすように構成した。例文帳に追加

The optical element is mounted on an objective optical system satisfying prescribed conditions, at least one of surfaces of the optical element includes a diffraction structure and coefficients of the second order and the fourth order of an optical path difference function regulating the diffraction structure satisfy prescribed conditions. - 特許庁

簡易に深さ（結合係数）が変化する回折格子の作製することができ、作製された素子の回折格子表面の凹凸が抑制されるため、光損失が低減され、サイドモードが抑制された特性を示す半導体素子の作製方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element, manufacturing a diffraction grating having its depth (coupling coefficient) easily changing to suppress the concavity and convexity on the surface of the diffraction grating of a manufactured element, and thereby decreasing an optical loss and showing characteristics of a side mode being suppressed. - 特許庁

主に利得結合ＤＦＢレーザに用いられるＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成することにより、屈折率結合係数に対する利得結合係数の割合を大きくする。例文帳に追加

In a semiconductor light emitting element in an MQW diffraction grating structure to be used mainly for a gain coupling DFB laser, the well layer of an MQW-A is made thicker than that of the well layer of an MQW-B so that the rate of a gain coupling coefficient to a refractivity coupling coefficient can be increased. - 特許庁

屈折率および光吸収係数の異なる半導体層の対を反復積層して成る多層膜反射鏡において、光吸収係数の大きい方の層の光学的厚さを小さくしても、回折条件（光学的厚さの和が極大吸収波長λ_0 の１／２）を満たして、高い反射率を得ること。例文帳に追加

To satisfy a diffraction condition (the sum of optical thicknesses is 1/2 of maximum absorption wavelength λ0) and to ensure a high reflectance even when the optical thickness of a layer having a higher absorption coefficient is made smaller in a multilayer film reflecting mirror obtained by stacking pairs of semiconductor layers different from each other in refractive index and absorption coefficient. - 特許庁