電子トラップ法の英語

電子回路のブートストラップポイントの電圧を低下させる方法とそれを用いた装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reducing voltage at a bootstrap point in an electronic circuit, and a device using the method. - 特許庁

入力ペン、それを用いた入力装置および携帯電子機器、並びにクリップ付きハンドストラップ機構の使用方法例文帳に追加

INPUT PEN, INPUT DEVICE USING THE SAME, PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT AND METHOD FOR USING HANDSTRAP MECHANISM WITH CLIP - 特許庁

キャリアトラップが少なく、電荷輸送性が良好であり、駆動電圧を下げることができる有機薄膜及び有機薄膜の選択方法、並びに有機薄膜中のトラップキャリア数の測定方法、及び電子素子の提供。例文帳に追加

To provide an organic thin film in which there are less carrier traps, the charge transportability is good, and the driving voltage can be lowered, and to provide a method of selecting the organic thin film, a method of measuring the number of trap carriers in the organic thin film, and an electronic element. - 特許庁

イオントラップ内で、試料あるいは試薬ガスを電子衝撃イオン化（ＥＩ）等によりイオン化する際に、大量に生成されるイオンをイオントラップ電極間空間から排除し、極微量にしか生成されない負イオンを優先的に捕捉し、高感度に分析可能な、内部イオン化型のイオントラップによる質量分析法ならびにその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for mass spectrometry by an internal ionization ion trap analyzable with high sensitivity by eliminating ion formed in a mass quantity, from a space between ion trap electrodes, and preferentially capturing negative ion formed only in a trace quantity in ionizing a sample or reagent gas in the ion trap by electron impact ionization(EI) or the like. - 特許庁

電子スピン共鳴測定法に使用するスピントラップ剤として用いるニトロン化合物の合成中間体として有用、且つ、安全な化合物を開発する。例文帳に追加

To develop a safe compound useful as a synthetic intermediate for a nitrone compound used as a spin trap agent used in an electron spin resonance measurement method. - 特許庁

本発明は、電子及びホールをトラップ可能な不導体を用いた不揮発性ＤＲＡＭの制御を容易に行う駆動回路及び駆動方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a driving circuit easily performing control of a nonvolatile DRAM using a nonconductor which can trap electrons or holes, and its driving method. - 特許庁

トンネル絶縁膜を有するトランジスタにおいて、トンネル絶縁膜の電子トラップが増加することによるトランジスタの電気特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of preventing degradation of electrical characteristics of a transistor having a tunnel insulating film by increased electron traps in the tunnel insulating film, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

シリコンウェハ表面への窒化珪素膜の形成において、膜中の電子またはホールトラップのない窒化珪素膜を形成する方法及びその装置の提供。例文帳に追加

To provide a method of forming a silicon nitride film having not electrons or a hole trap in its film in the formation of the silicon nitride film on the surface of a silicon wafer and to provide an apparatus for forming the silicon nitride film. - 特許庁