物理的気相成長法の英語

金属基材側ほど金属成分濃度が高く、炭素膜側ほど非金属成分濃度が高くなるような濃度勾配を有する中間層を介して、金属基材上に設けられた炭素膜の製造方法において、該中間層を物理的気相成長法と化学的気相成長法との組み合わせにより調製する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a carbon film provided on a metallic base material via an intermediate layer having the concentration gradient so that the metallic component concentration is higher toward the metallic base material side and the non-metallic component concentration is higher toward the carbon film side, the intermediate layer is prepared by the combination of a physical vapor deposition method with a chemical vapor deposition method. - 特許庁

一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetic thin film capable of performing a regulation at a low temperature rather than a Pt-Fe duality system alloy film, even if any special treatment isn't carried out in physical vapor growth methods for forming general film such as a sputtering method and a deposition method or the like. - 特許庁

半導体装置本体２０に、ＮＯもしくはＮ_2Ｏを含んだガス雰囲気でドリフト層１０表面に窒化処理を行った後、化学的もしくは物理的気相成長法によって、ドリフト層１０表面にゲート絶縁膜５を堆積する。例文帳に追加

A nitriding treatment is conducted on the surface of a drift layer 10 in a gas atmosphere containing NO or N_2O in a semiconductor device body 20, and the gate insulating film 5 is deposited on the surface of the drift layer 10 by a chemical or physical vapor-growth method. - 特許庁

本発明の目的は、耐熱被覆皮膜を形成する蒸着材料の融点を向上することにあり、更に、蒸着時の耐熱衝撃性、溶融層安定性に優れた新規な物理的気相成長法によるセラミックスコーティング用インゴット及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To improve the melting point of a vapor deposition material forming a heat resistant coating film, further, to provide an ingot for ceramic coating by a new physical vapor growth method excellent in thermal impact resistance and molten layer stability on vapor deposition, and to provide a production method therefor. - 特許庁

基板１０２上に、物理的気相成長法によって非晶質シリコン膜１０４を成膜し、窓１０８を持つ二酸化シリコン層１０６を非晶質シリコン膜１０４上に堆積した後、非晶質シリコン膜１０４に金属触媒を導入する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 104 is formed on a substrate 102 by physical vapor deposition and after a silicon dioxide layer 106 having a window 108 is deposited on the amorphous silicon film 104, a metallic catalyst is introduced into the amorphous silicon film 104. - 特許庁

よって、薄膜トランジスタの製造方法では、基板を準備し、所定の不純物を含むシリコンターゲットを形成し、そのターゲットから物理的気相成長法によってアモルファスシリコン層を堆積し、そのアモルファスシリコン層を結晶化することによって、閾値電圧を制御した薄膜トランジスタを得ることができる。例文帳に追加

In a method of manufacturing thin film transistor, the thin film transistor having a controlled threshold voltage can be obtained by preparing a substrate and forming the silicon target containing the impurity, and then, causing an amorphous silicon layer to deposit from the target by the physical vapor growth method and crystallizing the amorphous silicon layer. - 特許庁