第iii族の英語

To provide a method for producing a stable colloidal solution in which oxide crystal grains of a group III element having 1-20 nm size are uniformly dispersed.例文帳に追加

１〜２０ｎｍサイズの第III族元素の酸化物結晶粒子が均一に分散されてなる、安定なコロイド液を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

A compound of a group III element of the Periodic Table is dissolved in an alcohol solution, and after or during a heating step, water is added (preferably water and a base are simultaneously or successively added) to produce the objective oxide nano-crystal grains of the group III element.例文帳に追加

周期律表の第III族元素の化合物をアルコール溶液に溶解し、加熱工程の後あるいは加熱工程中に、水を添加（好ましくは水と塩基を同時あるいは逐次に添加）することで第III族元素の酸化物ナノ結晶粒子を製造する。 - 特許庁

Finally, at least one metal selected from a group consisting of group III elements and group IV elements, preferably indium and tin, is incorporated, as required, into the catalyst.例文帳に追加

最後に、場合によっては、触媒は、その他に元素周期表の第III族および第IV族の元素、好ましくはインジウムおよびスズからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属を含む。 - 特許庁

To provide methods and apparatus that are optimized for producing Group III-N (nitrogen) compound semiconductor wafers, particularly for producing GaN wafers.例文帳に追加

本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。 - 特許庁

To provide a process for producing III-N layer, wherein III denotes at least one element from group III of the periodic table selected from among Al, Ga and In, having suitable properties which is substantially free of impurities from uncontrolled incorporation, and to provide a free-standing III-N substrate.例文帳に追加

実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。 - 特許庁

In particular, the invention provides apparatus and methods for limiting deposition/condensation of GaCl_3 and reaction by-products on an isolation valve that is used in the system, and a method for forming a monocrystalline Group III-V semiconductor material by reacting an amount of a gaseous Group III precursor as one reactant with an amount of a gaseous Group V component as another reactant in a reaction chamber.例文帳に追加

特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ_3及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The catalyst uses a salt and a complex of a rare earth metal and organic and/or inorganic compounds of the group III metals in the Mendeleev's element periodic law table except cerium, a cerium compound and a lanthanum hydroxide, as a catalyst for transesterification in the manufacture of an aliphatic origocarbonate having a molecular weight of 500-5,000 from an aliphatic polyol and an organic carbonate.例文帳に追加

脂肪族ポリオールと有機カーボネートからの分子量５００〜５０００を有する脂肪族オリゴカーボネートの調製におけるエステル交換反応触媒としての、セリウム、セリウム化合物およびランタンヒドロキシドを除く、希土類金属およびメンデレーエフの元素周期表の第III族金属の有機および／または無機化合物、塩および錯体の使用。 - 特許庁