微分負性の英語

従来の負性微分抵抗及び負荷を用いた記憶素子で困難であった高速動作と低消費電力の両立を実現し、高集積化に適した素子構造を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an element structure suitable for a high integration by realizing compatibility of a high speed operation and a low power consumption difficult in a conventional memory cell using a negative differentiating resistor and a load. - 特許庁

２端子間に微分負性抵抗特性を有する電流−電圧特性を呈する第１から第６の半導体素子１〜６と、転送ゲート７からなる。例文帳に追加

The semiconductor logic circuit consists of 1st to 6th semiconductor elements 1 to 6 showing a current-voltage characteristic having a differential negative resistance characteristic between two terminals and a transfer gate 7. - 特許庁

ソースと第一の多結晶シリコン膜は、薄いシリコン酸化膜を介した高濃度不純物pn接合を構成しており、負性微分抵抗を示すエサキ・ダイオードとなる。例文帳に追加

A source and the first silicon film constitute a high concentration impurity pn junction via a thin silicon oxide film to become an Esaki diode exhibiting the negative differentiating resistor. - 特許庁

シリコン基板上に形成可能であり、かつ、負性微分抵抗を顕著に発現し得る共鳴トンネル素子及びその製造方法並びに記憶素子を実現する。例文帳に追加

To provide a resonance tunnel element which is formed on a silicon substrate and greatly develops negative differential resistance, and also to provide its manufacturing method, and a storage element. - 特許庁

負性微分抵抗素子と電界効果を用いた論理回路において、高速に動作することが可能であり、外部から大電流のクロック信号を供給する必要がなく、外部回路の負担を低減することのできるフリップフロップ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a flip-flop circuit capable of operating at a high speed and reducing a load on an external circuit for not requiring a supply of a clock signal of a large current from outside, in a logic circuit using a negative differential resistance element and an electric field effect. - 特許庁

２つの異なる電位の電源間に直列接続され、ナノワイヤで形成され、負性微分抵抗を示す第１および第２のダイオードと、第１のダイオードと第２のダイオードとの接続部に接続される選択トランジスタと、を有することを特徴とする半導体記憶装置である。例文帳に追加

The semiconductor memory device includes first and second diodes serially connected between two power sources having different potentials, formed of a nanowire, and presenting a negative differential resistance, and a selective transistor connected to a connection part of the first diode and the second diode. - 特許庁

ゆらぎ検出回路３１の非線形出力特性によって軽負荷状態でのみ制御のゆらぎを検出し、その出力の変動分をコンデンサＣ１０および分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２による微分回路で抽出し、出力電圧の分圧値に重畳してフィードバックする。例文帳に追加

Fluctuation of control only in a light-loaded condition is detected from non-linear output characteristic of a fluctuation detection circuit 31, and fluctuating components of the output is extracted by a differential circuit comprising a capacitor C10, potential dividing resistors R1 and R2 and fed back upon superposing the divided voltage of the output. - 特許庁

本発明の磁性材料は、一部の温度領域、好ましくは２００Ｋ以上３５０Ｋ以下の温度領域の一部において、永久磁石によって作られる磁場の範囲内で、磁化曲線の磁場に対する二回微分係数が正から負に変わる変曲点を持つことを特徴とする。例文帳に追加

A magnetic material has a flexion point at which a twice differential coefficient to the magnetic field of a magnetization curve changes to negative from positive within the limit of the magnetic field made by permanent magnet in some temperature region, preferably in the part of the temperature region of 200K or more and 350K or less. - 特許庁