3-D structureとは 意味・読み方・使い方

In the device where DRAMs are mixedly mounted, a gate electrode 2 at a logic section is set to a double structure of CoSi/D-α (D-Poly), and a gate electrode 3 at a DRAM section is set to a double structure of Wsi/D-α (D-P) having an SAC(self alignment contact) structure.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載デバイスにおいて、ロジック部のゲート電極２をＣｏＳｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にし、ＤＲＡＭ部のゲート電極３はＳＡＣ（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造を有したＷｓｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にした。 - 特許庁

A spring structure comprising circular rubber plates and metallic plates that are alternately laminated, wherein the following conditions are met: (1) t - 5mm, (2) D/t - 50, (3) 8>D/h>5, and (4) the hardness of each rubber plate is less than 40, Wherein the thickness of each rubber plate is defined as “t,” the diameter of each rubber plate is defined as “D”, and the total thickness of the rubber plates is defined as “h.”発音を聞く 例文帳に追加

円形のゴム板と金属板とを交互に積層し一体化したものにおいて、ゴム板の厚みをt、ゴム板の直径をD、ゴム板の総厚をhとしたとき、 （１） t ≧5mm、 （２） D/t ≧50 （３） 8＞D/h＞5であり， （４） 且つゴム板の硬度は40以下であることを特徴とするバネ構体。 - 特許庁

A truncated diffractive structure can be disposed on one of the surfaces for generating a near-focus power (e.g., in a range of about 3 D to about 4 D).例文帳に追加

面のうちの一方の表面上に切断された回折構造を配置して、例えば約3D〜約4Dの範囲の近焦点ジオプトリーを生成させることができる。 - 特許庁

In a support apparatus for design of structure, 3-D CAD models and performance information of structures designed in the past are stored into a model storage part 150.例文帳に追加

過去に設計した構造物の３次元ＣＡＤモデル及び性能情報をモデル記憶部１５０に蓄積しておく。 - 特許庁

In this member, preferably the structure is set so that when the depth (d) of the recessed groove is d (mm), and the thickness (t) of the thermoplastic elastomer layer 3 is t (mm), the relationship between (d) and (t) satisfies the expressions: 0.1≤d/t≤0.5 and t≥1.例文帳に追加

本部材において、前記の凹溝の深さをｄ（ｍｍ）とし、前記熱可塑性エラストマー層の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、ｄとｔの関係が式： ０．１≦ｄ／ｔ≦０．５ かつ ｔ≧１ の関係を満足するような構造に設定することが好ましい。 - 特許庁

The solar cell is configured by a pin structure, includes a quantum dot D having a three-dimensional quantum closing action in the i layer 3 of the photodetecting layer so that the energy band structure of the quantum dot D and the barrier layer surrounding it form a type II.例文帳に追加

ｐｉｎ構造で構成され、光検知層であるｉ層３に３次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットＤを含み、量子ドットＤ及びそれを囲むバリア層のエネルギ・バンド構造がｔｙｐｅ II を成している。 - 特許庁

To provide a method for producing a micro element allowing total mass manufacturing even if the micro element is of a structure having a 3-D shaped slit.例文帳に追加

３次元形状のスリットを持つ構造物であっても一括して大量に生産できるようなマイクロ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, in the projection structure 1, a distance D from an outer circumference 23 of the end face 22 of the base material 2 to a pedestal end 31 of the projection 3 is 5 μm or less.例文帳に追加

さらに、この突起構造体１においては、基材２の端面２２の外周２３から突起３の基端３１までの距離Ｄが５μｍ以下である。 - 特許庁