19sとは 意味・読み方・使い方

At a boundary BD1 between an IDT 11B and an IDT 11A, a signal electrode finger 19S(B1) of the IDT 11B and a signal electrode finger 19S(A7) of the IDT 11A are juxtaposed over a cross range R1 of a cross width d1 with a single ground electrode finger 19G(A8) interposed therebetween.例文帳に追加

ＩＤＴ１１ＢとＩＤＴ１１Ａとの境界ＢＤ１においては、ＩＤＴ１１Ｂの信号電極指１９Ｓ（Ｂ１）とＩＤＴ１１Ａの信号電極指１９Ｓ（Ａ７）とが、１本の接地電極指１９Ｇ（Ａ８）を挟んで、交差幅ｄ１の交差範囲Ｒ１に亘って併設されている。 - 特許庁

The resin sheet 54, having the porous fiber structure having air permeability and water repellency, is molded to constitute the water-repellent filter member 19 including a cylindrical side surface part 19s extending in an axial direction and a base part 19t for closing one end of the cylindrical side surface part 19s.例文帳に追加

通気性と撥水性を有する多孔質繊維構造の樹脂シート５４を成型して、軸線方向に延びる筒状側面部１９ｓと、この筒状側面部１９ｓの一端を閉塞する底面部１９ｔと、を含む撥水性フィルタ部材１９を構成する。 - 特許庁

A number equivalent to the number of the common electrode main line 19M which is less than the number of the common electrodes 19S suffices for the number of output terminals of the driver IC required for controlling the common electrodes 19S, therefore, the chip size can be reduced as much as the reduced number and, as the result, the whole display device can be miniaturized.例文帳に追加

共通電極１９Ｓを制御するために必要なドライバＩＣの出力端子は、共通電極１９Ｓの数よりも少ない共通電極本線１９Ｍの数相当あればよいから、その分、チップサイズの縮小を図ることができ、すなわち表示装置全体の小型化を図ることができる。 - 特許庁

The rear end part of the longitudinally long box-shaped armrest part 19 is formed in a square shape having the side surface 19S, the upper surface 19T and the rear end surface 19E.例文帳に追加

前後に長い箱型のアームレスト部１９の後端部分を、側面１９Ｓ、上面１９Ｔおよび後端面１９Ｅを有する角張った形状に形成する。 - 特許庁

Buried insulating films 21S-1, 21S-2, 21S-3, 21D-1, 21D-2 and 21D-3 are provided respectively in a part without contacts 19S, 20S, 19D and 20D in source and drain regions 14 and 15 of an FET.例文帳に追加

ＦＥＴにおけるソース／ドレイン領域１４，１５のコンタクト部１９Ｓ，２０Ｓ，１９Ｄ，２０Ｄが存在しない部分に、それぞれ埋め込み絶縁膜２１Ｓ−１，２１Ｓ−２，２１Ｓ−３，２１Ｄ−１，２１Ｄ−２，２１Ｄ−３を設けた。 - 特許庁

In this optical sensor element 1a, wherein a gate electrode 13 is stacked on a semiconductor layer 17 formed of an oxide semiconductor via a gate insulating film 15, and a source electrode 19s and a drain electrode 19d are connected to the semiconductor layer 17, the light reception quantity in the semiconductor layer 17 is read as a drain current value which has changed in a nonvolatile manner with respect to a gate voltage.例文帳に追加

酸化物半導体からなる半導体層１７に対してゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３が積層され、当該半導体層１７にソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄが接続された光センサー素子１ａにおいて、半導体層１７での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す。 - 特許庁