CoSiとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an etchant capable of removing a titanium nitride film without making a CoSi film thin.例文帳に追加

ＣｏＳｉ層を薄膜化せず、窒化チタン膜を除去することができる半導体素子の製造方法及びエッチング液。 - 特許庁

Then a CoSi_2 layer is formed by reacting the CoSi layer with the gate electrode and the semiconductor regions through a second anneal processing.例文帳に追加

そして、第２のアニール処理を行ってＣｏＳｉ層をゲート電極および半導体領域と反応させてＣｏＳｉ_2層を形成する。 - 特許庁

A Co2Si film 11 is formed on the surfaces of an N (P)-type gate silicon layer 5 (6) and an N (P)-type diffusion layer 8 (9) through high-temperature sputtering the Co2Si film 11 is turned into a CoSi film 12, and furthermore the CoSi film 12 is turned into a CoSi2 film 13 by a thermal treatment.例文帳に追加

そして、高温スパッタリングでＮ（Ｐ）型ゲートシリコン層５（６）、Ｎ（Ｐ）型拡散層８（９）表面にＣｏ_2 Ｓｉ膜を成膜し、熱処理でＣｏ_2 Ｓｉ膜１１をＣｏＳｉ膜１２に更にＣｏＳｉ膜１２をＣｏＳｉ_2 膜１３に変換する。 - 特許庁

In an NPN region 14 of the semiconductor device, surface layers of N+ and P+ regions 24 and 48 are silicided for example, as a silicide layer 70 of CoSi, while surface layers of P+ and N+ regions 32 and 44 are silicided for example, as, a silicide layer 70 of CoSi.例文帳に追加

本半導体装置のＮＰＮ領域１４では、Ｎ^+領域２４及びＰ^+ 領域４８の表層がシリサイド化され、例えばＣｏＳｉからなるシリサイド層７０が形成されており、Ｖ−ＰＮＰ領域１６では、Ｐ^+ 領域３２及びＮ^+ 領域４４の表層がシリサイド化され、例えばＣｏＳｉからなるシリサイド層７０が形成されている。 - 特許庁

Then the titanium nitride film and an unreacted cobalt film are removed by a first wet rinsing processing to leave the CoSi layer on the gate electrode and the semiconductor regions.例文帳に追加

それから、第１のウェット洗浄処理を行って窒化チタン膜および未反応のコバルト膜を除去し、ゲート電極および半導体領域上にＣｏＳｉ層を残存させる。 - 特許庁

The bit line 16 is formed as a polysilicon layer 32 and a CoSi layer 34 laminated thereon while provided with a sidewall 36 made of another insulating film such as SiN on the side.例文帳に追加

ビッド線は、ポリシリコン層３２とポリシリコン層３２上に積層されたＣｏＳｉ層３４の積層構造として形成され、側面にＳｉＮ等の絶縁膜からなるサイドウォール３６を備えている。 - 特許庁

A chemical compound film 8 is composed of ErSi, PtSi and TiSi or NiSi films, for example, and a chemical compound film 9 is composed of NiSi and CoSi or TiSi films, for example.例文帳に追加

化合物膜８は、例えばＥｒＳｉ、ＰｔＳｉ、ＴｉＳｉ又はＮｉＳｉ膜等からなり、化合物膜９は、例えばＮｉＳｉ膜、ＣｏＳｉ膜又はＴｉＳｉ膜等からなる。 - 特許庁