硼化ジルコニウムの英語

多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜と下地膜との間の密着性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a semiconductor device having improved reliability in the semiconductor device by improving adhesion between a zirconium boronitride film and an underlayer film in a multilayer interconnection structure. - 特許庁

基板１の主面１ａ上にＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＢ_２（ただし、０＜ｘ≦１）から成る層である硼化ジルコニウム・チタン層２をエピタキシャル成長して新たな表面２ａを（０００１）面とした単結晶基板である。例文帳に追加

This single crystal substrate is configured by forming a new surface 2a as a (0001) face by carrying out the epitaxial growth of a zirconium boride titanium layer 2 constituted of Zr_1-xTi_xB_2(0<x≤1) on the main surface 1a of a substrate 1. - 特許庁

酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バリウム、酸化トリウム、硼化ランタンからなる群のうちの１種又は２種以上を重量比で０．１〜４％含有させておくのが好ましい。例文帳に追加

It is desirable that 0.1-4% by weight ratio of one kind or two kinds or more are contained out of groups made of lanthanum trioxide, yttrium oxide, cerium oxide, strontium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, barium oxide, thorium dioxide, and lanthanum boride. - 特許庁

そして、この表面処理が基板Ｓに施された後、基板Ｓの表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４と励起状態の窒素とが供給されて、第１メタルキャップ膜ＭＣ１及び第２メタルキャップ膜ＭＣ２である硼窒化ジルコニウム膜が成膜される。例文帳に追加

Then, the substrate S is subjected to surface treatment before Zr(BH_4)_4 and nitrogen in an excitation state are supplied to the surface of the substrate S, thus forming the zirconium boronitride films, namely the first and second metal cap films MC1, MC2. - 特許庁

二硼化チタン（ＴｉＢ_２）及び／又は二硼化ジルコニウム（ＺｒＢ_２）と、窒化硼素（ＢＮ）と、必要に応じて窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とを含有してなるセラミックス焼結体であって、これらの成分から選ばれた少なくとも一種の成分の濃度が、厚み方向において、有位に異なっている部分があることを特徴とするセラミックス焼結体。例文帳に追加

and has a part where the concentration of at least one kind selected from these components is significantly different in the thickness direction. - 特許庁

電極の材質は、タングステンもしくはモリブデン又はこれらに０．０５〜１ｗｔ％のニッケル、及び、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バリウム、酸化トリウム、硼化ランタンからなる群のうちの１種又は２種以上を０．１〜４ｗｔ％添加した材料が好ましい。例文帳に追加

As the material for the electrode, it is preferable to use tungsten, molybdenum, or the same including nickel by 0.05-1 wt.% and at least one or more of compounds chosen from lanthanum oxide, yttrium oxide, cerium oxide, strontium oxide, calcium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, barium oxide, thorium oxide, or lanthanum boride by 0.1-4 wt.%. - 特許庁

０．０５〜０．３重量％のジルコニウム、および結晶粒微細化のための、１〜２５０ｐｐｍのリンに相当する量のガリウム燐化物および／またはインジウム燐化物、および／または１〜２重量％のＴｉおよび１〜２重量％のＢを有するアルミニウム母合金によって加えられるチタンおよび硼素を含んでもよい。例文帳に追加

The cast alloy can comprise 0.05 to 0.3% zirconium, gallium phosphide and/or indium phosphide in an amount equal to 1 to 250 ppm of phosphorus, and/or titanium and boron added by an aluminum master alloy comprising 1 to 2% Ti and 1 to 2% B for refining crystal grains. - 特許庁

アルミニウム支持体上に、１）ベリリウム、マグネシウム、アルミニウム、珪素、チタン、硼素、ゲルマニウム、スズ、ジルコニウム、鉄、バナジウム、アンチモンおよび遷移金属から選択される少なくとも一つの元素の酸化物または水酸化物のコロイド、および、光熱変換剤を含有する親水層、さらにその上に、２）感熱層を有する平版印刷用原板。例文帳に追加

The lithographic printing original plate has a hydrophilic layer including a colloidal oxide or hydroxide of at least one chemical element selected from the group consisting of berylium, magnesium, aluminum, silicon, titanium, boron, germanium, tin, zirconium, iron, vanadium, antimony and transition metals and a photothermic conversion agent and further a heat sensitive layer on the hydrophilic layer. - 特許庁