薄膜拡散対の英語

ガス拡散層２０は、非導電性の多孔質樹脂材料から形成された本体２１と、本体２１のＭＥＡ１０に対向する対向面に形成されたカーボン薄膜層２２と、カーボン薄膜層２２と一体的に接合された複数のカーボン棒２３とで構成される。例文帳に追加

The gas diffusion layer 20 is constituted of: a main body 21 formed from the non-conductive porous resin material; a carbon thin film layer 22 formed on a facing surface facing an MEA 10 of the main body 21; and a plurality of carbon rods 23 joined integrally with the carbon thin film layer 22. - 特許庁

次いで、この多層膜構造５に対して熱処理を施し、シリコン基板１中のシリコン元素、下地膜２中のシリコン元素及び炭素元素、及びニッケル含有薄膜３中のニッケル元素を相互拡散させるとともに、化学的に反応させて炭素を含むニッケルシリコン系薄膜６を作製する。例文帳に追加

Then this multi-layered structure 5 is heat-treated for mutually diffusing silicon elements in the silicon substrate 1, silicon elements and carbon elements in the base film 2, and nickel elements in the nickel containing thin film 3 and subject them to chemical reaction, thereby manufacturing the nickel silicon based thin film 6 containing carbon. - 特許庁

炭素系材料を用いて板状に形成され、表面に金属薄膜を有し、板状の厚さ方向に熱を伝導させる熱拡散部材としての第１部材は、少なくとも第２部材との対向面に、金属薄膜を有する。例文帳に追加

A first member, which is formed into a plate shape using a carbonaceous material, has a metallic thin film on a surface thereof, and serves as a thermal diffusion member conducting heat in a thickness direction of the plate, has a metallic thin film at least on a facing surface opposite to a second member. - 特許庁

集電体材料の活物質薄膜への拡散を制御して、集電体に対する活物質薄膜の密着性が良好で、かつサイクル特性に優れた二次電池とすることができる二次電池用電極の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an electrode for a secondary battery capable of forming the secondary battery for controlling diffusion of a current collector material to an active material thin film, improving adhesion of the active material thin film to a current collector, with an excellent cycle characteristic. - 特許庁

ＳＴＩプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数ｎｍ程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin film having a thickness of several nm and exhibiting barrier properties for oxygen diffusion, along the inner wall surface of a trench in silicon in STI process. - 特許庁

酸素や水分などに対するバリア性の高い第１無機絶縁膜５１により、酸化物半導体膜２０への水分の混入や拡散を抑え、薄膜トランジスタ１の信頼性を向上させる。例文帳に追加

Mixing and diffusion of moisture into the oxide semiconductor film 20 is minimized by the first inorganic insulating film 52 which has an excellent barrier property against oxygen and moisture, and reliability of a thin film transistor 1 is improved. - 特許庁

しきい値電圧Ｖｔｈのような薄膜トランジスタの特性のバラツキに対する影響を小さくする一方で、ガラス基板からの不純物の拡散を抑制する。例文帳に追加

To suppress the diffusion of impurities from a glass substrate while making small the influence of a threshold voltage Vth, etc., on variance in characteristics of a thin film transistor. - 特許庁

さらに、対シリコン拡散導電層４をエッチングした後、誘電体層９としてＴａ_2Ｏ_5 膜、上部電極層１０としてＲｕ膜を堆積して薄膜キャパシタを得る。例文帳に追加

Furthermore, after the counter-silicon diffused conductive layer 4 is etched, a Ta2O5 film and Ru film are deposited as a dielectric layer 9 and an upper electrode layer 10, respectively, thus obtaining a thin-film capacitor. - 特許庁