炭化ホウ素の英語

炭化ケイ素−窒化ホウ素複合材料の反応合成例文帳に追加

REACTION SYNTHESIS OF SILICON CARBIDE-BORON NITRIDE COMPOSITE MATERIAL - 特許庁

炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法例文帳に追加

BORON CARBIDE CERAMIC AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

窒化ホウ素分散炭化ケイ素−炭素複合材例文帳に追加

SILICON CARBIDE-CARBON COMPOSITE MATERIAL WHEREIN BORON NITRIDE IS DISPERSED - 特許庁

炭化ホウ素焼結体およびその製造方法例文帳に追加

BORON CARBIDE SINTERED COMPACT AND ITS PRODUCTION - 特許庁

炭化ホウ素ナノベルト及びその製造方法例文帳に追加

BORON CARBIDE NANOBELT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

緻密質炭化ホウ素焼結体およびその製造方法例文帳に追加

DENSE BORON CARBIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

窒化ホウ素（ＢＮ）で表面被覆された炭化ケイ素（ＳｉＣ）繊維を１０〜３０体積％含有した炭化ホウ素（Ｂ_4 Ｃ）からなる炭化ホウ素／炭化ケイ素繊維複合焼結体で中性子吸収材料を構成する。例文帳に追加

A neutron absorbing material is composed by a boron carbide/ silicon carbide fiber composite sintered body consisting of the boron carbide(B4C) containing silicon carbide(SiC) fiber whose surface is covered with boron nitride(BN) by 10-30 vol.%. - 特許庁

本発明の課題は、炭化ホウ素と塩素とを反応させて三塩化ホウ素を製造する方法において、炭化ホウ素の比表面積Ｘ(g/m^2)と炭化ホウ素1kg当りの塩素量Ｙ(Ｌ/(kg*min.))との積（Ｘ×Ｙ）を0.06〜0.6g/m^2にすることを特徴とする三塩化ホウ素の製造方法によって解決される。例文帳に追加

In the method for producing boron trichloride by reacting boron carbide with chlorine, the product of the specific surface area X (g/m^2) of the boron carbide and the amount Y (L/(kg*min.)) of chlorine per 1 kg of the boron carbide, (X×Y) is confined to 0.06-0.6 g/m^2. - 特許庁