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臨界電界の英語
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「臨界電界」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
再発生が減少することにより、臨界電界の値が上昇し、従って安全動作区域が高まる。例文帳に追加
By reduction of the generation couges the critical field value to rise, and the safe operating area is enhanced accordingly. - 特許庁
隣接するフィーチャによって生成される電界の位相に応じて、主フィーチャの臨界寸法およびプロセスラチチュードを、強め合う光電界干渉によって改善するか、または弱め合う光電界干渉によって劣化させることができる。例文帳に追加
The critical dimension and process latitude of the main feature can be improved by constructive light field interference, or degraded by destructive light field interference. - 特許庁
同様に、第1の深さにおける電界強度が臨界電界に達する以前に第2埋め込み領域によって第2の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を増加させることができる。例文帳に追加
Similarly, the electric field of the horizontal direction is pinched off at the second depth by the second embedding region before an electric field strength at the first depth reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be increased. - 特許庁
逆方向電圧印加時には実際の接合部が臨界電界に達する以前に、第1埋め込み領域によって第1の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を向上させることができる。例文帳に追加
In applying a reverse voltage, an electric field of a horizontal direction is pinched off at the first depth by the first embedding region before an actual joining portion reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be improved. - 特許庁
隣接するフィーチャによって生成される電界の位相に応じて、主フィーチャの臨界寸法およびプロセスラチチュードを、強め合う光電界干渉によって改善するか、または弱め合う光電界干渉によって劣化させることができる。例文帳に追加
The critical size and the process latitude of the main feature can be improved by strengthening photo-field effect interference or can be deteriorated by weakening photo-field effect interference in accordance with the phase of an electric filed, which is generated by the adjacent feature. - 特許庁
超電導体の相対密度が95%以上であり、冷媒中で外部磁界を加えずに電流を通電したとき、臨界電流近傍の電流域における電流密度Jと電界Eとの特性がE∝J^nとなり、その式中のn値が20以上である。例文帳に追加
The relative density of the superconductor is not less than 95%, when a current is carried to it without applying an external magnetic field in a refrigerant, a characteristic of current density J and an electric field E in a current region close to a critical current becomes E∝J^n; and an n-value in the formula is 20 or more. - 特許庁
本発明の減衰機能を有するチューナは、放送局から受信された放送信号の電力値が強電界臨界値を超過する場合に、放送局から受信される放送信号の電力を減衰させて出力する減衰ユニットを備える。例文帳に追加
In this tuner having attenuation function, an attenuation unit is installed which attenuates electric power of a broadcast signal received from a broadcasting station and outputs the signal when electric power value of the broadcast signal received from the broadcasting station exceeds a strong electric field threshold value. - 特許庁
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「臨界電界」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
歪み系ヘテロ接合結晶を用いる電界効果トランジスタの製造方法に関し、面積サイズ効果を利用して臨界膜厚を越えた厚さに形成した歪み系ヘテロ接合結晶を用いた電界効果トランジスタに於いて、その面積サイズでは、必要とされる素子特性を実現できないほど小さい場合であっても、簡単な手段を採ることに依って、要求されている素子特性を実現できるようにする。例文帳に追加
To make it possible to realize a required element characteristic by adopting a simple means even when the area size of a field effect transistor (FET) is such a small that the required element characteristic can not be realized as to an FET, using strain group heterojunction crystals formed as thickness exceeding critical film thickness by utilizing an area size effect. - 特許庁
また、ドレイン領域15aと高濃度P領域17との距離は、ドレイン領域15aに動作電圧が印可されたときに拡がる空乏層が、高濃度P領域17の内部に拡がったとしても、空乏層内部の電界がアバランシェ降伏あるいはツェナー降伏を発生させる臨界電界に達しないような距離とする。例文帳に追加
Further, distance between the drain region 15a and the high density P region 17 is set such that a field in a depletion layer does not reach a critical field for generating avalanche breakdown or zener breakdown. - 特許庁
InGaP/GaAs系又はAlGaAs/GaAs系のHBT用エピタキシャルウェハにおいて、そのコレクタ層18を、GaAsより臨界電界強度の大きいAlGaInP等の半導体層とGaAs層から成る超格子構造とするか、又はAlGaInP、InGaP又はInGaAsPのいずれかから成る半導体層を、単層もしくは複数層挿入した構成とする。例文帳に追加
In an epitaxial wafer for HBT of InGaP/GaAs or AlGaAs/GaAs, the collector layer 18 is made to have a super-lattice structure composed of a semiconductor layer of AlGaInP or the like whose critical electrical field strength is higher than that of GaAs and a GaAs layer, or a configuration where one or more semiconductor layers of AlGaInP, InGaP, or InGaAsP are inserted. - 特許庁
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