窒化チタン薄膜の英語

蒸気圧の低い液体原料について高速成膜処理が可能であって、チタニア，ジルコンなどの金属酸化物薄膜、窒化ケイ素，窒化チタンなどの金属窒化物薄膜、アルミニウム，チタンなどの金属薄膜を高速に成膜できるプラズマ成膜装置を得ること。例文帳に追加

To provide a plasma film-forming apparatus, which enables rapid film formation even when using a liquid raw material with low vapor pressure, and rapidly can form a metal oxide thin-film such as titania and zircon, a metal nitride thin-film such as silicon nitride and titanium nitride, and a metal thin-film such as aluminum and titanium. - 特許庁

コンタクトホール２１の内壁および底面と絶縁膜上に、ＴｉＮ−Ｔｉ混合薄膜（窒化チタンとチタンとの混合組成の薄膜）３を形成する。例文帳に追加

A TiN-Ti mixed thin film 3 (thin film of mixed composition of titanium nitride and titanium) is formed on the inner wall and bottom of a contact hole 21 and the surface of an insulating film 2. - 特許庁

本発明は、材料本来の物性を発現できる高い硬度を有する窒化チタン薄膜を経済性のよい真空度において密着性を高くして金属材料表面上に形成できる窒化チタン薄膜形成方法及び該方法に従って形成した窒化チタン薄膜を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for forming a titanium nitride thin film capable of forming a titanium nitride thin film having high hardness and capable of exhibiting the intrinsic physical properties characteristic of the material on the surface of a metallic material with increased adhesion in an economical vacuum and to provide a titanium nitride thin film formed in accordance with this method. - 特許庁

ＣｏＳｉ層を薄膜化せず、窒化チタン膜を除去することができる半導体素子の製造方法及びエッチング液。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an etchant capable of removing a titanium nitride film without making a CoSi film thin. - 特許庁

酸化チタン薄膜２は、窒素とハロゲンを含むとともに、その厚さが２ｎｍ以上１００ｎｍ以下に調整されている。例文帳に追加

The titanium oxide thin film 2 contains nitrogen and halogen and has 2-100 nm adjusted thickness. - 特許庁

少なくとも１個のミラーは部分的に反射性であり且つ窒化チタン薄膜を付着形成することにより形成される。例文帳に追加

At least one mirror is partially reflective and is formed by depositing a thin film of titanium nitride. - 特許庁

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。例文帳に追加

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher. - 特許庁

薄膜抵抗体、 前記薄膜抵抗体の第一端部に結合した第一電気的界面部分、及び 前記薄膜抵抗体の第二端部に結合した第二電気的界面部分、を具え、然も、前記第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分が、チタン（Ｔｉ）の層及び窒化チタン（ＴｉＮ）の層から形成されている、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体。例文帳に追加

A thin film resistor TFR structure comprises a TFR; a first electrical interface portion coupled to a first end of the TFR; and a second electrical interface portion coupled to a second end of the TFR, the first electrical interface portion and the second electrical interface portion being formed of a layer of titanium Ti and a layer of titanium nitride TiN. - 特許庁