晶癖面の英語

晶癖面サファイヤ板材及びその製造方法例文帳に追加

CRYSTAL HABIT FACE SAPPHIRE PLATE MATERIAL AND METHOD OF PRODUCING THE SAME - 特許庁

シリコン単結晶４の外表面に晶癖線が存在する場合は、良品シリコン単結晶と判定する。例文帳に追加

When a crystal habit line is present on the outer surface of the silicon single crystal 4, the crystal is judged as a good product. - 特許庁

単結晶棒５の円筒研削において、単結晶棒５の表面に存在する晶癖線１１に局所的な応力がかかって単結晶棒５にクラックが発生し、単結晶棒５が割れないようにする。例文帳に追加

To prevent the occurrence of a crack in a single crystal rod 5, which may occur when a local stress is applied to a crystal habit line 11 present at the surface of the single crystal rod 5 and to prevent the single crystal rod 5 from being split in cylindrical grinding of the single crystal rod 5. - 特許庁

そして、単結晶棒５の円筒研削において、単結晶棒５のトップ８又はテール９を把持する際に、把持カップ１２が単結晶棒５の表面に存在する晶癖線に接触しないようにする。例文帳に追加

Then, when the top 8 or the tail 9 of the single crystal rod 5 is held and the single crystal rod 5 is subjected to cylindrical grinding, the single crystal rod 5 is held in such a way that the holding cup 12 does not contact with the crystal habit line 11 present at the surface of the single crystal rod 5. - 特許庁

育成されたシリコン単結晶４の外表面に形成される晶癖線の有無によって、シリコン単結晶４における転位発生の有無を判定する。例文帳に追加

Whether or not dislocation occurs in the silicon single crystal 4 is judged by the presence or absence of a crystal habit line formed on the outer surface of the grown silicon single crystal 4. - 特許庁

その後、多孔質層の上に単結晶半導体薄膜２０を成長させると、その表面に、単結晶半導体基板と同一の（１００）面方位を有するとともに、表面に現れた結晶晶癖により形成された多数の微小な凸構造２１が形成される。例文帳に追加

Afterwards, when a single-crystal semiconductor thin film 20 is grown on the porous layer, a plurality of fine projecting structures 21 formed of crystal habits appearing on the surface with the same plane direction (100) as that of the single-crystal semiconductor substrate are formed on the surface of the single-crystal semiconductor thin film 20. - 特許庁

成長させたままのシリコン単結晶インゴットからウエーハをスライスする加工方法において、ウエーハのスライスに先立ち、前記単結晶インゴット１０の側面を研削加工する際に、少なくともインゴットに現れる晶癖線３１のみを研削除去する工程を行う。例文帳に追加

In this machining method for slicing a wafer from the grown silicon single-crystal ingot, prior to slicing the wafer, when the side of the single-crystal ingot 10 is ground for machining, a process for grinding and removing merely a crystal habit line 31 appearing at least in the ingot is made. - 特許庁