subnanometerとは 意味・読み方・使い方

For field-emission instruments that are fitted with a subnanometer probe, the position of the optical axis is critically important. 発音を聞く 例文帳に追加

サブナノメータプローブを備え付けている電界放出型(電子銃)の装置については、光軸の位置が決定的に重要である。 - 科学技術論文動詞集

To provide a jogging stage device capable of being displaced with a large stroke while making a subnanometer movement.例文帳に追加

サブナノメートルで移動させることを可能としつつ、大ストロークで変位させることも可能とする微動ステージ装置を提供すること。 - 特許庁

In dedicated field-emission STEM instruments, the very small polepiece gaps required to form a subnanometer probe will limit the tilt range. 発音を聞く 例文帳に追加

専用の電界放出型STEM装置では、サブナノメータのプローブを形成するために必要な非常に小さなポールピースギャップが(試料の)傾斜範囲を制限する。 - 科学技術論文動詞集

To provide a mechanism capable of measuring the thickness of a thin film sample with an accuracy of subnanometer order and capable of measuring the analysis of various measuring results of a thin film, taking into consideration the thickness of the thin film sample.例文帳に追加

薄膜試料厚さをサブナノメートルオーダーの精度で測定することを可能とし、薄膜の各種測定結果の解析を、試料厚さを考慮して測定できる機構を提供する。 - 特許庁

The method is for controlling the surface flatness of a quartz glass substrate, where the quartz glass substrate is set in a hydrogen radical etching apparatus and hydrogen radicals work on the quartz glass substrate to control the surface flatness by a subnanometer level.例文帳に追加

石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。 - 特許庁

To provide a surface shape processing method and a surface shape processing device of a multilayer film which corrects a phase of a reflected wave surface with precision of subnanometer and in which shortening of processing time is attained in milling of the multilayer film utilizing ion beams.例文帳に追加

イオンビームを利用した多層膜のミリングにおいて、サブナノメートル精度で反射波面の位相を補正するとともに加工時間の短縮を実現した多層膜の表面形状加工方法及び表面形状加工装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a quartz glass substrate capable of obtaining a quartz glass substrate having a high flatness (subnanometer level) which can meet the demand for a lithography reflection mask substrate using an extreme ultraviolet ray (EUV) in the field of LSI or the like, and a hydrogen radical etching apparatus suitably used for the treatment method.例文帳に追加

本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。 - 特許庁