無秩序活性化の英語

端面無秩序化の熱プロセス中に、ｐ型半導体層中の不純物が活性層の発光領域へ拡散することを防止し、端面窓構造を構成する活性層中の不純物濃度が適切になるようにした赤色半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a red semiconductor laser in which impurity concentration of an active layer constituting an end face window structure is controlled to an appropriate value by preventing impurities in a p-type semiconductor layer from diffusing into the light emitting region of the active layer during a thermal process for end face disordering. - 特許庁

単一の基板の上に赤色半導体レーザと赤外半導体レーザを配置し、同時に端面窓構造を形成する場合に、赤外半導体レーザの活性層での十分な無秩序化が起きた半導体レーザを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser where sufficient disordering in an active layer of an infrared semiconductor laser occurs when a red semiconductor laser and the infrared semiconductor laser are disposed on a single substrate and an end face window structure is to be formed. - 特許庁

シリコンイオンの注入、及びその後の熱処理により量子井戸構造の活性層を無秩序化して形成された窓構造領域を有する半導体レーザ装置において、窓構造領域１０ａ及びその近傍（上クラッド層９ａ）には転位ループが実質的に存在しない。例文帳に追加

In the semiconductor laser device, having the window structure area formed by making random the active layer of the quantum well structure through the implantation of silicon ions and following heat treatment; no transition loop practically exists in the window structure region 10a and the neighborhood (upper clad layer 9a). - 特許庁

活性層端面領域に不純物を注入してアニールすることにより、量子井戸を無秩序化して窓構造を形成した構成において、端面破壊を生じる光出力が十分高く、しきい値電流の低い高効率な半導体レーザを得る。例文帳に追加

To obtain a highly efficient semiconductor laser having a sufficiently high optical output causing the generation of end-face destruction and reducing a threshold current in constituting disordering quantum wells and forming a window structure by injecting impurities into an active layer end face area and annealing the impurities. - 特許庁

脱臭フィルタは、繊維径５〜３０μｍの繊維で構成された、無秩序な網目構造を持つフィルタに、マンガン酸化物と活性炭とゼオライトとを、４７：２３：１０の重量比で含有してなる脱臭剤を、前記３成分の合計量として、１００〜９００ｇ／ｍ^2担持してなるものである。例文帳に追加

The deodorization filter is composed by depositing a deodorizer containing a manganese oxide, activated carbon and zeolite by the weight ratio of 47:23:10 for 100 to 900 g/m^2 as the total amount of the three components to a filter having a disorderly mesh structure comprising fibers whose fiber diameter is 5 to 30 μm. - 特許庁

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。例文帳に追加

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion. - 特許庁