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極射影の英語

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英訳・英語 stereographic projection


和英図学用語辞書での「極射影」の英訳

極射影


「極射影」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



例文

積層方向から射影した場合に各セパレータ1の射影4が隣接する分性電3の射影5を包含するように、セパレータ1を分性電3よりも大きく形成する。例文帳に追加

Separators 1 are made larger than a polarizable electrode 3 so that a projection 4 of each separator 1 includes a projection 5 of an adjacent polarizable electrode 3, when projected from the laminating direction. - 特許庁

そして、トランスデューサ面αへの第1分ベクトルP_1の射影P_1Sは、トランスデューサ面αへの射影P_2Sと逆方向であり、法線131への第1分ベクトルP_1の射影P_1Lは、法線131への第2分ベクトルP_2の射影P_2Lと同方向である。例文帳に追加

A projection P_1S of the first polarization vector P_1 toward the transducer face α assumes a reverse direction to a projection P_2S toward the transducer face α, and a projection P_1L of the first polarization vector P_1 toward the normal 131 takes the same direction as a projection P_2L of the second polarization vector P_2 toward the normal 131. - 特許庁

相対座標位置にあるカメラ位置を単位球面上に射影し、単位球上の点列を射影平面上へ極射影し、射影平面上の点に円に対して重み付き最小2乗法に基づく演算処理により円を推定する。例文帳に追加

A camera position at a relative coordinate position is projected on a unit sphere, and the polar projection of a dot sequence on the unit sphere on a projective plane is carried out, and a circle is estimated by arithmetic processing based on a weighted method of least squares to dots on the projective plane. - 特許庁

点400を投影基準点としてこれらの点を複素平面上に立体射影する。例文帳に追加

These points are stereographically projected onto a complex plane, by using a pole 400 as a projection reference point. - 特許庁

各圧電体層における分ベクトルPの法線13への射影は同方向であり、第1電121側から数えて奇数番目の圧電体層における分ベクトルPの面αへの射影は第1電121側から数えて偶数番目の圧電体層における分ベクトルPの面αへの射影と逆方向である。例文帳に追加

The projections on the plane α of the polarization vectors P in odd-numberth piezoelectric layers counted from the first electrode 121 side orient in the opposite direction from the projections on the plane α of the polarization vectors P in the even-numberth piezoelectric layers counted from the first electrode 121 side. - 特許庁

弾性構造107は、スルーホール構造108の真空側電のフェイスプレート101への正射影領域と、アノード電106及び引き出し配線100のリアプレート102への正射影領域とが重なる領域に内包される。例文帳に追加

The elastic structure 107 is contained in a range where an orthogonal projection range of the through hole structure 108 to a face plate 101 of a vacuum side electrode and an orthogonal projection range of the anode electrode 106 and the extraction wiring 100 to a rear plate 102 overlap with each other. - 特許庁

例文

そして、その正射影像における内側外形線110と直交する方向を接地電4の厚さ方向とした場合に、接地電4の厚さが先端縁が基端縁よりも小さくなるように形成される。例文帳に追加

Then, if the direction orthogonal to the inner visible outline 110 in the orthogonal projection image is in the thickness direction of the grounding electrode 4, the thickness of the grounding electrode is formed so as to be smaller at the tip edge than at the base end edge. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「極射影」の英訳

極射影


クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「極射影」の英訳

極射影


「極射影」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



例文

ソフトウェア信頼性成長モデルのパラメータ推定を行うための回帰分析に、連続限でソフトウェア信頼性成長モデルと方程式、厳密解ともに一致し、かつ射影変換と等価な差分方程式を用い、その射影変換の複比の取り得る値に関する性質を用いてパラメータ推定を行う。例文帳に追加

In regression analysis for estimating a parameter of a software reliability growth model, a parameter is estimated using software reliability growth model and equation in a continuous limit and a differential equation that has a matched exact solution and is equivalent to projection conversion and using a property related to an obtainable compound ratio value of the projection conversion. - 特許庁

この発明は、円弧画像を座標変換し、複数候補から求めた最大射影値(直線性)のパターンから欠け数を求め、円弧画像の欠け率を算出するようにしたものである。例文帳に追加

A missing spot ratio of the arced image is calculated by conducting polar coordinate transformation on the arced image and determining a number of missing spots from a pattern of a maximum projection value (linearity) determined from a plurality of candidates. - 特許庁

基板1上の絶縁層4上に電子放出素子5を配置してなる画像表示装置において、アノード電6の正射影領域であって、絶縁層4の露出面の直下に所定の金属種を含む導電層8を設ける。例文帳に追加

In the image display device made by arranging an electron emission element 5 on an insulating layer 4 of the substrate 1, a conductive layer 8 containing a given metal kind is provided directly under an exposed face of the insulating layer 4 at the orthographic projection region of an anode electrode 6. - 特許庁

例文

GaP系発光ダイオードに於いて、表面電射影領域に、発光部の一構成層に接合して、第1の含硼素III−V族化合物半導体層が設けられ、第1の含硼素III−V族化合物半導体層に接合して、第2の含硼素III−V族化合物半導体層が備えられている。例文帳に追加

In a GaP based light emitting diode, a first III-V compound layer containing boron is provided in the projection area of a surface electrode in junction with one compositional layer of light emitting part, and a second III-V compound layer containing boron is provided in junction with the first III-V compound layer containing boron. - 特許庁

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