「10-second barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A region on the substrate 10 superposed on the first gas barrier layer 20 formed of an inorganic compound, and a region on the substrate 10 superposed on the second gas barrier layer 21 formed of an inorganic compound are superposed on each other without perfectly corresponding with each other.例文帳に追加

無機化合物から形成された第１のガスバリア層２０に重なる基板１０上の領域と無機化合物から形成された第２のガスバリア層２１に重なる基板１０上の領域は、完全には一致せずに重なる。 - 特許庁

An CCD channel region is formed into a barrier layer region 9, and it is composed of a barrier layer region 9, which is formed only underneath the second layer transfer electrode 11, and a storage region 10 formed underneath other second layer transfer electrode 11 and the first layer transfer electrode 5 having the effective impurity concentration which is higher than that of the barrier region.例文帳に追加

ＣＣＤチャネル領域は、一つの第２層転送電極１１下にのみ形成された障壁領域９と、他の第２層転送電極１１と第１層転送電極５の下に形成され、有効な不純物濃度が障壁領域より高い蓄積領域１０とから構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing an imaging array (10) includes formation of a first dielectric barrier (66), formation of a gate (50) and a light shielding element (68) with at least the same expansion on the first dielectric barrier, and formation of a second dielectric barrier (70) over the first dielectric barrier and the light shielding element so as to enclose the light shielding element with the first dielectric barrier.例文帳に追加

イメージング・アレイ（１０）を製作するための方法は、第１の誘電バリア（６６）を形成させること、この第１の誘電バリア上にゲート（５０）と少なくとも同じ広がりをもつ光遮断素子（６８）を形成させること、並び第１の誘電バリア及び光遮断素子の上に、第１の誘電バリアとの間で光遮断素子を包封するように第２の誘電バリア（７０）を形成すること、を含む。 - 特許庁

Thereafter, on the flattened spacer insulating film 13 and upper electrode 10, a conductive second hydrogen barrier layer 14 is formed.例文帳に追加

その後、平坦化されたスペーサ絶縁膜１３及び上部電極１０の上に、導電性を有する第２の水素バリア層１４を形成する。 - 特許庁

An Fe(001) upper electrode (second electrode) 23 of a thickness of 10 nm is formed on the barrier layer 21 at the room temperature.例文帳に追加

ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。 - 特許庁

Then the substrate W is set in a second deposition unit 14 via the transfer apparatus 10 and a TnN barrier layer is formed on the Ti layer.例文帳に追加

次に、搬送装置１０を介して第２成膜ユニット１４中に基板Ｗをセットし、Ｔｉ層上にＴａＮからなるバリア層を形成する。 - 特許庁

In order to protect the dielectric against intrusion of hydrogen in following manufacturing processes, a first barrier layer (5) is embedded in the isolation layer (4) and, after formation of the memory capacity, a second barrier layer (10) connected to the first barrier layer (5) is deposited.例文帳に追加

誘電体をさらなる製造工程において水素の侵入から保護するために、アイソレーション層（４）内に第１のバリア層（５）を包埋しかつメモリキャパシタの製造後に、第１のバリア層（５）と結合する第２のバリヤー層（１０）を堆積させる。 - 特許庁

Further, a second full area hydrogen barrier film 26 entirely covers the region of the semiconductor substrate 10 above the capacitor hydrogen barrier film 24 except for a region thereof in which contact plugs 16, 28 are formed.例文帳に追加

さらに、キャパシタ水素バリア膜２４の上方は、第２の全面水素バリア膜２６によって、半導体基板１０におけるコンタクトプラグ１６、２８を除く領域の全面が覆われている。 - 特許庁

A second barrier film 10 is formed in the inner surface of the interconnection trench 8 (the surface of the first barrier film 9, the bottom 7A of the trench 7 and the exposed surface of a first Cu interconnection 2).例文帳に追加

配線溝８の内面（第１バリア膜９の表面、トレンチ７の底面７Ａおよび第１Ｃｕ配線２の露出面）には、第２バリア膜１０が形成されている。 - 特許庁

The plasma display D100b is provided with an upper substrate, a lower substrate, a scanning electrode 30, a sustaining electrode, a first barrier rib 10, and second barrier ribs 20.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置Ｄ１００ｂは、上部基板と、下部基板と、スキャン電極３０と、サステイン電極と、第１隔壁１０と、第２隔壁２０とを備える。 - 特許庁

A first electrode 11 on a first substrate 10 is separated from a second substrate 13 by a prescribed distance, there is no barrier wall between respective pixels and barrier walls 19 are disposed on the outer periphery.例文帳に追加

第一基板１０の第一電極１１と第二基板１３との間は、所定間隔離されており、各画素の間には隔壁はなく、外周に隔壁１９が設けられている。 - 特許庁

It further includes a second barrier metal layer 32 formed in a region other than that of the electrode of the active element 10, a plated seed layer 15a formed under and around the second barrier metal layer 32, and a second alloy bump 36 formed on the second barrier metal layer 32 and the plated seed layer 15a.例文帳に追加

さらに、能動素子１０の電極上以外に形成された、第２のバリアメタル層３２と、第２のバリアメタル層３２の下部及び第２のバリアメタル層３２の周囲に形成されためっきシード層１５ａと、第２のバリアメタル層３２上及びめっきシード層１５ａに形成される第２の合金バンプ３６とを備える。 - 特許庁

Likewise, a second barrier layer 10 and an upperlayer wiring 11 are formed in the trenches 8 of the second inter-layer insulating films 7 containing second porous low dielectric-constant films 7b through second sidewall protective films 9 formed on the side walls of the trenches 8.例文帳に追加

同様に、多孔質の第２低誘電率膜７ｂを含む第２層間絶縁膜７のトレンチ８内にその側壁に設けられた第２側壁保護膜９を介して第２バリア層１０および上層配線１１が形成される。 - 特許庁

The optical filter 10 includes: first and second substrates 20, 30 opposite to each other; first and second reflective films 40, 50 provided on the first and second substrates; first and second bonding films 100, 110 provided on the first and second substrates; and first and second barrier films 120, 130 formed on the surfaces of the first and second reflective films.例文帳に追加

光フィルター１０は、対向する第１，第２基板２０，３０と、第１，第２基板に設けられた第１，第２反射膜４０，５０と、第１，第２基板に設けられた第１，第２接合膜１００，１１０と、第１，第２反射膜の表面に形成された第１，第２バリア膜１２０，１３０とを有する。 - 特許庁

The MTJ element (1) includes: a first magnetic layer (10); a second magnetic layer (20); a tunnel barrier layer (30) positioned between the first magnetic layer (10) and the second magnetic layer (20); and a first half metal layer (40) formed by a half metal material.例文帳に追加

ＭＴＪ素子（１）は、第１磁性層（１０）と、第２磁性層（２０）と、第１磁性層（１０）と第２磁性層（２０）との間に位置するトンネルバリア層（３０）と、ハーフメタル材料で形成された第１ハーフメタル層（４０）と、を備える。 - 特許庁

A second groove 10 is formed on a joint face between a barrier 9 formed between waveguide paths 7 and a first metallic plate 1 and the depth of the second groove 10 is made about an odd number multiple of 1/4 of a free space propagation wavelength for a high-frequency signal.例文帳に追加

各導波管路７間に形成される隔壁９の第一の金属板１との接合面に第二の溝１０を設け、この第二の溝１０の深さを高周波信号の自由空間伝搬波長の概略１／４の奇数倍とした。 - 特許庁

A first additional barrier layer of ZnMgSe having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the p-type clad layer so as to prevent an overflow of electrons, and a second additional barrier layer having a thickness of 1 to 10 nm is additionally provided between the active layer and the n-type clad layer so as to prevent the overflow of holes.例文帳に追加

活性層とｐ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＭｇＳｅ第１追加障壁層を追加して電子オーバーフローを防ぎ、活性層とｎ型クラッド層の間に１〜１０ｎｍのＺｎＳＳｅ第２追加障壁層を追加して正孔オーバーフローを防ぐ。 - 特許庁

This device has a heterostructure composed of a first nonmagnetic barrier layer 2, a first ferromagnetic quantum well layer 4, a second nonmagnetic barrier layer 6, a second ferromagnetic quantum well layer 8, a third nonmagnetic barrier layer 10 laminated one above another.例文帳に追加

非磁性体の第１障壁層２と、強磁性体の第１量子井戸層４と、非磁性体の第２障壁層６と、強磁性体の第２量子井戸層８と、非磁性体の第３障壁層１０とが積層されたヘテロ構造を有し、強磁性体の第１量子井戸層４及び第２量子井戸層８は伝導を担うキャリアのドブロイ波長より十分薄い層である。 - 特許庁

Further, a second conductive plug 8 is connected to the upper part of the conductive plug 5 and the second conductive plug 8 is connected to a cylindrical capacitor lower electrode 10 through a reaction barrier layer 9.例文帳に追加

その上部に、さらに第２の導電性プラグ８が接続されており、これは反応バリア層９を介して円筒型のキャパシタ下部電極１０につながっている。 - 特許庁

Then, after a second Al film is formed to 10 Å in thickness on the first Al-O barrier film 3, the second Al film is plasma-oxidized with an RF plasma in the oxygen atmosphere of 50 Torr.例文帳に追加

その後、第１のＡｌ−Ｏバリア膜３の上に第２のＡｌ膜を１０Åの膜厚で成膜した後、５０Ｔｏｒｒの酸素雰囲気下において、ＲＦプラズマにより第２のＡｌ膜をプラズマ酸化する。 - 特許庁

According to the road grade-separated intersection structure equipped with the barrier-free roundabout, a first road (12) and a second road (14) intersect each other through a subway (18) and a viaduct (20), respectively, and the annular roundabout (16) of a one-way traffic type is set at an intersection (10) in a ground level.例文帳に追加

第１道路（12）と第２道路（14）は地下道（18）と高架道（20）によって立体交差させてあり、交差点（10）には地面レベルにおいて一方通行式の円環状のロータリー（16）が設けてある。 - 特許庁

This light-emitting device includes: a plurality of organic EL elements P1 arranged on a main substrate 10; an organic buffer layer 19 that covers the plurality of organic EL elements P1; and a first gas barrier layer 20 and a second gas barrier layer 21 that are disposed on the organic buffer layer 19.例文帳に追加

主基板１０上に配列された複数の有機ＥＬ素子Ｐ１と、複数の有機ＥＬ素子Ｐ１を覆う有機緩衝層１９と、有機緩衝層１９上に配置された第１のガスバリア層２０および第２のガスバリア層２１を備える。 - 特許庁

The structure of the final waste disposal site is provided with: the pit 11 for accumulating waste 10; and a first water barrier member 12 and a second water barrier member 13 arranged doubly at the bottom of the pit at the least in order to prevent the exuding water in the pit 11 from leaking to the outside.例文帳に追加

廃棄物１０を蓄積するピット１１と、このピット１１内の浸出水が外部に漏洩するのを防止すべく、少なくともピット１１の底部に二重に設けられた第１遮水部材１２及び第２遮水部材１３とを備えている。 - 特許庁

A light absorbing layer 4 has a multiplex quantization well structure having at least one or more of quantization well pairs consisting of a first well layer 8 having impurity imparting an (n) type, a barrier layer 9 formed being in contact with the first well layer 8 and a second well layer 10 formed being in contact with the barrier layer.例文帳に追加

光吸収層４は、ｎ型を与える不純物を有する第１の井戸層８と、この第１の井戸層８に接して形成された障壁層９と、この障壁層９に接して形成された第２の井戸層１０と、からなる、量子井戸対を、少なくとも一以上有する多重量子井戸構造である。 - 特許庁

A light-emitting panel 10 includes: a first electrode 20a formed on a substrate 2; a barrier rib 7 having an aperture 8 surrounding the first electrode; a carrier transport layer 42 formed on the first electrode 20a; and a second electrode 46 formed on the barrier rib 7 and the carrier transport layer 42.例文帳に追加

基板２上に形成された第一電極２０ａと、第一電極を囲む開口８を有する隔壁７と、第一電極２０ａ上に形成された担体輸送層４２と、隔壁７及び担体輸送層４２上に形成された第二電極４６と、を備える発光パネル１０である。 - 特許庁

A second groove 10 is provided to a joining face between a barrier 9 formed between waveguide paths 7 and a first metallic plate and the depth of the second groove 10 is selected to be about an odd number multiple of 1/4 of a free space propagation wavelength for a high frequency signal.例文帳に追加

各導波管路７間に形成される隔壁９の第一の金属板１との接合面に第二の溝１０を設け、この第二の溝１０の深さを高周波信号の自由空間伝搬波長の概略１／４の奇数倍とした。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 4, between a second main electrode region 34(2) of the transistor 3 and the barrier film 10, a plug having a second plug 5(2) and a sixth plug 6(2) thereon is also disposed on a second main electrode region 34(2).例文帳に追加

また、トランジスタ３の第２の主電極領域３４（２）とバリア膜１０との間の層間絶縁膜４において、第２の主電極領域３４（２）上には第２のプラグ５（２）とそれに積層された第６のプラグ６（２）とを有するプラグが配設されている。 - 特許庁

The second TiN wiring layer 14 is formed after the barrier metal layer 11, and first TiN wiring layer 12 are successively formed and the contact holes 9 and 10 are filled up with tungsten.例文帳に追加

上記バリアメタル層１１及び第１のＴｉＮ配線層１２を積層し、さらにコンタクト９、１０をタングステンで埋め込んだ後に第２のＴｉＮ配線層１４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a first nitride film 4, a copper interconnection 5, a second nitride film 6, a passivation 7, a barrier layer 8, an adhesive layer 9, and a wire 10.例文帳に追加

半導体装置１は、第１窒化膜４と、銅配線５と、第２窒化膜６と、保護膜７と、バリア層８と、接着層９と、ワイヤ１０とを備えている。 - 特許庁

A motor includes only one first pole 5 and one second pole 6 as poles and a flux barrier 7b between a permanent magnet 10 and the circumference of the rotor 2.例文帳に追加

極として第１の極５及び第２の極６とを１つずつのみ備え、永久磁石１０とロータ２の周面との間にフラックスバリア７ｂを備える。 - 特許庁

A digital camera 10 includes a lens barrier 12 which can freely slide and move between a closed position covering an imaging lens 13, and a first open position and a second open position exposing the imaging lens 13.例文帳に追加

デジタルカメラ１０は、撮影レンズ１３を覆い隠す閉位置と露呈させる第１開位置，第２開位置の間でスライド移動自在のレンズバリア１２を備える。 - 特許庁

This bandlike complex sensor 6 is constituted to interpose an optical fiber 10 between a first elastic bandlike body 7 and a second elastic bandlike body 8 joined to follow a displacement to a water barrier sheet 5.例文帳に追加

帯状複合体センサ６は、遮水シート５に対してその変位に追従可能に接合される弾性を有する第１帯状体７と第２帯状体８との間に光ファイバ１０を介装して構成される。 - 特許庁

Barrier enhancing parts 13, 23 are formed in the first and second halftone phase shifting masks 10, 20, respectively, in the region corresponding to the light transmitting part of the other mask.例文帳に追加

第１及び第２のハーフトーン型位相シフトマスク１０及び２０のそれぞれにおける相手のマスクの透光部と対応する領域に遮光性強化部１３及び２３が形成されている。 - 特許庁

Consequently, in the the first and second AlAs barrier layers 13b, 13c, a thermally excited current passing through the X point is suppressed, thereby improving the P/V ratio of the RTD 10.例文帳に追加

これにより、第１，第２のＡｌＡｓ障壁層１３ｂ，１３ｃにおいて、そのＸ点を流れる熱励起電流が抑制され、ＲＴＤ１０のＰ／Ｖ比を向上させることができる。 - 特許庁

The surface of the Cu interconnection portion 19 facing the interconnection trench 8 (the bottom 11A and the side face 11B of a Cu interconnection 11, and the bottom 18A and the side face 18B of a connection via 18) are covered with the second barrier film 10.例文帳に追加

Ｃｕ配線部１９の配線溝８との対向面（Ｃｕ配線１１の底面１１Ａおよび側面１１Ｂ、ならびに接続ビア１８の底面１８Ａおよび側面１８Ｂ）は、第２バリア膜１０で被覆されている。 - 特許庁

Although spin-polarized hot electrons 27 having down-spin are injected into the base 22 when the senses of the magnetizations of the first and the second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are antiparallel with each other, a down-spin-band end 10 of the second ferromagnetic barrier layer 6 is made higher than the energy of the spin-polarized hot electrons 27.例文帳に追加

第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース２２にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２７が注入されるが、第２の強磁性障壁層６のダウンスピンバンド端１０はスピン偏極ホットエレクトロン２７のエネルギーよりも高い。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device 1 comprises a deposition process of sequentially depositing a first layer (barrier layer 25) formed of a nitride semiconductor and a second layer (cap layer 26) on a substrate 10, and a thermal etching process of heating and etching the second layer in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen.例文帳に追加

半導体装置１の製造方法は、基板１０に窒化物半導体で形成された第１層（障壁層２５）および第２層（キャップ層２６）を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第２層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。 - 特許庁

The reproducing magnetic head 10 is configured by sequentially stacking a first pin layer 13 including a vertical magnetization film, an exchange coupling control layer 14, a first free layer 15, a barrier layer 16 made of an insulating material, a second free layer 17, an exchange coupling control layer 18, and a second pin layer 19 including a vertical magnetization film.例文帳に追加

再生磁気ヘッド１０は、垂直磁化膜からなる第１のピン層１３と、交換結合制御層１４と、第１のフリー層１５と、絶縁体からなるバリア層１６と、第２のフリー層１７と、交換結合制御層１８と、垂直磁化膜からなる第２のピン層１９と、が順に積層されている。 - 特許庁

The EL device 10 has a first electrode 30, an El layer 40 provided on the first electrode 30, a second electrode 50 provided so as to cover the EL layer 40, and a barrier layer 52 provided in direct contact with the second electrode 50.例文帳に追加

ＥＬ装置１０は、第１の電極３０と、第１の電極３０上に設けられたＥＬ層４０と、ＥＬ層４０を覆うように設けられた第２の電極５０と、第２の電極５０に直接接触して設けられたバリア層５２と、を有する。 - 特許庁

The vertical light emitting device has a structure having: a semiconductor layer of a first conductivity type 30; a light emission layer 20 located on the semiconductor layer of a first conductivity type; and a semiconductor layer of a second conductivity type 10 located on the light emission layer and having an etching barrier layer 40; in which a light extraction structure 50 is formed on the etching barrier layer.例文帳に追加

第１伝導性半導体層３０と、該第１伝導性半導体層上に位置する発光層２０と、該発光層上に位置し、エッチング障壁層４０を有する第２伝導性半導体層１０と、を備え、前記エッチング障壁層上には、光抽出構造５０が形成されている構造としている。 - 特許庁

A magnetoresistive element 10 includes: a first electrode layer 12; a fixed layer 14 provided on the first electrode layer 12 and having a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer 15 provided on the fixed layer 14 and made of a metal oxide; a free layer 16 provided on the tunnel barrier layer 15 and having a variable magnetization direction; and a second electrode layer 17 provided on the free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。 - 特許庁

A memory transistor 101 comprises a data memory 103, having a charge migration layer 6 which faces a charge storage electrode 12 through a first tunnel barrier film 5, a charge supply electrode 8 facing the charge migration layer 6 through a second tunnel barrier film 7, and a memory control gate electrode 11 surrounding the entire side face of the charge migration layer 6 through a memory control gate insulation film 10.例文帳に追加

メモリトランジスタ１０１は、第１トンネル障壁膜５を介して電荷蓄積電極１２と対向する電荷移動層６と、第２トンネル障壁膜７を介して電荷移動層６と対向する電荷供給電極８と、記憶制御ゲート絶縁膜１０を介して電荷移動層６の全側面を囲む記憶制御ゲート電極１１とを有するデータ記憶部１０３を備えている。 - 特許庁

The light emitting element 10 of the optical module 1 is optically coupled with the optical waveguide 30 via a first resin 40, a second resin 50 is disposed outside the first resin 40, and a barrier layer 60 is formed between the first resin 40 and the second resin 50 for deterring the transition from the second resin 50 to the first resin 40.例文帳に追加

光モジュール１の発光素子１０と光導波路３０が、第一の樹脂４０を介して光結合され、第一の樹脂４０の外側には、第二の樹脂５０が配置されており、第一の樹脂４０と第二の樹脂５０との間には、第二の樹脂５０から第一の樹脂４０への移行成分を抑止するためのバリア層６０が形成されている。 - 特許庁

A Co-Fe-B alloy layer being in an amorphous state can be obtained even at B concentration of 10 at% or less by holding temperature of the substrate at 100°C below freezing point from a process in which Co-Fe-B in a second ferromagnetic layer is film-formed through a process in which an insulating barrier layer MgO is film-formed.例文帳に追加

第２の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層ＭｇＯを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下１００℃に保つことにより、Ｂ濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。 - 特許庁

The bandlike complex sensor 6 constituted to interpose the optical fiber 10 between the first bandlike body 7 and the second bandlike body 8 is allowed to be wound preliminarily because the sensor 6 is substantially bandlike, and is carried easily and efficiently to a using objective portion (the water barrier sheet 5).例文帳に追加

第１帯状体７と第２帯状体８との間に光ファイバ１０を介装して構成される帯状複合体センサ６は、大略帯状となるので、予め巻回しておくことが可能となり、使用対象箇所（遮水シート５）への運搬を容易にかつ効率良く行なえる。 - 特許庁