純炭ベースの英語

これにより、ベース層中の水素を放散させ、かつベース中の不純物である炭素を活性化させることができる。例文帳に追加

Thus, the hydrogen in the base layer is diffused, and the carbon of the impurity in the base can be made active. - 特許庁

ベース層にｐ型不純物である炭素を高濃度ドーピングし、かつ電流利得を高くする。例文帳に追加

To dope a base layer with carbon which is p-type impurities with a high concentration and to improve a current gain. - 特許庁

不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部のエッチングを抑制し、ソース・ベース共通電極とベースコンタクト部とが、抵抗率の低いオーミックコンタクトとなる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a silicon carbide semiconductor device in which the problems of aggregation of impurities, and the like, are eliminated in a silicon carbide layer, etching of a base contact portion is suppressed in activated annealing, or the like, and low resistivity ohmic contact is established between the source-base common electrode and the base contact portion. - 特許庁

エミッタ領域とベース領域の界面は、酸素不純物と、フッ素不純物および炭素不純物から成るグループから選ばれた少なくとも１つの不純物とを含む損傷領域１６Ａをエミツタ開口のベースを含む層１６に形成することにより、バイポーラ・トランジスタの性能を改善する。例文帳に追加

A damaged region 16A that includes an oxygen impurity and at least one impurity selected from a group consisting of a fluorine impurity and a carbon impurity is formed in a layer 16 that includes a base of an emitter aperture at an interface between the emitter region and the base region, thus the performance of the bipolar transistor being enhanced. - 特許庁

ｐ型ベース領域３の間のＪ−ＦＥＴ部６及び表面チャネル層５に炭素（Ｃ）等の不純物とならないイオン種をイオン注入する。例文帳に追加

Ion seeds such as carbon(C) or the like which never becomes impurities are implanted into a J-FET part 6 and a surface channel layer 5 between P-type base regions 3. - 特許庁

ベース層へｐ型不純物として添加した炭素の活性化率の高いヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer for a hetero bipolar transistor, in which the activation rate of carbon added to a base layer as a p-type impurity is high. - 特許庁

その結果、ベース領域中の不純物の拡散が炭素を含有した半導体領域によって抑えられ、また、多結晶ＳｉＧｅ３０の下部に高抵抗の炭素を含有した半導体領域が形成されず、素子の特性が良くなる。例文帳に追加

As a result, characteristics of element can be improved because diffusion of impurity in the base region is controlled with the semiconductor region including carbon, and the semiconductor region including carbon having higher resistance is not formed at the lower side of the polycrystal SiGe 30. - 特許庁