均一核生成の英語

ソレノイドコイルにより生成される高周波磁場の磁場均一度が高いソレノイドコイル及びそれを搭載したプローブを有する核磁気共鳴信号取得装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a solenoid coil capable of generating a high-frequency magnetic field, having high magnetic field homogeneity, and a nuclear magnetic resonance signal acquisition device having a probe mounted with the coil. - 特許庁

分極反転核を均一で高密度に生成することで、分極反転領域の寸法を制御し易い光波長変換素子の製造方法およびその製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method and a manufacturing device for optical wavelength conversion element that facilitate control over the size of a polarization inversion region by generating polarization inversion nuclei with high density. - 特許庁

二つの非晶質シリコン膜とその間に介在された結晶核を利用して均一で大きな多結晶シリコン結晶粒が生成するようにする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for generating an uniform and large polycrystalline silicon crystal particle by utilizing two amorphous silicon films and a crystal nucleus interposed in-between. - 特許庁

溶融金属の注湯後の１秒以上１０秒以下程度の短い時間内に溶融金属を液相線温度以下に急速に冷却でき、多数の結晶核を全領域にわたって均一に生成できる。例文帳に追加

The molten metal can rapidly be cooled to not higher than the liquidus temperature within such short time as about 1-10 sec after pouring the molten metal, and many crystal nucleus can uniformly be generated over the whole range. - 特許庁

溶融金属の注湯後の１秒以上１０秒以下程度の短い時間内に溶融金属を液相線温度以下に急速に冷却でき、多数の結晶核を全領域にわたって均一に生成できる。例文帳に追加

The molten metal can rapidly be cooled to not higher than the liquidus temperature within such short period of time as about 1-10 sec after pouring the molten metal, and many crystal nucleus can uniformly be generated over the whole range. - 特許庁

本発明のベーマイト粒子の製造方法では、水酸化アルミニウム粉末を核生成剤とともに水熱反応に供することにより、一次粒子の形状が六面体をなす平均一次粒子径が０．６μｍ以下のベーマイト粒子が製造される。例文帳に追加

In the method for producing the boehmite particles, by subjecting an aluminum hydroxide powder with a nucleus generating agent to a hydrothermal reaction, the boehmite particles whose primary particle shape is a hexahedron and which have an average primary particle diameter of ≤0.6 μm is produced. - 特許庁

バッファ層１０２を有するこのようなバッファ化基板において、該バッファ層１０２は、基板１００の限界温度よりも高い融点を有し、さらに、シリコン層１０４の結晶化に際し、バッファ層１０２上に均一なシリコン結晶粒子を形成するためシリコン層１０４の核生成密度を規定し、かつシリコン層１０４の結晶化過程における等方粒成長の基礎として機能する。例文帳に追加

In such a buffered substrate having the buffer layer 102, the buffer layer 102 has a melting point higher than a limit temperature of the substrate 100, and further, in crystallization of the silicon layer 104, defines nuclear density of the silicon layer for forming uniform silicon crystal particles on the buffer layer 102, and still further, functions as a basis for isotropic grain growth. - 特許庁