「3-D structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an apparatus for obtaining 3-D image data from the surface of a tooth or other intra-oral structure.例文帳に追加

歯又はその他の口腔内構造の表面から３Ｄイメージデータを得る装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for producing a cyclic tetrasaccharide having a structure of cyclo{→6)-α-D-glucopyranosyl-(1→3)-α-D- glucopyranosyl-(1→6)-α-D-glucopyranosyl-(1→3)-α-D-glucopyranosyl-(1→}.例文帳に追加

サイクロ｛→６）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→３）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→６）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→３）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→｝の構造を有する環状四糖の新規製造法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the device where DRAMs are mixedly mounted, a gate electrode 2 at a logic section is set to a double structure of CoSi/D-α (D-Poly), and a gate electrode 3 at a DRAM section is set to a double structure of Wsi/D-α (D-P) having an SAC(self alignment contact) structure.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載デバイスにおいて、ロジック部のゲート電極２をＣｏＳｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にし、ＤＲＡＭ部のゲート電極３はＳＡＣ（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造を有したＷｓｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にした。 - 特許庁

A spring structure comprising circular rubber plates and metallic plates that are alternately laminated, wherein the following conditions are met: (1) t - 5mm, (2) D/t - 50, (3) 8>D/h>5, and (4) the hardness of each rubber plate is less than 40, Wherein the thickness of each rubber plate is defined as “t,” the diameter of each rubber plate is defined as “D”, and the total thickness of the rubber plates is defined as “h.” 例文帳に追加

円形のゴム板と金属板とを交互に積層し一体化したものにおいて、ゴム板の厚みをt、ゴム板の直径をD、ゴム板の総厚をhとしたとき、 （１） t ≧5mm、 （２） D/t ≧50 （３） 8＞D/h＞5であり， （４） 且つゴム板の硬度は40以下であることを特徴とするバネ構体。 - 特許庁

A truncated diffractive structure can be disposed on one of the surfaces for generating a near-focus power (e.g., in a range of about 3 D to about 4 D).例文帳に追加

面のうちの一方の表面上に切断された回折構造を配置して、例えば約3D〜約4Dの範囲の近焦点ジオプトリーを生成させることができる。 - 特許庁

In a support apparatus for design of structure, 3-D CAD models and performance information of structures designed in the past are stored into a model storage part 150.例文帳に追加

過去に設計した構造物の３次元ＣＡＤモデル及び性能情報をモデル記憶部１５０に蓄積しておく。 - 特許庁

In this member, preferably the structure is set so that when the depth (d) of the recessed groove is d (mm), and the thickness (t) of the thermoplastic elastomer layer 3 is t (mm), the relationship between (d) and (t) satisfies the expressions: 0.1≤d/t≤0.5 and t≥1.例文帳に追加

本部材において、前記の凹溝の深さをｄ（ｍｍ）とし、前記熱可塑性エラストマー層の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、ｄとｔの関係が式： ０．１≦ｄ／ｔ≦０．５ かつ ｔ≧１ の関係を満足するような構造に設定することが好ましい。 - 特許庁

The solar cell is configured by a pin structure, includes a quantum dot D having a three-dimensional quantum closing action in the i layer 3 of the photodetecting layer so that the energy band structure of the quantum dot D and the barrier layer surrounding it form a type II.例文帳に追加

ｐｉｎ構造で構成され、光検知層であるｉ層３に３次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットＤを含み、量子ドットＤ及びそれを囲むバリア層のエネルギ・バンド構造がｔｙｐｅ II を成している。 - 特許庁

To provide a method for producing a micro element allowing total mass manufacturing even if the micro element is of a structure having a 3-D shaped slit.例文帳に追加

３次元形状のスリットを持つ構造物であっても一括して大量に生産できるようなマイクロ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, in the projection structure 1, a distance D from an outer circumference 23 of the end face 22 of the base material 2 to a pedestal end 31 of the projection 3 is 5 μm or less.例文帳に追加

さらに、この突起構造体１においては、基材２の端面２２の外周２３から突起３の基端３１までの距離Ｄが５μｍ以下である。 - 特許庁

The cover engaging part D of the concrete structure is constructed by fixing a stiffener 2 wound with a water permeable sheet 3, to a form 1 to place concrete in the form 1.例文帳に追加

コンクリート構造物の蓋掛り部Ｄを、透水シート３が巻き付けられた桟木２を型枠１に固定して、型枠１内にコンクリートを打設する。 - 特許庁

A probe (11) includes a support structure for supporting respective probes (A-D) at a predetermined distance interval and contact pressure regulating means (15 and 16) for bringing the respective probes (A-D) into contact with the surface (3) of the film to be inspected under predetermined contact pressure.例文帳に追加

プローブ（１１）は、各触針（Ａ〜Ｄ）を所定の距離間隔に支持する支持構造と、各触針（Ａ〜Ｄ）を被検査皮膜表面（３）に所定の接圧にて接触させる接圧調節手段（１５，１６）を備える。 - 特許庁

An attitude calculating part 33 calculates the 3-D attitude of the solid structure 1 based on the 3-D position calculated by the position calculating part 31, and the positions of the 1st symmetric figure of revolution and the 2nd figure of revolution detected by the figure detecting part 32.例文帳に追加

姿勢算出部３３は位置算出部３１で求められた立体１の３次元位置と図形検出部３２で検出された第１の回転対称図形および第２の回転対称図形の位置に基づき立体１の３次元姿勢を算出する。 - 特許庁

Thereafter, when the temperature of the semiconductor laminated structure 1 is lowered to the room temperature, the substrate 2 and all the films 3, 4 and 5 become flat almost without warpage in the semiconductor laminated structure 1 (d).例文帳に追加

しかる後、半導体積層構造体１の温度が室温まで低下すると、半導体積層構造体１は基板２及びすべての膜３、４、５がほぼ反りのない平坦なものとなる（ｄ）。 - 特許庁

When simulation for finding light intensity right below a mask having this structure about dig depth D is performed, it is recognized that D is larger than wavelength λ and resolution is improved and further, higher resolution was obtained as the depth D increased in the order of 1×λ, 3×λ, and 6×λ.例文帳に追加

この構造を有するフォトマスクに、掘り込み深さＤに対するマスク直下の光強度を求めるシミュレーションを行ったところ、Ｄが波長λ以上で解像度向上効果が認められ、更に深さＤが１ラλ→３ラλ→６ラλと深くなるに従いより高い解像度が得られた。 - 特許庁

Here, D expresses the diameter (mm) of the equiaxed crystal as the structure whose crystal orientation is the same, and X expresses the distance (mm) from the surface of the ingot.例文帳に追加

Ｄ＜１．２Ｘ^1/3 ＋０．７５ ・・・・（１） ここで、Ｄは結晶の方位が同一である組織としての等軸晶径（ｍｍ）、Ｘは鋳片の表面からの距離（ｍｍ）である。 - 特許庁

The internal region of a concrete structure 2 is divided into a plurality of sections A, B, C, D, by broken lines (1), (2), (3) and these sections are demolished by blasting in succession one by one.例文帳に追加

コンクリート構造物２の内部領域を破線 ， ， により複数の区画Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに区分けし、各区画Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄごとに順次爆破により解体する。 - 特許庁

Two connectors 7 are placed up and down a capillary aggregate 4 and a support body 5 arranged respectively in planar states to build up the prime-mechanisms of the pump in a 3-D structure.例文帳に追加

平面的に配置されたキャピラリ集合体４と支持体５の上下に２つのコネクタ７が配置されており、ポンプ主要機構が三次元化された構造である。 - 特許庁

SOLID STRUCTURE, METHOD, SYSTEM, AND PROGRAM FOR DETECTING 3-D POSITION/ATTITUDE, AND MEDIUM RECORDED WITH THE PROGRAM例文帳に追加

３次元位置・姿勢検出用立体、３次元位置・姿勢検出方法、３次元位置・姿勢検出装置、３次元位置・姿勢検出プログラム、およびそのプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

At a part 27 wherein the depth of the rack teeth forming portion 22 from a surface of a back surface portion 26 is 3/4 D, total area percentage of a tempering bainite structure and a tempering martensite structure is 30 to 100%, and reproduction pearlite structure is 0 to 50% in area percentage.例文帳に追加

ラック歯形成部２２の背面部２６の表面からの深さが（３／４）Ｄの部分２７で、焼戻しベイナイト組織と焼戻しマルテンサイト組織の合計の面積百分率が３０〜１００％で且つ再生パーライト組織が面積百分率で０〜５０％である。 - 特許庁

The Shore hardness (ASTM D 2240) is 2-80 at 10-40±3°C, the width or diameter of the convex or concave structure is from 100 nm to 5,000 μm and the aspect ratio of the convex or concave structure is 0.2-10.0.例文帳に追加

温度１０℃〜４０℃±３におけるショア硬度（ＡＳＴＭ Ｄ ２２４０）が、２〜８０の範囲であり、凸、又は凹構造の幅または直径が１００ｎｍ〜５０００μｍであり、前記凸、又は凹のアスペクト比が０．２〜１０．０の範囲である。 - 特許庁

To provide a device and a data structure capable of performing graphics processing for sticking another image on the surface of a three-dimensional(3 D) object drawn on an image in a short time with a little computational complexity.例文帳に追加

画像に描かれた３次元物体の表面に別の画像の貼り付けるグラフィックス処理を、少ない計算量で短時間に行うことのできる装置およびデータ構造を提供する。 - 特許庁

Then, an ultraviolet curing resin 3 is mounted thereon (c), and a predetermined rugged structure is formed on the top face by using a molding technique wit a die and is hardened with ultraviolet irradiation (d).例文帳に追加

そして、その上に紫外線硬化型樹脂３を載せ（ｃ）、型による成型手法を用いてその上面に所定の凹凸構造を形成して紫外線照射により硬化させる（ｄ）。 - 特許庁

By this structure, the distance d between the liquid crystal panel 3 as a lower potential part and the booster 6 as a high potential part can be increased in the same fabrication area.例文帳に追加

このような配置構造とすることにより低電位部である液晶パネル３と、高電位部である昇圧部６の距離ｄを同一の実装面積の中で多くとることができる。 - 特許庁

The aromatic compound is represented by formula (1) (wherein T is represented by formula (2) and contains at least a structure represented by formula (3); and D is represented by formula (4)).例文帳に追加

式（１）で表わされることを特徴とする芳香族化合物；［式（１）中、Ｔは式（２）で表わされ、少なくとも式（３）で表わされる構造を含み、Ｄは式（４）で表わされる。 - 特許庁

When cleavage is performed along a division line D from the other side of a semiconductor substrate 2, the multilayer semiconductor structure 3 can be divided without making the cleavage interface reach the plating electrode layer 5.例文帳に追加

また、分割線Ｄに沿って半導体基板２の他面側からへき開を行うことで、へき界面をめっき電極層５まで到達させずに多層半導体構造３を分割できる。 - 特許庁

In this burglar-proof lattice fitting structure, a burglar-proof lattice 1 is fitted to an opening part 30 of an external wall 3 provided with a window sash 2 so as to be fitted in a wall thickness D of the opening part 30.例文帳に追加

窓サッシ２が設けられてなる外壁３の開口部３０において、開口部３０の壁厚Ｄに納まるように、面格子１が取り付けられてなる取付構造。 - 特許庁

Since a bottom face at an end of the beam member 1 is supported by a holder 3, a fixing portion 2a of the hanger 2 is not deformed even though a gap d between the hanger 2 and the holder 3 becomes larger and thus any settlement of the suspended frame structure T can be prevented.例文帳に追加

梁部材１の端部下面が受け具３で支承されるから、吊部材２と受け具３との間の隙間ｄが大きくなっても、吊部材２の固定部２ａが変形せず、吊架台Ｔの沈下が防止される。 - 特許庁

In the optical head 1, the electrical substrate 10 and the photodetector 3 are provided with structure, where the width (d) of an electric substrate extending part 11 is formed more narrow than the width (p) of the photodetector 3 and two side surfaces 3a, 3a of the photodetector 3 are protruded from the electrical substrate 10 and fixed.例文帳に追加

光学ヘッド１において、電気基板１０と光学検出器３とは電気基板延部１１の幅ｄが光学検出器３の幅ｐより狭く形成されていて、光学検出器３の２側面３ａ，３ａが電気基板１０から突出させて固定されてなる構造を備えている。 - 特許庁

The invention provides a sleeper structure 1 including a plurality of strut materials 2, which are erected on earth floor concrete D under the floor of a house, and a plurality of sleepers 3, which are fixedly supported on the strut materials 2 and lie next to each other extending in parallel, and also a method for constructing the sleeper structure.例文帳に追加

家屋の床下の土間コンクリートＤに立設される複数の束材２と、該束材２に固定支持されかつ互いに平行にのびて隣り合う複数の大引３とを含む大引構造体１及びその施工方法である。 - 特許庁

This bearing structure is characterized by arranging the two shaft plates 3 and 4 having bored central holes 3a and 4a for the freely sliding by arranging the level difference D in upper and lower parts of the central shaft 1, and fixing these two shaft plates 3 and 4 above and below the cylindrical housing 5.例文帳に追加

中心軸１の上下に、段差Ｄを設けて摺動自在の中心孔３ａ，４ａを穿った二枚の軸板３，４を配設し、これら二枚の軸板３，４を筒状ハウジング５の上下に固着して成ることを特徴とする軸受構造。 - 特許庁

The light emitting device in a structure shown by Fig. 1 (d) is obtained by performing a resin curing process for forming a color conversion layer 3 by curing the non-cured resin layer 2b containing phosphors after the blast process.例文帳に追加

ブラスト工程の後、蛍光体含有未硬化樹脂層２ｂを硬化させることで色変換層３を形成する樹脂硬化工程を行うことによって、図１（ｄ）に示す構造の発光装置を得る。 - 特許庁

A space distance d between the back of this wafer testpiece 3 and the electrode plate 7 is set so as to obtain a capacitance needed for an integrating circuit structure as a capacitance with dielectric constant being 1 (a vacuum).例文帳に追加

この材料ウェハ３の裏面と電極プレート７との間の空間の距離ｄは、誘電率が１（真空）の容量として積分回路構成に必要な容量が得られるように設定される。 - 特許庁

This energy ray-curable resin composition for optical lens sheets includes (A) an ionic liquid; (B) a compound having a polyalkylene oxide structure with an alkylene oxide repetition number of 3-50 and a (meth)acryloyl group, and having no phenylether structure, in the molecule; (C) a (meth)acrylate monomer having a phenylether structure; and (D) a photopolymerization initiator.例文帳に追加

イオン性液体（Ａ）、分子中にフェニルエーテル構造を有さずアルキレンオキサイドの繰り返し数が３〜５０であるポリアルキレンオキサイド構造と（メタ）アクリロイル基とを持つ化合物（Ｂ）、フェニルエーテル構造を有する（メタ）アクリレートモノマー（Ｃ）及び光重合開始剤（Ｄ）を含む光学レンズシート用エネルギー線硬化型樹脂組成物。 - 特許庁

This dental implant comprises the implant body 1 fixable in the alveolar bone H and the abutment 2 for mounting an artificial tooth crown D, and a tapered screw structure 3 formed of a tapered male screw 3b and a tapered female screw 3a is used as a screw structure for connecting and fixing the abutment to the implant body.例文帳に追加

歯槽骨Ｈに固定可能なインプラント体１及び人工歯冠Ｄを装着可能なアバットメント２からなり、インプラント体にアバットメントを結合固定するためのネジ構造としてテーパー雄ネジ３ｂ及びテーパー雌ネジ３ａからなるテーパーネジ構造３を用いてなる。 - 特許庁

A capacitor C and a variable capacity diode D are connected between a small metal plate 35 arranged at a band-gap surface of a substrate 3 having an EBG structure and a conductive layer 31 to be grounded, and control voltage V is applied through a control terminal TC to thereby be able to adjust the capacitance of the variable capacity diode D.例文帳に追加

ＥＢＧ構造を有する基板３のバンドギャップ面に配置される金属小板３５と、グランドとなる導電層３１との間に、コンデンサＣ，可変容量ダイオードＤを接続し、制御端子ＴＣを介して制御電圧Ｖを印加することによって、可変容量ダイオードＤの容量を調整可能に構成する。 - 特許庁

By such arrangement, when an erroneously inserted another disk D is forcibly pushed in by the user, the free ends of the detection pins 3 are restrained on outer edge parts of the retracting holes 2a, so that the detection pins 3 has the pseudo both ends supported structure.例文帳に追加

このような構成により、誤挿入された別のディスクＤをユーザが無理に押し込もうとしたとき、そのディスクＤの挿入力によって検知ピン３の自由端が退避孔２ａの外縁部に係止され、検知ピン３を擬似的に両端支持構造とすることができる。 - 特許庁

The structure comprises a flat platen 1 extending from a crimp 2 for crimping and securing a wire harness W, and a plurality of connections 3 formed continuously to the flat plate 1 for being removably connected to a plurality of branch electric wires A to D.例文帳に追加

ワイヤハーネスＷを圧着固定する圧着部２から延びた平板部１と、この平板部１に連成された複数の分岐電線ＡないしＤと着脱自在に接続するための複数の接続部３とを備えたものである。 - 特許庁

Such a near-field optical element 100 can emit the near-field light at the fine opening part 4 having a diameter d of about 1/2 or less of the emitted light wavelength of the laminated structure 2 of the group 3 nitride compound semiconductor.例文帳に追加

このような近接場光素子１００は、３族窒化物系化合物半導体の積層構造２の発光波長の１／２程度以下の直径ｄを有する微小開口部４において近接場光を発することができる。 - 特許庁

With the encryption configuration to which an extended Feistel structure such that the integer number (d) of data sequences is ≥3 is applied, a common function can be applied to involution properties, i.e. an encryption processing and a decryption processing.例文帳に追加

データ系列数：ｄをｄ≧３の整数とした拡張型Ｆｅｉｓｔｅｌ構造を適用した暗号処理構成において、インボリューション性、すなわち暗号化処理と復号処理に共通の関数を適用可能とした。 - 特許庁

This reinforced polyamide resin composition characteristically comprises (A) a polyamide containing 3-90 mol% aromatic ring-containing polymer unit at least in the structure, (B) an inorganic filler, (C) a triazine derivative and (D) a phosphite compound.例文帳に追加

（Ａ）少なくともその構造中に芳香環含有ポリマー単位を３〜９０モル％含有するポリアミド、（Ｂ）無機充填剤、（Ｃ）トリアジン誘導体及び（Ｄ）ホスファイト化合物からなることを特徴とする強化ポリアミド樹脂組成物。 - 特許庁

Shore hardness (ASTM D 2240) at temperature of 10°C-40°C±3 is within a range of 20-80, a width or a diameter of projected, or recessed structure is 100 nm-5000 μm, aspect ratio of the projection, or the recess is within a range of 0.2-10.0.例文帳に追加

温度１０℃〜４０℃±３におけるショア硬度（ＡＳＴＭ Ｄ ２２４０）が、２０〜８０の範囲であり、凸、又は凹構造の幅または直径が１００ｎｍ〜５０００μｍであり、前記凸、又は凹のアスペクト比が０．２〜１０．０の範囲である。 - 特許庁

The furnace body 2 has, at a low portion thereof, an inert gas feed nozzle 5 through which a hot inert gas is fed, and a residue collecting chamber 3 having a closed structure is provided around a discharge port through which the residue d at the lower portion of the furnace body 2 is discharged.例文帳に追加

炉体２の下部に炉体２の内部に高温の不活性ガスを導入する不活性ガス導入ノズル５を設け、炉体２の下部の残滓物ｄが排出される排出口２５の周囲に密閉構造の残滓物回収室３を設けた。 - 特許庁

Cement milk (having solidification strength of about 100 to 300 kg/cm^2 corresponding to the strength of the bearing ground) is injected into the wide bottom portion, and following the solidification of the cement milk, a pile structure 10 in which the prefabricated pile 4 is buried in the wide bottom portion 3 of the pile hole 1 is constructed in Fig.(d).例文帳に追加

拡底部内にセメントミルク（支持地盤の強度に対応した固化強度１００〜３００ｋｇ／ｃｍ^2 程度）を注入し、セメントミルクが固化後に、杭穴１の拡底部３内に既製杭４が埋設された杭構造１０を構築する（ｄ）。 - 特許庁

The adhesive layer 3 includes (A) a polyimide silicone resin which has a specific structure, (B) a compound containing at least two oxiranyl groups, and (D) a cured radiation curable composition containing a cationic photopolymerization initiator.例文帳に追加

接着剤層３は、（Ａ）特定の構造を有するポリイミドシリコーン樹脂、（Ｂ）オキシラニル基を二つ以上含有する化合物、（Ｃ）オキセタニル基を二つ以上含有する化合物、及び（Ｄ）カチオン性光重合開始剤を含む放射線硬化性組成物の硬化物からなる。 - 特許庁