線形負性抵抗の英語

負荷素子には、動的な、切換強誘電性キャパシタ、静的な、切換の無い強誘電性キャパシタ、線形キャパシタ、および抵抗性負荷も含まれる。例文帳に追加

The load element includes a dynamic switching ferroelectric capacitor, a static non-switching ferroelectric capacitor, a linear capacitor, and a resistance load. - 特許庁

オペアンプ１１の出力と反転入力と結ぶ負帰還回路が、温度変化に対して線形性の抵抗値を有すると共にＡＰＤ７の温度を検出するように配置された感温抵抗Ｒｔｈを備える。例文帳に追加

A negative feedback circuit connecting an output and an inverted input of an operational amplifier 11 is provided with a thermosensitive resistor Rth that includes a resistance value linear relative to a temperature change and is disposed to detect a temperature of an APD 7. - 特許庁

ベースとコレクタとを接続させたＰＮＰトランジスタ１０７のベース−エミッタ間電圧Ｖｆは、ダイオード特性を示し、負の温度係数で線形的に温度依存するため、接点Ｄの電位Ｖｄを制御抵抗１０１と制御抵抗１０２とで抵抗分割した接点Ｂの電位Ｖｂは、正の温度係数で線形的に温度依存する。例文帳に追加

The voltage Vf between base and emitter of a PNP transistor 107, the emitter and base of which are connected, represents diode characteristics of a negative linear temperature dependency, the potential Vd of a junction D is divided with a control resistors 101 and 102, the potential Vb of a junction B depends on temperature linearly with a positive temperature coefficient. - 特許庁

下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a non-linear element, and an electro-optical device that uses the same, of which the resistance of the lower electrode is reduced and symmetry is improved, in both the positive and negative directions of the current-voltage non-linear characteristics, in a structure where the lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are stacked, in this order. - 特許庁

ゆらぎ検出回路３１の非線形出力特性によって軽負荷状態でのみ制御のゆらぎを検出し、その出力の変動分をコンデンサＣ１０および分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２による微分回路で抽出し、出力電圧の分圧値に重畳してフィードバックする。例文帳に追加

Fluctuation of control only in a light-loaded condition is detected from non-linear output characteristic of a fluctuation detection circuit 31, and fluctuating components of the output is extracted by a differential circuit comprising a capacitor C10, potential dividing resistors R1 and R2 and fed back upon superposing the divided voltage of the output. - 特許庁

共振回路２０１と負性抵抗回路２０２と複数の可変容量素子２０３１〜２０３４をもち、その複数の可変容量素子にレベルシフト回路２０６により制御電圧を所定値ずつシフトして印加することにより、制御電圧に対する発振周波数の線形領域を拡大する。例文帳に追加

This oscillator has a resonance circuit 201, a negative resistance circuit 202, and varactor elements 2031 to 2034 and a control voltage is shifted by a specific value at each time through a level shift circuit 206 and applied to the varactor elements to expand the linear range of the oscillation frequency to the control voltage. - 特許庁

温度の変化に対して負の線形性の温度電圧特性を有するダイオード４１を温度検出用の素子としてパワーＭＯＳ３２と同一の半導体チップ３０上に形成すると共に、ダイオード４１の両端子に接続されるローパスフィルタを構成する抵抗４２とコンデンサ４３とを形成する。例文帳に追加

A diode 41 which has a negative linear temperature characteristic of voltage is formed on the same semiconductor chip 30 with a power MOS 32 as an element for temperature detection and a resistor 42 and a capacitor 43 constituting a low-pass filter connected across the diode 41 are formed. - 特許庁