「interface dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a junction leak current is suppressed to a minimum by relaxing through dislocation 6 even when the dislocation occurs from the interface of an SiGe layer 2 and a silicon wafer 1.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層２とシリコン基板１との界面から貫通転位６が発生したとしても、それを緩和させて、接合リーク電流を最小限に止めることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Consequently, strained stress caused in the interface between the buried silicon oxide film 12 and the bulk layer 14 can be reduced, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To efficiently manufacture a SIMOX substrate which has little defect such as threading dislocation, has a highly safe SOI layer, and has a surface and an interface of high flatness.例文帳に追加

貫通転位などの欠陥が少なく、完全性の高いＳＯＩ層を有し、かつ、平坦度の高い表面及び界面を有するＳＩＭＯＸ基板を効率良く製造する。 - 特許庁

To prevent dislocation of alignment against force of the interaction of a magnetic field of a superconducting magnet and a cryocooler, and to guarantee excellent thermal contact in a thermal interface of the cryocooler.例文帳に追加

超伝導マグネットの磁場とクライオクーラとの相互作用の力に抗してアラインメントのずれを防止し、かつクライオクーラの熱界面（５０）において良好な熱的接触を保証する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is less deteriorated in characteristics over aging and where dislocation is prevented from occurring in an interface between a substrate and a selectively grown multi-quantum well layer.例文帳に追加

基板と選択成長した多重量子井戸層の界面における転位の発生が防止され，経時変化に対する特性劣化が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide both a method for producing a semiconductor crystal by which the slip dislocation is scarcely caused and the semiconductor crystal having a convex solid-liquid interface can be grown and an apparatus for producing the semiconductor crystal.例文帳に追加

スリップ転移が発生しにくく、固液界面が凸状の半導体結晶を成長させることのできる半導体結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an nitride semiconductor thin film which satisfies sufficiently low dislocation density, homogeneity over a wide surface area, manufacturing process convenience, and economy, and which also has high resistance in the vicinity of a substrate interface.例文帳に追加

十分に低い転位密度、広い面積にわたっての均質性、作製プロセスの簡便さ、経済性を満足し、基板界面付近が高抵抗の窒化物半導体薄膜を得る。 - 特許庁

To obtain a high quality SiGe crystal by suppressing dislocation in the vicinity of the oxide film interface of an SiGe layer and to enable the sufficient lattice relaxation of the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層の酸化膜界面近傍における転位の発生を抑制して高品質のＳｉＧｅ結晶を得ることができ、且つＳｉＧｅ層の十分な格子緩和をはかる。 - 特許庁

The device includes a stress receiving layer provided on a stress inducing layer via a material at an interface between the layers, which reduces the occurrence and propagation of misfit dislocation in the structure.例文帳に追加

本デバイスは、構造体におけるミスフィット転位の発生及び伝播を減少させる層間の界面の材料を介して応力誘発層の上に設けられる応力受容層を含む。 - 特許庁

After the solid-phase joint, the substrate 2 is polished to a thin one, to provide an electrical joint in a microregion where an interface dislocation is brought about to the surface of the thin substrate.例文帳に追加

固相接合後、基板２を薄片化研磨して薄片化基板にし、薄片化基板の表面まで界面転位をもたらした微小領域での電気的接合を実現する。 - 特許庁

To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。 - 特許庁

The vicinity of the solid-liquid interface of the pulled crystal is forcibly heated by the heater 9, thus the cracking of the crystal or the formation of dislocation thereof which is caused by the increase of thermal stress in the vicinity of the solid-liquid interface due to forcible cooling is prevented, so that the yield of the crystal is improved.例文帳に追加

引上げ結晶の固液界面近傍を加熱体９により強制加熱することにより、強制冷却による固液界面近傍での熱応力増大に起因する結晶の割れや有転位化を防止し、歩留りを改善する。 - 特許庁

To grow a single crystal having a low dislocation density in a good yield by preventing that the solid-liquid interface becomes a shape recessed to the melt side when the single crystal is grown by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いるに当たり、固液界面の形状が融液側に凹面になってしまうのを抑制することにより、転位密度の低い単結晶を歩留まり良く育成する。 - 特許庁

In this case, a dislocation defect density existing in an interface between at least any one of the first and second Fe(001) layers and the single crystal MgO(001) is 25-50 pcs./μm or low.例文帳に追加

この際、第１あるいは第２のうち少なくともいずれか一方のＦｅ（００１）層と単結晶ＭｇＯ（００１）との間の界面に存在する転位欠陥の密度が２５〜５０個／μｍ以下である。 - 特許庁

The gettering region 165, 165' includes a plurality of gettering sites 170, 170', and at least one gettering site includes one of a precipitate, a dispersoid, an interface with the dispersoid, a stacking fault and a dislocation.例文帳に追加

ゲッタリング領域１６５，１６５´は、複数のゲッタリングサイト１７０、１７０´を含み、少なくとも一つのゲッタリングサイトは、沈殿物、分散質、前記分散質との界面、積層欠陥及び転移のうち一つを含む。 - 特許庁

To provide an SIMOX substrate wherein strained stress caused in an interface between a partially buried insulation film and a bulk layer is reduced to suppress the occurrence of dislocation due to the strained stress, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じた歪み応力を低減し、この歪み応力による転位の発生を抑制するＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics.例文帳に追加

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that, when a hetero interface is formed between materials having different lattice constants or large physical properties, various kinds of defects typified by the misfit dislocation, lattice vacancy, etc., are formed in the interface and the sheet resistivity is raised by electron scattering, resulting in the sensitivity drop and deterioration in characteristics of a Hall element.例文帳に追加

格子定数差を持つ材料間で、または物性が大きく異なる材料間でヘテロ界面を形成した場合、界面にはミスフィット転移や格子空孔などに代表される種々の欠陥が形成され、電子散乱によりシート抵抗値は上昇し、ホール素子の感度の低下を導き、特性の劣化を引き起こす。 - 特許庁

In particular, the non dislocation rate of the single crystal rod can be heightened, provided that the height of the solid-liquid interface is controlled in the range of -12.5-5% for a diameter of the cylindrical part of the single crystal rod.例文帳に追加

特に、固液界面の高さが、単結晶棒の直胴部の直径に対して−１２．５％〜５％の範囲となるように固液界面の高さを制御すると、単結晶棒の無転位化率を高くすることができる。 - 特許庁

A substrate surface 2 is irradiated with an electron beam 1 and has intensity for generating dislocation inside the substrate, and a range that is longer than the depth from the substrate surface 2 at the interface of two parts having different temperatures, in which a crystal defect begins to be generated in the depthwise direction of the substrate; and cracks with dislocation as a starting point are generated and form a cleavage plane 5, and the substrate is divided.例文帳に追加

基板表面２に、その強さが基板の内部に転位を生じさせる強さであり、またその飛程が基板の深さ方向において結晶欠陥が生じ始める、温度が異なる２つの部分の界面の基板表面２からの深さよりも長い電子ビーム１を照射し、転位を起点としたクラックを発生させて劈開面５を形成し、基板を分割する。 - 特許庁

A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized.例文帳に追加

格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。 - 特許庁

In a semiconductor substrate where an SiGe layer 2 is formed on an Si substrate 1, a crystal defect region 6 or a structure region 6a for facilitating generation or concentration of dislocation is formed on the interface of the Si substrate 1 and the SiGe layer 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅ層２が積層された半導体基板において、Ｓｉ基板１とＳｉＧｅ層２との界面に、転位を発生あるいは集中し易くするための結晶欠陥領域６あるいは構造領域６ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a method for bonding ceramics substrates without dislocation of the substrates, without protruding an adhesive of the substrates and without generating bubbles on the interface, and to provide a bonding jig used for the method.例文帳に追加

複数のセラミックス基板を相互に接着するさいに、基板相互の位置ずれを生じさせず、接着剤がセラミックス基板の周囲からはみ出すことなく、接着面に気泡を残留させないセラミックス基板の接着方法およびその方法に用いられる接着治具を得ること。 - 特許庁

To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁

In order to improve the quality of the laminated layer structure with respect to the surface roughness and dislocation density, the composition parameter at the interface between the layer in the stack 5 with the gradient composition and the subsequent layer in the stack is chosen to be smaller than the composition parameter (1-xg) of the layer with a gradient composition.例文帳に追加

表面粗さと転位密度に関して積層層構造１の品質を改善するため、スタック５内の勾配組成を有する層と後続層との界面で、組成パラメータが、勾配組成を有する層側の組成パラメータ（１−ｘ_ｇ）よりも小さくなるように選択される。 - 特許庁

A growth suppression film 104 is formed on an n-GaN layer 103, an InGaN re-grown layer 105 is formed from a part, where the growth suppressing film 104 is not formed, thereby lessening the dislocation propagating from the substrate interface and improving the characteristics of a light-emitting element formed thereon.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ層１０３の上に成長抑制膜１０４を形成し、成長抑制膜１０４の形成されていない部分からＩｎＧａＮ再成長層１０５を形成することによって、基板界面から伝搬する転位を減少させ、その上に作成した発光素子の特性を向上させる。 - 特許庁