硼化チタンの英語

チタン（Ｔｉ）が介在することにより、基板１への硼化ジルコニウム・チタン層２の成長性および硼化ジルコニウム・チタン層２への窒化ガリウム系化合物半導体の成長性が改善される。例文帳に追加

Thus, it is possible to improve the growth property of the zirconium boride titanium layer 2 to the substrate 1, and the growth boride of a gallium nitride system compound semiconductor to the zirconium boride titanium layer 2 by interposing titanium (Ti). - 特許庁

二硼化チタンと窒化ホウ素を必須成分とするセラミックス焼結体を生産性を高めて製造する。例文帳に追加

To manufacture a ceramic sintered compact containing titanium diboride and boron nitride as essential ingredients by increasing productivity. - 特許庁

二硼化チタンと、窒化硼素と、ストロンチウム化合物と、アルミニウム化合物とを含むものにおいて、更に０．１〜８．５質量％の炭窒化チタンを含有してなるセラミックス焼結体。例文帳に追加

The ceramic sintered compact containing titanium diboride, boron nitride, a strontium compound and an aluminum compound further contains 0.1-8.5 mass% titanium carbonitride. - 特許庁

０．２〜７．５質量％の酸化ストロンチウムと０．８質量％以下（０は含まない）の酸化硼素とを含み、二硼化チタン及び窒化硼素を主成分とする相対密度が９０％以上のセラミックス。例文帳に追加

The ceramic contains 0.2 to 7.5 mass% strontium oxide and ≤0.8 mass% (not including 0%) boron oxide, comprises titanium diborate and boron nitride as main components and has ≥90% relative density. - 特許庁

窒化チタンを主成分とし、酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムの少なくともいずれか１種と、硼素と、硼化チタンとを含む装飾部品用セラミックスである。例文帳に追加

The ceramics for an ornamental piece include titanium nitride as a main component, at least either one of zirconium oxide and aluminum oxide, boron and titanium boride. - 特許庁

二硼化チタン、窒化硼素を主成分とし、粒界相にアルミン酸カルシウム及び窒化チタンの結晶が存在しており、相対密度が９０％以上であることを特徴とするセラミックス。例文帳に追加

The ceramics consist essentially of titanium diborate and boron nitride, has the crystal of calcium aluminate and titanium nitride existing in a grain boundary phase and has ≥90% relative density. - 特許庁

ヘッド１の材料として、ＴｉＡｌに第３成分（元素）としてＴｉＮ（窒化チタン）、ＴｉＢ_2 （硼化チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｂ（硼素）またはＨｆ（ハフニウム）を添加した合金を用いている。例文帳に追加

An alloy is used as the material of a head 1, where the alloy is obtained by adding, as a third constituent (element), TiN(titanium nitride), TiB2(titanium boride), Cr(chrome), W(tungsten), Mo(molybdenum), B(boron), or Hf(hafnium) to TiAl. - 特許庁

チタン（Ｔｉ）を主体とする電界放射型素子ＦＥＤの電界放射冷陰極電子源に酸化硼素（Ｂ_２Ｏ_３）または硼素（Ｂ）と白金（Ｐｔ）チタン（Ｔｉ）からなる表面層を形成する冷陰極装置および製造方法。例文帳に追加

In a cold cathode device, a surface layer comprised of a boron oxide (B_2O_3) or boron(B), platinum(Pt) and titanium(Ti) is formed on a field emission cold-cathode electron source of a field emission element FED mainly comprised of titanium(Ti). - 特許庁