3-D structureとは 意味・読み方・使い方

misc_structure any secondary or tertiary structure or conformation that cannot be described by other Structure keys(stem_loop and D-loop)発音を聞く 例文帳に追加

misc_structure他の構造キー(stem-loop及びD-loop)により説明できない2次若しくは3次の構造又は配座 - 特許庁

Therefore, the spring structure described in D1 has the following characteristics, (1) t = 5mm, (2) D/t = 60, (3) D/h = 5, (4) the hardness of each rubber plate is 37.発音を聞く 例文帳に追加

したがって、引用文献１に記載のゴム構体は、(1) t=5mm (2) D/t=60 (3) D/h=5 (4) ゴム板の硬度37 の特性を有する。 - 特許庁

A spring structure comprising circular rubber plates and metallic plates that are alternately laminated, wherein the following conditions are met: (1) t - 5mm, (2) D/t - 50, (3) 8>D/h>5, and (4) the hardness of each rubber plate is less than 40, Wherein the thickness of each rubber plate is defined as “t,” the diameter of each rubber plate is defined as “D”, and the total thickness of the rubber plates is defined as “h.”発音を聞く 例文帳に追加

円形のゴム板と金属板とを交互に積層し一体化したものにおいて、ゴム板の厚みをt、ゴム板の直径をD、ゴム板の総厚をhとしたとき、 （１） t ≧5mm、 （２） D/t ≧50 （３） 8＞D/h＞5であり， （４） 且つゴム板の硬度は40以下であることを特徴とするバネ構体。 - 特許庁

In the device where DRAMs are mixedly mounted, a gate electrode 2 at a logic section is set to a double structure of CoSi/D-α (D-Poly), and a gate electrode 3 at a DRAM section is set to a double structure of Wsi/D-α (D-P) having an SAC(self alignment contact) structure.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載デバイスにおいて、ロジック部のゲート電極２をＣｏＳｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にし、ＤＲＡＭ部のゲート電極３はＳＡＣ（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造を有したＷｓｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にした。 - 特許庁

To provide a new method for producing a cyclic tetrasaccharide having a structure of cyclo{→6)-α-D-glucopyranosyl-(1→3)-α-D- glucopyranosyl-(1→6)-α-D-glucopyranosyl-(1→3)-α-D-glucopyranosyl-(1→}.例文帳に追加

サイクロ｛→６）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→３）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→６）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→３）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→｝の構造を有する環状四糖の新規製造法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this member, preferably the structure is set so that when the depth (d) of the recessed groove is d (mm), and the thickness (t) of the thermoplastic elastomer layer 3 is t (mm), the relationship between (d) and (t) satisfies the expressions: 0.1≤d/t≤0.5 and t≥1.例文帳に追加

本部材において、前記の凹溝の深さをｄ（ｍｍ）とし、前記熱可塑性エラストマー層の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、ｄとｔの関係が式： ０．１≦ｄ／ｔ≦０．５ かつ ｔ≧１ の関係を満足するような構造に設定することが好ましい。 - 特許庁

The solar cell is configured by a pin structure, includes a quantum dot D having a three-dimensional quantum closing action in the i layer 3 of the photodetecting layer so that the energy band structure of the quantum dot D and the barrier layer surrounding it form a type II.例文帳に追加

ｐｉｎ構造で構成され、光検知層であるｉ層３に３次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットＤを含み、量子ドットＤ及びそれを囲むバリア層のエネルギ・バンド構造がｔｙｐｅ II を成している。 - 特許庁