誘起欠陥の英語

誘電体層に点欠陥が生じているときでも、点欠陥に起因して、誘電体層が剥離するのを防止することができる信頼性に優れた表示素子、及びこれを用いた電気機器を提供する。例文帳に追加

To provide a display element with superior reliability that prevents a dielectric layer from peeling caused by a dot defect even when the dielectric layer having the dot defect, and electronic equipment using the same. - 特許庁

酸化物半導体層に酸素欠陥誘起因子を導入することによって、酸化物半導体層にドナーとして機能する酸素欠陥を効果的に形成することができる。例文帳に追加

An oxygen vacancy serving as a donor can be effectively formed in the oxide semiconductor layer by introducing the oxygen-vacancy-inducing factors into the oxide semiconductor layer. - 特許庁

オーバードライブ誘起像欠陥を形成する傾向を有していないような、内部加熱型のソフトなトナー融着ローラの提供。例文帳に追加

To provide an internal heating type soft toner melt sticking roller where a defective image is prevented from occurring due to overdrive. - 特許庁

この様な熱処理では、高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができる。例文帳に追加

In such heat treatment, occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period. - 特許庁

ウェハなどの半導体製品の製造においてプロセス画像誘起欠陥を判定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for determining processing image induced defects in manufacturing semiconductor products such as wafers. - 特許庁

強誘電体膜形成時の欠陥による絶縁特性不良で起こる読み出し信頼性不良を、初期検査時にスクリーニングする。例文帳に追加

To screen a readout reliability defect which is caused by a defect of insulation characteristics due to a defect at ferroelectric film formation time at the time of an initial inspection. - 特許庁

このとき、歪み１１を付けたウェーハ１０の裏面１０２全域には酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ）１４が数μｍの深さをもって形成される。例文帳に追加

An oxidation inducing stacking fault (OSF) 14 is formed with a depth of several micrometers in all rear face 102 regions of the wafer 10 with the deformation 11. - 特許庁

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。例文帳に追加

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied. - 特許庁