電界効果測定の英語

トランジスタ用ピンチオフ電圧測定回路およびその製造方法と、電界効果トランジスタの製造方法例文帳に追加

PINCH-OFF VOLTAGE MEASURING CIRCUIT FOR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD - 特許庁

さらに、電位差測定装置として、金電極と同一基板上に形成された絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いる。例文帳に追加

Furthermore, an insulation gate field effect transistor formed on the same substrate as that of the gold electrode is used as a potential difference measurement apparatus. - 特許庁

多孔質膜を電界効果トランジスタの感応部に形成することで、測定感度が高く応答性に優れたセンサを提供する。例文帳に追加

To provide a sensor of high measurement sensitivity with high responsiveness by forming a porous membrane as a sensitive part of a field-effect transistor. - 特許庁

サーミスタ等の温度センサを用いることなく温度を測定可能な電界効果トランジスタの温度補償回路を得る。例文帳に追加

To provide a temperature compensation circuit for a field effect transistor capable of measuring a temperature without using a temperature sensor such as a thermistor. - 特許庁

電界効果トランジスタなどのトランジスタの交流動作を表すトランジスタの測定評価装置とその方法を提供する。例文帳に追加

To provide a measurement evaluation device of a transistor and its method for showing alternating operation of the transistor such as a field effect transistor. - 特許庁

第２のｐチャネル電界効果トランジスタのゲート部分の半導体表面の終端の測定対象イオンに対する感度が、第１のｐチャネル電界効果トランジスタのゲートの部分の半導体表面の終端の前記測定対象イオンに対する感度よりも高くされる。例文帳に追加

Sensitivity of the terminal of a semiconductor surface at the gate portion of a second p channel field effect transistor against measurement target ions is set to be higher than sensitivity of the terminal of a semiconductor surface at the gate portion of a first p channel field effect transistor against the measurement target ions. - 特許庁

電位測定装置の電極と測定対象物との間の結合容量を変化させることで、電界効果型トランジスタのゲート電極に現れる出力信号を測定し易くすることである。例文帳に追加

To easily measure the output signal which appears in the gate electrode of a field effect transistor, by modulating the coupling capacity between an electrode of an electric potential measuring device and an object to be measured. - 特許庁

調整前には、ドレイン電流が流れない状態にあるので、増幅用電界効果トランジスタ１、２を順番に調整していけば、調整前後のドレイン電流の差より、それぞれの増幅用電界効果トランジスタ１、２の電流の測定ができ、ゲート電圧の調整が可能になる。例文帳に追加

Since no drain current flows before the adjustment, the current of the amplifier field effect transistors 1, 2 is measured respectively based on a difference between the drain currents before and after the adjustment by adjusting the amplifier field effect transistors 1, 2 sequentially, the gate voltage is adjusted. - 特許庁