深い準位の英語

第２の磁気センサ３ｂが、深い歯溝１３を検出する位置を基準位置とし、ここから第１の磁気センサ３ａの出力に基づく回転角度を回転体１４の回転位置とする。例文帳に追加

The 2nd magnetic sensor 3b has as a reference position the position where the deeper tooth groove 13 is detected and detects the angle of rotation from the reference position which is based upon the output of the 1st magnetic sensor 3a as a rotational position. - 特許庁

伝導不純物のエネルギー準位が動作温度に対応する熱励起エネルギーよりも深い位置にある半導体材料により形成した半導体素子に高密度の電流を流す。例文帳に追加

To carry a highly density current in a semiconductor element formed by a semiconductor material in which the energy level of a conductive dopant is deeper than thermal excitation energy corresponding to an operation temperature. - 特許庁

キズ評価装置２６は、基準キズにおける両キズ信号の位相角差と被検査体の未知の深さのキズにおける両キズ信号の位相角差とを比較して、被検査体のキズが基準キズより浅いか深いかを推定する。例文帳に追加

A flaw-evaluating device 26 is provided, which compares the phase angle difference between both flaw signals of the reference flaw, with a phase angle difference between both flaw signals of the flaw of the inspection object whose flaw depth is unknown, and estimates whether the flaw of the inspection object is shallow or deep, in comparison with the reference flaw. - 特許庁

例えば、入射光のエネルギに対する有機材料のキャパシタンスの変化量を求めることで有機材料のバンドギャップ内準位の欠陥などに起因した深い準位を評価でき、デバイスの特性・信頼性を評価することが可能となる。例文帳に追加

For example, the invention enables to evaluate a deep level due to a defect level or the like within a band gap of the organic material by obtaining variation of capacitance of the organic material with respect to the energy of an incident light, resulting in enabling to evaluate properties and reliability of the device. - 特許庁

２次元電子ガスを用いるヘテロ接合ＦＥＴ構造とし、ショットキ障壁の大きい半導体を用いながら、不純物準位を作る酸素の混入を防止し、深い不純物準位などの影響を受けにくいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction field effect transistor which is not easily affected by deep impurity levels or the like by forming a hetero-junction FET structure using a two-dimensional electron gas, and preventing an oxygen from being mixed for forming an impurity levels while using a semiconductor having a large Schottky barrier. - 特許庁

この方法によれば、室温においても深いトラップ準位を評価することができ、ワイドバンドギャップを用いた半導体装置の性能向上を目的とした評価に利用することができる。例文帳に追加

According to this method, the level of a deep trap can be evaluated even at room temperature, and this can also be utilized for the evaluation aiming at performance improvement of the semiconductor device, using a wide band gap. - 特許庁

そのため、本抵抗測定装置１であれば、不純物準位の深い測定対象物１００であっても、適切にキャリアの励起が実現できるため、その抵抗率を充分なＳ／Ｎで測定できる。例文帳に追加

The resistance measuring device 1 can appropriately achieve excitation of the carrier even when the measured object 100 has the deep impurity level, so that the resistivity can be measured with ample S/N. - 特許庁

光吸収層３０は、基板１０の結晶を破壊し、深い準位を形成することの可能な元素をイオン注入することよって形成されたものであり、活性層１２から発せられた光を吸収する機能を有している。例文帳に追加

The light-absorbing layer 30 is formed by implanting ions of an element capable of forming a deep level by breaking a crystal of the substrate 10, and has a function of absorbing light emitted from an active layer 12. - 特許庁