界面障壁の英語

ゲート電極のドレイン端と歪み印加層３のドレイン端Ｐ_1との、キャリア走行層１と障壁層２との第１界面２１と平行な距離Ｗ_1が、障壁層２の膜厚ｄ_1の５倍以内である。例文帳に追加

A distance W_1 between the drain end of the gate electrode and the drain end P_1 of the strain applying layer 3 parallel to a first interface 21 between the carrier travelling layer 1 and the barrier layer 2 falls within 5 times the film thickness d_1 of the barrier layer 2. - 特許庁

基板11上に形成されたGaNからなる動作層12の上に、Al_xGa_(1-x)N(0＜x≦1)からなる障壁層13が積層されており、動作層12と障壁層13とからヘテロ接合界面が形成されている。例文帳に追加

A barrier layer 13 formed of Al_xGa_(1-x)N (0<x≤1) is laminated on an operating layer 12 composed of GaN formed on a substrate 11, and a hetero-junction interface is formed of the operating layer 12 and the barrier layer 13. - 特許庁

界面のイオン輸送障壁層によってイオンの逆流を防ぐことができ不揮発性メモリとして機能する。例文帳に追加

This structure functions as a nonvolatile memory which can prevent a back flow of ions by an ion transfer barrier layer of an interface. - 特許庁

熱処理により、銅配線パターンと絶縁性拡散障壁膜との界面に、金属元素の濃集領域４９Ｄを形成する。例文帳に追加

An accumulation region 49D of a metal element is formed on the interface between the Cu wiring pattern and the insulating diffusion barrier film by heat treatment. - 特許庁

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。例文帳に追加

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light. - 特許庁

積層構造を有する有機化合物層において、その界面に生じるエネルギー障壁を緩和する構造を有する発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting device which has a structure of alleviating energy barrier generated in the interface of an organic compound layer having a laminated structure. - 特許庁

かかる構造とすることにより、再成長界面での電位障壁が低減され、窒化物半導体素子の電気的特性が向上する。例文帳に追加

Owing to the structure, the potential barrier in the re-growth interface is reduced so as to improve the electrical characteristics of the nitride semiconductor device. - 特許庁

接触層と電極との界面にショットキー障壁が形成されるのを抑制可能な窒化物系半導体発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element capable of suppressing formation of Schottky barriers on interfaces between contact layers and electrodes. - 特許庁