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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和対訳 > 10-second barrierの意味・解説 

10-second barrierとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 電動計時による平地記録で初めて10秒の壁を破ったカール・ルイス 10秒の壁(じゅうびょうのかべ、英: 10-second barrier)は、陸上競技男子100メートル競走において達成困難と考えられていた9秒台に対する記録の壁である。

Weblio英和対訳辞書での「10-second barrier」の意味

10-second barrier

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「10-second barrier」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 64



例文

break the ten second barrier例文帳に追加

10秒の壁を破る - Eゲイト英和辞典

The barrier film 10 includes a base material 11, a first barrier layer 141, and a second barrier layer 142.例文帳に追加

バリアフィルム10は、基材11と、第1のバリア層141と、第2のバリア層142とを具備する。 - 特許庁

The barrier film 10 includes a base material 11, a primary coat 12, a first barrier layer 13, and a second barrier layer 14.例文帳に追加

バリアフィルム10は、基材11と、下地層12と、第1のバリア層13と、第2のバリア層14とを具備する。 - 特許庁

The second barrier ribs 20 are formed on the lower substrate so as to cross the first barrier rib 10.例文帳に追加

第2隔壁20は、下部基板の上に第1隔壁10と交差するように形成されている。 - 特許庁

Kiryu is now in a good position to become the first Japanese to break the 10-second barrier in the 100-meter sprint.例文帳に追加

桐生選手は今,日本人で初めて100メートルで10秒の壁を破るのに良い位置にいる。 - 浜島書店 Catch a Wave

Hopes are rising that Kiryu will soon become the first Japanese to break the 10-second barrier.例文帳に追加

桐生選手が間もなく10秒の壁を破る最初の日本人になるだろうという期待が高まっている。 - 浜島書店 Catch a Wave

例文

A second barrier layer 19 is formed on the rear of the semiconductor substrate 10, and in a via hole 18 extending to the first barrier layer 12 from the rear of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板10の裏面、及び半導体基板10の裏面から第1のバリア層12に到達するビアホール18内に、第2のバリア層19が形成されている。 - 特許庁

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「10-second barrier」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 64



例文

The plasma display D100b is provided with an upper substrate, a lower substrate, a scanning electrode 30, a sustaining electrode, a first barrier rib 10, and second barrier ribs 20.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置D100bは、上部基板と、下部基板と、スキャン電極30と、サステイン電極と、第1隔壁10と、第2隔壁20とを備える。 - 特許庁

A second barrier film 10 is formed in the inner surface of the interconnection trench 8 (the surface of the first barrier film 9, the bottom 7A of the trench 7 and the exposed surface of a first Cu interconnection 2).例文帳に追加

配線溝8の内面(第1バリア膜9の表面、トレンチ7の底面7Aおよび第1Cu配線2の露出面)には、第2バリア膜10が形成されている。 - 特許庁

It further includes a second barrier metal layer 32 formed in a region other than that of the electrode of the active element 10, a plated seed layer 15a formed under and around the second barrier metal layer 32, and a second alloy bump 36 formed on the second barrier metal layer 32 and the plated seed layer 15a.例文帳に追加

さらに、能動素子10の電極上以外に形成された、第2のバリアメタル層32と、第2のバリアメタル層32の下部及び第2のバリアメタル層32の周囲に形成されためっきシード層15aと、第2のバリアメタル層32上及びめっきシード層15aに形成される第2の合金バンプ36とを備える。 - 特許庁

An Fe(001) upper electrode (second electrode) 23 of a thickness of 10 nm is formed on the barrier layer 21 at the room temperature.例文帳に追加

MgO(001)バリア層21上に室温で、厚さ10nmのFe(001)上部電極(第2電極)23を形成した。 - 特許庁

A first electrode 11 on a first substrate 10 is separated from a second substrate 13 by a prescribed distance, there is no barrier wall between respective pixels and barrier walls 19 are disposed on the outer periphery.例文帳に追加

第一基板10の第一電極11と第二基板13との間は、所定間隔離されており、各画素の間には隔壁はなく、外周に隔壁19が設けられている。 - 特許庁

Further, a second full area hydrogen barrier film 26 entirely covers the region of the semiconductor substrate 10 above the capacitor hydrogen barrier film 24 except for a region thereof in which contact plugs 16, 28 are formed.例文帳に追加

さらに、キャパシタ水素バリア膜24の上方は、第2の全面水素バリア膜26によって、半導体基板10におけるコンタクトプラグ16、28を除く領域の全面が覆われている。 - 特許庁

Further, a second conductive plug 8 is connected to the upper part of the conductive plug 5 and the second conductive plug 8 is connected to a cylindrical capacitor lower electrode 10 through a reaction barrier layer 9.例文帳に追加

その上部に、さらに第2の導電性プラグ8が接続されており、これは反応バリア層9を介して円筒型のキャパシタ下部電極10につながっている。 - 特許庁

例文

A region on the substrate 10 superposed on the first gas barrier layer 20 formed of an inorganic compound, and a region on the substrate 10 superposed on the second gas barrier layer 21 formed of an inorganic compound are superposed on each other without perfectly corresponding with each other.例文帳に追加

無機化合物から形成された第1のガスバリア層20に重なる基板10上の領域と無機化合物から形成された第2のガスバリア層21に重なる基板10上の領域は、完全には一致せずに重なる。 - 特許庁

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