微結晶粒シリコンの英語

単結晶シリコンを研磨粒子分散液と接触させながら研磨することにより、シリコン微粒子を生成させると共にこのシリコン微粒子を前記研磨粒子分散液中に分散させてシリコン微粒子分散液を得る工程を含むことを特徴とするシリコン微粒子の製造方法。例文帳に追加

The method for producing silicon fine particles includes a step for forming silicon fine particles by polishing single crystal silicon while bringing the single crystal silicon into contact with a dispersion of abrasive particles and at the same time, obtaining a dispersion of the silicon fine particles by dispersing the formed silicon fine particles into the dispersion of the abrasive particles. - 特許庁

溶融状態の多結晶シリコンと固体状態の単結晶シリコンを用いて相互に一体化したウエハであって、単結晶部との境界から１０ｍｍ以内の多結晶部の平均結晶粒径が８ｍｍ以下の微細結晶を有することを特徴とするハイブリッドシリコンウエハ。例文帳に追加

The hybrid silicon wafer is a wafer prepared by mutually integrating polycrystalline silicon in a molten state and single-crystal silicon in a solid state, and has fine crystals having an average crystal grain size of ≤8 mm in a polycrystalline part within 10 mm from the boundary with the single crystal part. - 特許庁

粒径がナノメ−トルオ−ダ−のシリコン微結晶粒子１２又はゲルマニウム微結晶粒子１２がシリコンカ−バイド多結晶体１３中にドット状に分散した発光材料１０である。例文帳に追加

This material 10 is composed of silicon fine crystalline particles 12 or germanium fine crystalline particles in diameter of nano meter order dispersed in silicon carbide polycrystalline film 13 in a dotted state. - 特許庁

多孔質化された単結晶シリコンに、該多孔質化された単結晶シリコンに対して実質的に不活性な液体を接触させながら、該多孔質化された単結晶シリコンの少なくとも一部を粉砕することにより、シリコン微粒子を生成させると共にこのシリコン微粒子を該液体中に分散させる工程を含むことを特徴とするシリコン微粒子含有液の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a silicon particulate-containing liquid comprises: a stage where, while a single crystal silicon made porous is brought into contact with a liquid substantially inert to the single crystal silicon made porous, at least a part of the single crystal silicon made porous is ground, thus silicon particulates are produced, and further, the silicon particulates are dispersed into the liquid. - 特許庁

酸化膜上に粒径１０ｎｍ以下のシリコン微粒子を形成した後、多結晶シリコンゲルマニウム膜を形成する。例文帳に追加

After forming silicon grains of a diameter ≤10 nm on an oxide film, the polycrystal silicon-germanium film is formed. - 特許庁

かかる方法によれば、微結晶粒と微結晶粒との間に液体シリコン材料が侵入しアモルファス化する。例文帳に追加

In this method, the liquid silicon material enters among microcrystal grains and becomes amorphous. - 特許庁

ｎ層，ｉ層，ｐ層は、アモルファスシリコン層または多結晶シリコン層により形成され、最上部（光の入射側）のｉ層を構成するアモルファスシリコン層が、粒径１ｎｍ〜１５ｎｍの微細な結晶シリコン粒がアモルファスマトリックス中に分散した構造のアモルファスシリコン層を用いる。例文帳に追加

For the amorphous silicon layer constituting the i layer at the top part (a light incident side), the amorphous silicon layer in a structure for which fine crystal silicon grains of grain diameters 1 nm to 15 nm are dispersed in an amorphous matrix is used. - 特許庁

減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法により半導体基板１６上に８５０〜１４００℃でシリコンカ−バイド多結晶膜１３とシリコン微結晶粒子１２又はゲルマニウム微結晶粒子とを交互に堆積する。例文帳に追加

The silicon carbide polycrystalline film 13, the silicon fine crystalline particles 12 or germanium fine crystalline particles are alternately deposited on a semiconductor substrate 16 at 850-1400°C by depressed chemical vapor deposition process or chemical deposition process. - 特許庁