「3-D structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In this member, preferably the structure is set so that when the depth (d) of the recessed groove is d (mm), and the thickness (t) of the thermoplastic elastomer layer 3 is t (mm), the relationship between (d) and (t) satisfies the expressions: 0.1≤d/t≤0.5 and t≥1.例文帳に追加

本部材において、前記の凹溝の深さをｄ（ｍｍ）とし、前記熱可塑性エラストマー層の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、ｄとｔの関係が式： ０．１≦ｄ／ｔ≦０．５ かつ ｔ≧１ の関係を満足するような構造に設定することが好ましい。 - 特許庁

The solar cell is configured by a pin structure, includes a quantum dot D having a three-dimensional quantum closing action in the i layer 3 of the photodetecting layer so that the energy band structure of the quantum dot D and the barrier layer surrounding it form a type II.例文帳に追加

ｐｉｎ構造で構成され、光検知層であるｉ層３に３次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットＤを含み、量子ドットＤ及びそれを囲むバリア層のエネルギ・バンド構造がｔｙｐｅ II を成している。 - 特許庁

A probe (11) includes a support structure for supporting respective probes (A-D) at a predetermined distance interval and contact pressure regulating means (15 and 16) for bringing the respective probes (A-D) into contact with the surface (3) of the film to be inspected under predetermined contact pressure.例文帳に追加

プローブ（１１）は、各触針（Ａ〜Ｄ）を所定の距離間隔に支持する支持構造と、各触針（Ａ〜Ｄ）を被検査皮膜表面（３）に所定の接圧にて接触させる接圧調節手段（１５，１６）を備える。 - 特許庁

A truncated diffractive structure can be disposed on one of the surfaces for generating a near-focus power (e.g., in a range of about 3 D to about 4 D).例文帳に追加

面のうちの一方の表面上に切断された回折構造を配置して、例えば約3D〜約4Dの範囲の近焦点ジオプトリーを生成させることができる。 - 特許庁

When simulation for finding light intensity right below a mask having this structure about dig depth D is performed, it is recognized that D is larger than wavelength λ and resolution is improved and further, higher resolution was obtained as the depth D increased in the order of 1×λ, 3×λ, and 6×λ.例文帳に追加

この構造を有するフォトマスクに、掘り込み深さＤに対するマスク直下の光強度を求めるシミュレーションを行ったところ、Ｄが波長λ以上で解像度向上効果が認められ、更に深さＤが１ラλ→３ラλ→６ラλと深くなるに従いより高い解像度が得られた。 - 特許庁

Thereafter, when the temperature of the semiconductor laminated structure 1 is lowered to the room temperature, the substrate 2 and all the films 3, 4 and 5 become flat almost without warpage in the semiconductor laminated structure 1 (d).例文帳に追加

しかる後、半導体積層構造体１の温度が室温まで低下すると、半導体積層構造体１は基板２及びすべての膜３、４、５がほぼ反りのない平坦なものとなる（ｄ）。 - 特許庁

The invention provides a sleeper structure 1 including a plurality of strut materials 2, which are erected on earth floor concrete D under the floor of a house, and a plurality of sleepers 3, which are fixedly supported on the strut materials 2 and lie next to each other extending in parallel, and also a method for constructing the sleeper structure.例文帳に追加

家屋の床下の土間コンクリートＤに立設される複数の束材２と、該束材２に固定支持されかつ互いに平行にのびて隣り合う複数の大引３とを含む大引構造体１及びその施工方法である。 - 特許庁

The Shore hardness (ASTM D 2240) is 2-80 at 10-40±3°C, the width or diameter of the convex or concave structure is from 100 nm to 5,000 μm and the aspect ratio of the convex or concave structure is 0.2-10.0.例文帳に追加

温度１０℃〜４０℃±３におけるショア硬度（ＡＳＴＭ Ｄ ２２４０）が、２〜８０の範囲であり、凸、又は凹構造の幅または直径が１００ｎｍ〜５０００μｍであり、前記凸、又は凹のアスペクト比が０．２〜１０．０の範囲である。 - 特許庁

Since a bottom face at an end of the beam member 1 is supported by a holder 3, a fixing portion 2a of the hanger 2 is not deformed even though a gap d between the hanger 2 and the holder 3 becomes larger and thus any settlement of the suspended frame structure T can be prevented.例文帳に追加

梁部材１の端部下面が受け具３で支承されるから、吊部材２と受け具３との間の隙間ｄが大きくなっても、吊部材２の固定部２ａが変形せず、吊架台Ｔの沈下が防止される。 - 特許庁

In the optical head 1, the electrical substrate 10 and the photodetector 3 are provided with structure, where the width (d) of an electric substrate extending part 11 is formed more narrow than the width (p) of the photodetector 3 and two side surfaces 3a, 3a of the photodetector 3 are protruded from the electrical substrate 10 and fixed.例文帳に追加

光学ヘッド１において、電気基板１０と光学検出器３とは電気基板延部１１の幅ｄが光学検出器３の幅ｐより狭く形成されていて、光学検出器３の２側面３ａ，３ａが電気基板１０から突出させて固定されてなる構造を備えている。 - 特許庁

When cleavage is performed along a division line D from the other side of a semiconductor substrate 2, the multilayer semiconductor structure 3 can be divided without making the cleavage interface reach the plating electrode layer 5.例文帳に追加

また、分割線Ｄに沿って半導体基板２の他面側からへき開を行うことで、へき界面をめっき電極層５まで到達させずに多層半導体構造３を分割できる。 - 特許庁

A space distance d between the back of this wafer testpiece 3 and the electrode plate 7 is set so as to obtain a capacitance needed for an integrating circuit structure as a capacitance with dielectric constant being 1 (a vacuum).例文帳に追加

この材料ウェハ３の裏面と電極プレート７との間の空間の距離ｄは、誘電率が１（真空）の容量として積分回路構成に必要な容量が得られるように設定される。 - 特許庁

Then, an ultraviolet curing resin 3 is mounted thereon (c), and a predetermined rugged structure is formed on the top face by using a molding technique wit a die and is hardened with ultraviolet irradiation (d).例文帳に追加

そして、その上に紫外線硬化型樹脂３を載せ（ｃ）、型による成型手法を用いてその上面に所定の凹凸構造を形成して紫外線照射により硬化させる（ｄ）。 - 特許庁

Such a near-field optical element 100 can emit the near-field light at the fine opening part 4 having a diameter d of about 1/2 or less of the emitted light wavelength of the laminated structure 2 of the group 3 nitride compound semiconductor.例文帳に追加

このような近接場光素子１００は、３族窒化物系化合物半導体の積層構造２の発光波長の１／２程度以下の直径ｄを有する微小開口部４において近接場光を発することができる。 - 特許庁

The light emitting device in a structure shown by Fig. 1 (d) is obtained by performing a resin curing process for forming a color conversion layer 3 by curing the non-cured resin layer 2b containing phosphors after the blast process.例文帳に追加

ブラスト工程の後、蛍光体含有未硬化樹脂層２ｂを硬化させることで色変換層３を形成する樹脂硬化工程を行うことによって、図１（ｄ）に示す構造の発光装置を得る。 - 特許庁

The cover engaging part D of the concrete structure is constructed by fixing a stiffener 2 wound with a water permeable sheet 3, to a form 1 to place concrete in the form 1.例文帳に追加

コンクリート構造物の蓋掛り部Ｄを、透水シート３が巻き付けられた桟木２を型枠１に固定して、型枠１内にコンクリートを打設する。 - 特許庁

Moreover, in the projection structure 1, a distance D from an outer circumference 23 of the end face 22 of the base material 2 to a pedestal end 31 of the projection 3 is 5 μm or less.例文帳に追加

さらに、この突起構造体１においては、基材２の端面２２の外周２３から突起３の基端３１までの距離Ｄが５μｍ以下である。 - 特許庁

With the encryption configuration to which an extended Feistel structure such that the integer number (d) of data sequences is ≥3 is applied, a common function can be applied to involution properties, i.e. an encryption processing and a decryption processing.例文帳に追加

データ系列数：ｄをｄ≧３の整数とした拡張型Ｆｅｉｓｔｅｌ構造を適用した暗号処理構成において、インボリューション性、すなわち暗号化処理と復号処理に共通の関数を適用可能とした。 - 特許庁

The structure comprises a flat platen 1 extending from a crimp 2 for crimping and securing a wire harness W, and a plurality of connections 3 formed continuously to the flat plate 1 for being removably connected to a plurality of branch electric wires A to D.例文帳に追加

ワイヤハーネスＷを圧着固定する圧着部２から延びた平板部１と、この平板部１に連成された複数の分岐電線ＡないしＤと着脱自在に接続するための複数の接続部３とを備えたものである。 - 特許庁

To provide a device and a data structure capable of performing graphics processing for sticking another image on the surface of a three-dimensional(3 D) object drawn on an image in a short time with a little computational complexity.例文帳に追加

画像に描かれた３次元物体の表面に別の画像の貼り付けるグラフィックス処理を、少ない計算量で短時間に行うことのできる装置およびデータ構造を提供する。 - 特許庁

The internal region of a concrete structure 2 is divided into a plurality of sections A, B, C, D, by broken lines (1), (2), (3) and these sections are demolished by blasting in succession one by one.例文帳に追加

コンクリート構造物２の内部領域を破線 ， ， により複数の区画Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに区分けし、各区画Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄごとに順次爆破により解体する。 - 特許庁

The aromatic compound is represented by formula (1) (wherein T is represented by formula (2) and contains at least a structure represented by formula (3); and D is represented by formula (4)).例文帳に追加

式（１）で表わされることを特徴とする芳香族化合物；［式（１）中、Ｔは式（２）で表わされ、少なくとも式（３）で表わされる構造を含み、Ｄは式（４）で表わされる。 - 特許庁

By this structure, the distance d between the liquid crystal panel 3 as a lower potential part and the booster 6 as a high potential part can be increased in the same fabrication area.例文帳に追加

このような配置構造とすることにより低電位部である液晶パネル３と、高電位部である昇圧部６の距離ｄを同一の実装面積の中で多くとることができる。 - 特許庁

In this burglar-proof lattice fitting structure, a burglar-proof lattice 1 is fitted to an opening part 30 of an external wall 3 provided with a window sash 2 so as to be fitted in a wall thickness D of the opening part 30.例文帳に追加

窓サッシ２が設けられてなる外壁３の開口部３０において、開口部３０の壁厚Ｄに納まるように、面格子１が取り付けられてなる取付構造。 - 特許庁

Shore hardness (ASTM D 2240) at temperature of 10°C-40°C±3 is within a range of 20-80, a width or a diameter of projected, or recessed structure is 100 nm-5000 μm, aspect ratio of the projection, or the recess is within a range of 0.2-10.0.例文帳に追加

温度１０℃〜４０℃±３におけるショア硬度（ＡＳＴＭ Ｄ ２２４０）が、２０〜８０の範囲であり、凸、又は凹構造の幅または直径が１００ｎｍ〜５０００μｍであり、前記凸、又は凹のアスペクト比が０．２〜１０．０の範囲である。 - 特許庁

This dental implant comprises the implant body 1 fixable in the alveolar bone H and the abutment 2 for mounting an artificial tooth crown D, and a tapered screw structure 3 formed of a tapered male screw 3b and a tapered female screw 3a is used as a screw structure for connecting and fixing the abutment to the implant body.例文帳に追加

歯槽骨Ｈに固定可能なインプラント体１及び人工歯冠Ｄを装着可能なアバットメント２からなり、インプラント体にアバットメントを結合固定するためのネジ構造としてテーパー雄ネジ３ｂ及びテーパー雌ネジ３ａからなるテーパーネジ構造３を用いてなる。 - 特許庁

This bearing structure is characterized by arranging the two shaft plates 3 and 4 having bored central holes 3a and 4a for the freely sliding by arranging the level difference D in upper and lower parts of the central shaft 1, and fixing these two shaft plates 3 and 4 above and below the cylindrical housing 5.例文帳に追加

中心軸１の上下に、段差Ｄを設けて摺動自在の中心孔３ａ，４ａを穿った二枚の軸板３，４を配設し、これら二枚の軸板３，４を筒状ハウジング５の上下に固着して成ることを特徴とする軸受構造。 - 特許庁

By such arrangement, when an erroneously inserted another disk D is forcibly pushed in by the user, the free ends of the detection pins 3 are restrained on outer edge parts of the retracting holes 2a, so that the detection pins 3 has the pseudo both ends supported structure.例文帳に追加

このような構成により、誤挿入された別のディスクＤをユーザが無理に押し込もうとしたとき、そのディスクＤの挿入力によって検知ピン３の自由端が退避孔２ａの外縁部に係止され、検知ピン３を擬似的に両端支持構造とすることができる。 - 特許庁

A polymer material having a branch structure is prepared by reacting a diaminophenol compound A with a d-valent, compound B (wherein d is an integer of 3 to 10) capable of reacting with an amino group of the compound A and having an organic group containing fluorine and by reacting a dicarboxylic acid compound C with it.例文帳に追加

ジアミノフェノール化合物（Ａ）と、該化合物（Ａ）のアミノ基と反応し得る、フッ素を含む有機基を有するｄ価の化合物（Ｂ）(ｄは３以上１０以下の整数）とを反応させ、さらにジカルボン酸化合物（Ｃ）を反応させて得られる、枝分かれ構造を有する重合体材料を、支持体に塗布し閉環させることにより、一般式（６）で表される構造単位を主構造とし、低密度化された樹脂層からなる有機絶縁膜を得る。 - 特許庁

A capacitor C and a variable capacity diode D are connected between a small metal plate 35 arranged at a band-gap surface of a substrate 3 having an EBG structure and a conductive layer 31 to be grounded, and control voltage V is applied through a control terminal TC to thereby be able to adjust the capacitance of the variable capacity diode D.例文帳に追加

ＥＢＧ構造を有する基板３のバンドギャップ面に配置される金属小板３５と、グランドとなる導電層３１との間に、コンデンサＣ，可変容量ダイオードＤを接続し、制御端子ＴＣを介して制御電圧Ｖを印加することによって、可変容量ダイオードＤの容量を調整可能に構成する。 - 特許庁

The adhesive layer 3 includes (A) a polyimide silicone resin which has a specific structure, (B) a compound containing at least two oxiranyl groups, and (D) a cured radiation curable composition containing a cationic photopolymerization initiator.例文帳に追加

接着剤層３は、（Ａ）特定の構造を有するポリイミドシリコーン樹脂、（Ｂ）オキシラニル基を二つ以上含有する化合物、（Ｃ）オキセタニル基を二つ以上含有する化合物、及び（Ｄ）カチオン性光重合開始剤を含む放射線硬化性組成物の硬化物からなる。 - 特許庁

The laminated battery structure 1 is formed by housing a flat plate-like battery body 32 in a flexible sheet-like container 31 and laminating a plurality of laminated batteries 3 formed by extracting a pair of sheet-like electrodes from the battery body 32 to an outside of the sheet-like container 31 in a lamination direction D.例文帳に追加

ラミネート電池構造体１は、可撓性のシート状容器３１内に平板状の電池本体３２が収容され、電池本体３２から一対のシート状の電極がシート状容器３１の外部に引き出されてなるラミネート電池３を積層方向Ｄに複数枚積層してなる。 - 特許庁

Cement milk (having solidification strength of about 100 to 300 kg/cm^2 corresponding to the strength of the bearing ground) is injected into the wide bottom portion, and following the solidification of the cement milk, a pile structure 10 in which the prefabricated pile 4 is buried in the wide bottom portion 3 of the pile hole 1 is constructed in Fig.(d).例文帳に追加

拡底部内にセメントミルク（支持地盤の強度に対応した固化強度１００〜３００ｋｇ／ｃｍ^2 程度）を注入し、セメントミルクが固化後に、杭穴１の拡底部３内に既製杭４が埋設された杭構造１０を構築する（ｄ）。 - 特許庁

The second piping structure forms a take-out position of the expansion vent pipe 4 from the drainage leader 3 in the side directly under the connection of a drainage horizontal branch pipe 2d in the highest floor (fourth floor D) to effectively use an underfloor space, and the degree of freedom of a building design is promoted.例文帳に追加

第２の配管構造は、排水立主管３からの伸頂通気管４の取出位置を、最上階（４階Ｄ）の排水横枝管２ｄの接続部直下の側面に形成することで、床下の空間を有効に利用して建築計画の自由度を高める。 - 特許庁

According to the connection structure between the bathroom ceiling panel 13 and the bathroom column frame 7 via the connection auxiliary member (1, 2, or 3) by means of fastening fixtures (such as screws) 5, the location of a peripheral portion of the ceiling panel deviates inward or outward from the column frame 7 (reference) by a predetermined distance (d).例文帳に追加

接続補助部材（１／２／３）を介した締結具（ビスなど）５による浴室天井パネル１３と浴室柱フレーム７との接続構造において、柱フレーム７（基準）に対する天井パネル周縁部の位置関係は、所定の距離（ｄ）だけ内側又は外側へ偏って形成されている。 - 特許庁

The furnace body 2 has, at a low portion thereof, an inert gas feed nozzle 5 through which a hot inert gas is fed, and a residue collecting chamber 3 having a closed structure is provided around a discharge port through which the residue d at the lower portion of the furnace body 2 is discharged.例文帳に追加

炉体２の下部に炉体２の内部に高温の不活性ガスを導入する不活性ガス導入ノズル５を設け、炉体２の下部の残滓物ｄが排出される排出口２５の周囲に密閉構造の残滓物回収室３を設けた。 - 特許庁

In the demolishing method for a concrete structure 2, a part of internally existing reinforcements or steel frames is exposed out of the concrete structure 2 and shock waves simultaneously or stepwise generated by plasma discharging or blasting are imparted in two directions of the axial direction C and the direction D orthogonal to the axis to the same reinforcements 3 or the steel frame with every time interval.例文帳に追加

コンクリート構造物２の解体工法において、コンクリート構造物２から、内在する鉄筋３乃至鉄骨の一部を露出させ、当該露出させた鉄筋３乃至鉄骨に対してその軸方向Ｃ及び軸に対して直角方向Ｄの２方向に、同時又は段階的にプラズマ放電乃至発破により発生させた衝撃波を同一の鉄筋３乃至鉄骨に、時間的間隔をあけて付与することとした。 - 特許庁

At a joint surface between a laminating board 3 and a heat sink board 1 in a semiconductor device comprising such structure as C/D(cavity down) BGA(ball grid array), ABGA(advanced ball grid array), etc., a ventilation hole 8 which opens a cavity 5 to the outside is provided for exhausting the remaining air in the cavity 5 to the outside through the ventilation hole 8.例文帳に追加

Ｃ／Ｄ（キャビテイ・ダウン）ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ），ＡＢＧＡ（アドバンスト・ボール・グリッド・アレイ）等の構造をもつ半導体装置におけるヒートシンク基板１と積層基板３との接合面に、キャビテイ５内を外部に開放する通気孔８を設け、通気孔８を通してキャビテイ５内の残留空気を外部に排気する。 - 特許庁

In the dielectric ceramic, (a) a rectangular void type crystal defect exists in a dielectric particle, (b) the maximum diameter of the rectangular void type crystal defect is ≤3 nm, (c) the proportion occupied by dielectric particle having a perovskite type crystal structure of ABO_3 is ≥99 mass% and (d) the average particle diameter is ≤200 nm.例文帳に追加

（ａ）誘電体粒子内に四角空隙型の結晶欠陥を有するとともに、（ｂ）該四角空隙型の結晶欠陥の最大径が３ｎｍ以下であり、（ｃ）ＡＢＯ_３のペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体粒子の占める割合が９９質量％以上であり、（ｄ）平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In regard to this point, the “Report on the Work of the Government” of the National People’s Congress, which was held in March 2007, once again indicates determination to achieve the objective for 2010, and as for factors behind the poor results, it mentions: (a) the continued expansion of energy-intensive industries without very much progress in adjustments to the industry structure, (b) the lack of progress in weeding out excess production capacity, (c) the failure of some local governments and companies to enforce regulations and standards for energy conservation and environmental protection, and (d) the need for a certain amount of time before the results of related measures are clear.例文帳に追加

この点に関しては、2007 年 3月に開催された全国人民代表大会における「政府活動報告」では、2010 年の目標達成に向けた決意が改めて示されるとともに、低調な結果となった背景として、①産業構造の調整がなかなか進まず、エネルギー多消費産業の拡大が続いていること、②過剰生産能力の淘汰が進んでいないこと、③一部の地方と企業が省エネ・環境保護の法規と基準を実施していないこと、④関連施策の成果が明らかになるには一定の時間を要することが報告されている。 - 経済産業省

Article 36 (1) The provisions of Article 8 to Article 8-2-3 shall apply mutatis mutandis to a building or another structure specified by Cabinet Order as one for which the respective measures set forth in these provisions are particularly necessary in order to mitigate any damage arising from disasters, other than fires, specified by Cabinet Order. In this case: in Article 8, paragraph (1) to paragraph (4), the term "fire prevention manager" shall be deemed to be replaced with "disaster prevention manager"; in Article 8, paragraph (1), the phrase "qualified persons specified by Cabinet Order" shall be deemed to be replaced with "qualified persons who have knowledge of the mitigation of the damage arising from fires and other disasters and who are specified by Cabinet Order," and the phrase "conduct drills for fire extinguishing activities, reporting and evacuation, inspect and improve the equipment used for fire defense, water supply for fire defense or facilities necessary for fire extinguishing activities, supervise the use or handling of fire, maintain and manage the structure and equipment necessary for evacuation or fire prevention, manage the capacity of the property at the appropriate level, and perform any other operations necessary for fire prevention management" shall be deemed to be replaced with "conduct drills for evacuation and perform any other operations necessary for disaster prevention management"; in Article 8, paragraph (4), Article 8-2, paragraph (1) and Article 8-2-2, paragraph (1), the phrase "for fire prevention management" shall be deemed to be replaced with "for disaster prevention management"; in Article 8-2-2, paragraph (1), the phrase "on the prevention of fire" shall be deemed to be replaced with "on the mitigation of the damage arising from disasters, other than fires, specified by Cabinet Order," and the phrase "the installation and maintenance of equipment used for fire defense, water supply for fire defense or facilities necessary for fire extinguishing activities and other matters necessary for prevention of fire" shall be deemed to be replaced with "and other matters necessary for the mitigation of the damage arising from disasters, other than fires, specified by Cabinet Order"; in Article 8-2-2, paragraph (1) and paragraph (2) and Article 8-2-3, paragraph (1), item (ii)(d), the term "qualified inspector of property under fire prevention measures" shall be deemed to be replaced with "qualified inspector for disaster prevention management"; in Article 8-2-3, paragraph (1), item (ii)(a), and paragraph (6), item (ii) of said Article, the phrase "or Article 17-4, paragraph (1) or paragraph (2)" shall be deemed to be replaced with ", Article 17-4, paragraph (1) or paragraph (2), or Article 8, paragraph (3) or paragraph (4) as applied mutatis mutandis pursuant to Article 36, paragraph (1)." 例文帳に追加

第三十六条　第八条から第八条の二の三までの規定は、火災以外の災害で政令で定めるものによる被害の軽減のため特に必要がある建築物その他の工作物として政令で定めるものについて準用する。この場合において、第八条第一項から第四項までの規定中「防火管理者」とあるのは「防災管理者」と、同条第一項中、「政令」とあるのは、「火災その他の災害の被害の軽減に関する知識を有する者で政令」と、「消火、通報及び避難の訓練の実施、消防の用に供する設備、消防用水又は消火活動上必要な施設の点検及び整備、火気の使用又は取扱いに関する監督、避難又は防火上必要な構造及び設備の維持管理並びに収容人員の管理その他防火管理上」とあるのは「避難の訓練の実施その他防災管理上」と、同条第四項、第八条の二第一項及び第八条の二の二第一項中「防火管理上」とあるのは「防災管理上」と、同項中「火災の予防に」とあるのは「火災以外の災害で政令で定めるものによる被害の軽減に」と、「、消防の用に供する設備、消防用水又は消火活動上必要な施設の設置及び維持その他火災の予防上」とあるのは「その他火災以外の災害で政令で定めるものによる被害の軽減のために」と、同項、同条第二項及び第八条の二の三第一項第二号ニ中「防火対象物点検資格者」とあるのは「防災管理点検資格者」と、同号イ及び同条第六項第二号中「又は第十七条の四第一項若しくは第二項」とあるのは、「、第十七条の四第一項若しくは第二項又は第三十六条第一項において準用する第八条三項若しくは第四項」と読み替えるもとのする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム