熱処理欠陥の英語

新たな熱処理プロセスの追加や熱処理条件の変更を行うことなく、エピタキシャル欠陥の発生を低減する。例文帳に追加

To reduce generation of epitaxial defect without addition of new heat treatment process and change in the condition of heat treatment. - 特許庁

また逆に、第２の熱処理用保護膜にクラックやピンホール等の欠陥が発生に対しては第１の熱処理用保護膜で保護する。例文帳に追加

Moreover, inversely, in the case of the generation of a crack, a pin hole, etc. in the second heat treatment protective film, it is protected by the first heat treatment protective film. - 特許庁

ワークに設けた環状の複数の被熱処理領域を簡素な構成で熱処理することが可能で、しかも熱処理欠陥の発生を防止できる熱処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method capable of heat-treating a plurality of circular heat treatment regions provided to a workpiece by a simple structure, and also capable of preventing the generation of heat treatment defect. - 特許庁

熱処理用部材のバルク微小欠陥密度を制御することで、熱処理時における部分的な変形を抑制し、半導体ウエハのスリップの発生を防止できる熱処理用部材、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a member for a heat treatment and its manufacturing method which can reduce partial deformation during a heat treatment process for prevention of slippage of semiconductor wafers by controlling a bulk micro defect density of the component for the heat treatment. - 特許庁

熱処理用保護膜を二重に形成しているので、第１の熱処理用保護膜にクラックやピンホール等の欠陥が発生に対して第２の熱処理用保護膜で保護する。例文帳に追加

Since the heat treatment protective film is formed double in the case of the generation of a crack, a pin hole, etc. in the first heat treating protective film, it is protected by the second heat treatment protective film. - 特許庁

本発明にかかる熱処理用部材は、半導体ウエハの熱処理工程において用いられる熱処理用部材であって、前記部材の内部に、バルク微小欠陥が１０^10個／ｃｍ^3以上の密度をもって形成されている。例文帳に追加

This invention relates to the component for the heat treatment to be used in the heat treatment process of semiconductor wafers, in which bulk microdefect is formed with a density of 10^10 pieces/cm^3 or more. - 特許庁

更に、高温短時間熱処理を行う毎に、個々に電気炉による低温熱処理を行い、高温の熱処理に起因して発生する結晶欠陥を回復させる。例文帳に追加

Furthermore, a low temperature thermal treatment is carried out in an electric oven each time a high-temperature short-time thermal treatment is performed, so that which crystal defects caused by a high- temperature heat treatment are repaired. - 特許庁

半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。例文帳に追加

The evaluating method for the crystal defect of the semiconductor single-crystal substrate is performed at least by detecting the crystal defect obviously developed on the surface of the thermally processed semiconductor single-crystal substrate after thermally processing it under a hydrogen atmosphere at 800 to 1,100°C. - 特許庁