極小磁場の英語

ゼーマン分裂後の基底準位間のエネルギー差△Ｅ１２のうち一部は、磁場の強度に対して極小値を持つ。例文帳に追加

Part of energy difference ▵E12 caused between ground levels subsequent to the Zeeman fission has a minimum value to the magnetic field strength. - 特許庁

光励起により伝導性を示し、電荷再結合蛍光や電気抵抗が磁場の印加によっても変化する素子であって、任意に設定した強度の照射光の下で印加磁場の強さ:Ｂを下げていくとゼロでない有限の強さの磁場Ｂａで次式で表わされる対磁場蛍光強度変化率：Ｒが極小値あるいは極大値Ｒｍとなり、さらに下げると逆にＲが上昇あるいは減少してゼロ磁場でゼロとなる性質を有することを特徴とする磁場応答性の分子性素子。例文帳に追加

The molecular element displays conductivity when it is optically excited, and its charge recombined fluorescence or electric resistance varies even by application of magnetic field. - 特許庁

頂点及び極小面積磁極又は鋭角極小面積角隅磁場を有する永久磁石を用いた磁力加速機構において磁石形状、配置によって生じる端面部の吸引、反発磁力域の回転抵抗磁力を抑え、回転付勢力へ弾みをつけ高出力の磁力加速機構を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetic force acceleration structure having a high output which uses permanent magnets having an apex and a minimum area magnetic pole or a magnetic field of a minimum area having an acute angle corner, suppresses a rotation resistive magnetic force in attraction and repulsion magnetic force areas which are generated due to the shape and arrangement of the magnets, and give a momentum to a rotational energizing force. - 特許庁

渦電流によるジュール熱損を極小に抑えるとともに、デバイスウェーハを貫通しない程度の微細な磁場であっても、その変化を確実に検出し、仕上げ研磨条件を変更することで研磨終了時のウェーハ表面を高精度で均一化し、かつ研磨終了時点を精度よく予測・検出しうる研磨終点の予測・検出方法とその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for predicting and detecting a polishing end point capable of minimizing Joule heat loss by an eddy current, precisely uniformizing the surface of a wafer at the end of polishing by reliably detecting the change and changing finish polishing conditions even in a minute magnetic field not penetrating a device wafer, and precisely predicting and detecting a polishing end point. - 特許庁

渦電流によるジュール熱損を極小に抑えるとともに、デバイスウェーハを貫通しない程度の微細な磁場であっても、粗研磨と仕上げ研磨との研磨条件変更時点を十分に精度よく検出し、また研磨終了時点を精度よく予測・検出しうる研磨終了時点の予測・検出方法とその装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method and a device for predicting and detecting a polishing end point capable of minimizing Joule heat loss by an eddy current, fully precisely detecting the polishing condition change point between rough polishing and finish polishing even in a minute magnetic field not penetrating a device wafer, and precisely predicting and detecting a polishing end point. - 特許庁

導電性膜に誘起される磁束の変化をモニタして研磨完了時点を予測する方法において、渦電流によるジュール熱損を極小に抑えるとともに、デバイスウェーハを貫通しない程度の微細な磁場であっても、十分に精度よく研磨完了時点を予測し検知する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for predicting a polish completion point of time by monitoring a change of a magnetic flux induced in a conductive film, wherein a joule heat loss by an eddy current is minimized, and the polish completion point of time is sufficiently accurately predicted and detected even if a magnetic field is fine so as not to pass through a device wafer. - 特許庁