界面転位の英語

同種の半導体ウェハを互いの方位をずらして貼り合わせることにより、その貼合せ界面に微細構造としての転位構造を形成する。例文帳に追加

Semiconductor wafers of the same type are bonded to each other, while shifting their directions for forming a transposed structure as a fine structure, in the bonded interface. - 特許庁

ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。例文帳に追加

Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface. - 特許庁

特に、固液界面の高さが、単結晶棒の直胴部の直径に対して−１２．５％〜５％の範囲となるように固液界面の高さを制御すると、単結晶棒の無転位化率を高くすることができる。例文帳に追加

In particular, the non dislocation rate of the single crystal rod can be heightened, provided that the height of the solid-liquid interface is controlled in the range of -12.5-5% for a diameter of the cylindrical part of the single crystal rod. - 特許庁

第１のコンセプトは、歪み界面を用いることによってＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層から発生した転位を停止し、転位の上方への伝搬を終端することである。例文帳に追加

The first concept employs a strained interface to stop the dislocation arising from the GeSi1-X/Ge epitaxial layer, thus terminating the dislocation from propagating upwards. - 特許庁

結晶層４と下地基板３との界面には多数の微細な空隙５を介在することになるが、該空隙５の存在により、下地基板３からの転位の伝搬が抑制されるので、結晶層４の転位密度は低下する。例文帳に追加

Although many minute airspaces 5 are interposed at the interface of the crystal layer 4 and a base substrate 3, since the transmission of transposition from the base substrate 3 is controlled by the existence of the air spaces 5, the transposition density of the crystal layer 4 is reduced. - 特許庁

このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。例文帳に追加

In the interface structure, even when dislocation originally present in the grown base layer 2 or dislocation d newly generated in the interface penetrates in the crystal to reach a side face 2S of an island-like crystal 2I, the dislocation d is terminated denoted by t on the side face because of the presence of a vacancy 5 and does not propagate to the crystal layer 4. - 特許庁

水溶性相転位物質粒子界面が有機系又はフロン系マイクロカプセル化剤でマイクロカプセル化されたマイクロカプセル化水溶性相転位物質粒子のフロン系溶媒に分散液に、フッ素系界面活性剤および含酸素有機化合物を添加することにより、フロン系溶媒中でマイクロカプセル化水溶性相転位物質粒子を安定化させる。例文帳に追加

The interface between the water-soluble phase transition material particle and the chlorofluorocarbon solvent stabilizes the microcapsulated water-soluble phase transition material particle in the chlorofluorocarbon solvent by adding a fluorocarbon surfactant and an oxygen-containing organic compound in the dispersion liquid of the microcapsulated water-soluble phase transition material particle, which is microcapsulated by using an organic or chlorofluorocarbon-based microcapsulating agent, in the chlorofluorocarbon solvent. - 特許庁

引上げ結晶の固液界面近傍を加熱体９により強制加熱することにより、強制冷却による固液界面近傍での熱応力増大に起因する結晶の割れや有転位化を防止し、歩留りを改善する。例文帳に追加

The vicinity of the solid-liquid interface of the pulled crystal is forcibly heated by the heater 9, thus the cracking of the crystal or the formation of dislocation thereof which is caused by the increase of thermal stress in the vicinity of the solid-liquid interface due to forcible cooling is prevented, so that the yield of the crystal is improved. - 特許庁