窒化チタン薄膜の英語

コンタクトホール２１の内壁および底面と絶縁膜上に、ＴｉＮ−Ｔｉ混合薄膜（窒化チタンとチタンとの混合組成の薄膜）３を形成する。例文帳に追加

A TiN-Ti mixed thin film 3 (thin film of mixed composition of titanium nitride and titanium) is formed on the inner wall and bottom of a contact hole 21 and the surface of an insulating film 2. - 特許庁

触媒窒素ドープ酸化チタン薄膜を低温プロセスで高速かつ安価に成膜する。例文帳に追加

To deposit a photocatalytic nitrogen-doped titanium oxide thin film by a low-temperature process at high speed and at a low cost. - 特許庁

本発明は、材料本来の物性を発現できる高い硬度を有する窒化チタン薄膜を経済性のよい真空度において密着性を高くして金属材料表面上に形成できる窒化チタン薄膜形成方法及び該方法に従って形成した窒化チタン薄膜を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for forming a titanium nitride thin film capable of forming a titanium nitride thin film having high hardness and capable of exhibiting the intrinsic physical properties characteristic of the material on the surface of a metallic material with increased adhesion in an economical vacuum and to provide a titanium nitride thin film formed in accordance with this method. - 特許庁

ＣｏＳｉ層を薄膜化せず、窒化チタン膜を除去することができる半導体素子の製造方法及びエッチング液。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an etchant capable of removing a titanium nitride film without making a CoSi film thin. - 特許庁

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。例文帳に追加

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher. - 特許庁

酸化チタン薄膜２は、窒素とハロゲンを含むとともに、その厚さが２ｎｍ以上１００ｎｍ以下に調整されている。例文帳に追加

The titanium oxide thin film 2 contains nitrogen and halogen and has 2-100 nm adjusted thickness. - 特許庁

少なくとも１個のミラーは部分的に反射性であり且つ窒化チタン薄膜を付着形成することにより形成される。例文帳に追加

At least one mirror is partially reflective and is formed by depositing a thin film of titanium nitride. - 特許庁

少なくとも窒素元素を含む一定ガス圧力の雰囲気中で、レーザー光をパルス状にチタン酸化物焼結物に照射し、該チタン酸化物と対抗する位置に配した基板上に、部分窒化チタン酸化物薄膜を製膜する。例文帳に追加

A titanium oxide sintered material is irradiated with pulsed laser light in an atmosphere including at least a nitrogen element at constant gas pressure so as to form a partially nitrided titanium oxide thin film on a substrate placed at a position opposing to the titanium oxide material. - 特許庁