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極端紫外線リソグラフィの英語
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英訳・英語 Extreme ultraviolet lithography
「極端紫外線リソグラフィ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
極端紫外線リソグラフィー用光学系のクリーニング方法例文帳に追加
CLEANING METHOD OF OPTICS SYSTEM FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY - 特許庁
リソグラフィ装置は、極端紫外線放射を生成する放射源を含む。例文帳に追加
The lithography apparatus includes a radiation source which generates extreme ultraviolet radiation. - 特許庁
極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及びリソグラフィ方法例文帳に追加
EXTREME ULTRAVIOLET RAYS EXPOSURE MASK, MASK BLANK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAYS EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING EXTREME ULTRAVIOLET RAYS EXPOSURE MASK AND LITHOGRAPHY METHOD - 特許庁
極端紫外線リソグラフィ用マスクブランクの欠陥を検査する装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a device for inspecting a defect in a mask blank for extreme UV ray lithography. - 特許庁
ＥＵＶ（極端紫外線）リソグラフィ装置において、照明システムは、マルチファセットフィールドミラーとマルチファセット瞳ミラーとを含む。例文帳に追加
In an EUV (extreme ultraviolet) lithographic apparatus, an illumination system includes a multifaceted field mirror and a multifaceted pupil mirror. - 特許庁
Ｓｎ堆積物のエッチング速度を高めることができる極端紫外線リソグラフィー用光学系のクリーニング方法を提供する。例文帳に追加
To provide a cleaning method of an optics system for extreme ultraviolet lithography, wherein the speed of etching of a Sn deposit can be increased. - 特許庁
極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィにおいて使用される斜入射集光器（ＧＩＣ）用の冷却システム及び冷却方法を提供する。例文帳に追加
To provide a cooling system and a cooling method for a grazing-incidence collector (GIC) used in extreme ultraviolet (EUV) lithography. - 特許庁
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極端紫外線リソグラフィ
「極端紫外線リソグラフィ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
プラズマ源としてＳｎを用いる極端紫外線リソグラフィーのための光学系をクリーニングするにあたり、ＨＣｌ／Ｃｌ_2混合ガスを前記光学系に供給することを特徴とする極端紫外線リソグラフィー用光学系のクリーニング方法。例文帳に追加
The cleaning method of an optics system for an extreme ultraviolet lithography is characterized by supplying HCl/Cl_2 mixture gas to the optics system in cleaning the optics system for the extreme ultraviolet lithography using Sn as a plasma source. - 特許庁
極端紫外線の生成又は高解像度リソグラフィのための放射源は、燃料が放射ビームと接触してＥＵＶ放射を生成するプラズマ形成部位を含む。例文帳に追加
The radiation source for producing EUV or lithography of high resolution includes a plasma forming portion on which a fuel contacts with a radiation beam to produce the EUV radiation. - 特許庁
極端紫外線に加えて生成し、コレクタに浸入する汚染物の量を低減し、バッファガスへの熱負荷も低減する放射源を含むリソグラフィ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a lithography apparatus including a radiation source which reduces heat load to buffer gas as well as an amount of infiltration into its collector of the contamination being generated accompanying extreme ultraviolet generation. - 特許庁
本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。例文帳に追加
To provide a surface treatment method of a quartz glass substrate capable of obtaining a quartz glass substrate having a high flatness (subnanometer level) which can meet the demand for a lithography reflection mask substrate using an extreme ultraviolet ray (EUV) in the field of LSI or the like, and a hydrogen radical etching apparatus suitably used for the treatment method. - 特許庁
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