interface dislocationとは 意味・読み方・使い方

A misfit dislocation density at an interface 27a is lower than a misfit dislocation density at an interface 27b.例文帳に追加

界面２７ａにおけるミスフィット転位密度は界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度より低い。 - 特許庁

The first concept employs a strained interface to stop the dislocation arising from the GeSi1-X/Ge epitaxial layer, thus terminating the dislocation from propagating upwards.例文帳に追加

第１のコンセプトは、歪み界面を用いることによってＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層から発生した転位を停止し、転位の上方への伝搬を終端することである。 - 特許庁

Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.例文帳に追加

ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.例文帳に追加

したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁

In the interface structure, even when dislocation originally present in the grown base layer 2 or dislocation d newly generated in the interface penetrates in the crystal to reach a side face 2S of an island-like crystal 2I, the dislocation d is terminated denoted by t on the side face because of the presence of a vacancy 5 and does not propagate to the crystal layer 4.例文帳に追加

このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a junction leak current is suppressed to a minimum by relaxing through dislocation 6 even when the dislocation occurs from the interface of an SiGe layer 2 and a silicon wafer 1.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層２とシリコン基板１との界面から貫通転位６が発生したとしても、それを緩和させて、接合リーク電流を最小限に止めることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁