閃亜鉛鉱の英語

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。例文帳に追加

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate. - 特許庁

これらの閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いることにより、発光の単色性のよい発光装置の製造が可能となる。例文帳に追加

The light-emitting device having good luminescence monochromaticity can be manufactured by using these sphalerite type nitride semiconductor self-supporting substrates. - 特許庁

六方晶系または閃亜鉛鉱結晶構造をもつウエハにおいて、数多くの半導体光電子装置が非長方形のダイのアレイに形成される。例文帳に追加

In a wafer having a hexagonal system or zinc blend crystal structure, multiple semiconductor optoelectronic devices are formed in an array of nonrectangular dies. - 特許庁

（１１１）閃亜鉛鉱結晶構造をもつウエハを使用する場合、ダイのそれぞれのエッジが｛１バー１０｝平面に沿って配置される。例文帳に追加

When a wafer having (111) zinc blend crystal structure is used, respective edges of the dies are arranged along {1-10} plane. - 特許庁

基板表面を硫黄終端化することにより、通常は六方晶の結晶構造を有するＭｎＡｓが閃亜鉛鉱型の結晶構造を形成することがわかった。例文帳に追加

It is found that MnAs having a hexagonal crystal structure normally forms a sphalerite type crystal structure by sulfur termination treating the substrate surface. - 特許庁

基板となるＳｉウェーハの上に３Ｃ−ＳｉＣをエピタキシャル成長させる際に、ＢＰをバッファー層として介在させるＳｉＣエピタキシャル成長方法であって、そのＢＰが閃亜鉛鉱型の単結晶である。例文帳に追加

The epitaxial growth method comprises interposing BP being the sphalerite-type single crystal as the buffer layer when the 3C-SiC is epitaxially grown on the surface of the Si wafer being the substrate. - 特許庁

結晶構造が閃亜鉛鉱型を有するＭｎＭ（Ｍはシリコン，ゲルマニウム，および錫の１種あるいは２種以上の組み合わせ）である強磁性材料を用い、磁気抵抗素子を構成する。例文帳に追加

The magnetoresistive element is constituted by using the ferromagnetic material which is MnM (M is silicon, germanium, or tin or a combination of ≥2 kinds of them) whose crystal structure has a sphalerite type. - 特許庁

ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。例文帳に追加

A PBS 100 includes a first optical coupler 110, a birefringence application part 120, a birefringence adjustment part 130, and a second optical coupler 140 on a semiconductor substrate 101 having a sphalerite type structure. - 特許庁