Au thin filmとは 意味・読み方・使い方

This method comprises an Au thin film formation step for forming an Au thin film of 20 nm or less in thickness on a bonding surface of one silicon member and a heating step for making a bonding surface of the other silicon member and the Au thin film come in contact with each other and heating at a prescribed temperature.例文帳に追加

一方のシリコン部材の接合面に膜厚２０ｎｍ以下のＡｕ薄膜を形成するＡｕ薄膜形成工程と、他方のシリコン部材の接合面と該Ａｕ薄膜とを当接させて所定温度で加熱する加熱工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The Au thin film electrodes 14A and 15A, and 14B and 15B are connected by a bonding wire.例文帳に追加

Ａｕ薄膜電極１４Ａ、１５Ａと１４Ｂ、１５Ｂをボンディングワイヤで接続する。 - 特許庁

Au thin film electrodes 15A and 15B are formed next to the reservoir openings of the chip surface.例文帳に追加

チップ表面のリザーバ開口部に隣接してＡｕ薄膜電極１５Ａ、１５Ｂを形成する。 - 特許庁

A Cr thin film is interposed in between Au of the base metal and Ag of a weight portion.例文帳に追加

下地金属のＡｕと重り部のＡｇの間にＣｒの薄膜を介在させる。 - 特許庁

The translucent thin-film positive electrode 110 comprises a first translucent thin-film positive cobalt (Co) electrode layer 111 having its film thickness of about 15 Å and joined to the contact layer 107, and a second translucent thin-film positive gold (Au) electrode layer 112 having its film thickness of about 60 Å and joined to Co.例文帳に追加

透光性薄膜正電極１１０は、コンタクト層１０７に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)より成る薄膜正電極第１層１１１と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)より成る薄膜正電極第２層１１２とで構成されている。 - 特許庁

In the circuit board S1 wherein a laminated solder H constituted of an alternate multilayer film 4 of Au thin films and Su thin films is formed on a board 1, the uppermost layer 5 and the lowermost layer 3 of the laminated solder H are made of Au thin films, and the total film thickness of the Sn thin films is greater than that of the Au thin films.例文帳に追加

基板１上に、Ａｕ薄膜とＳｎ薄膜の交互多層膜４から成る積層はんだＨを形成した回路基板Ｓ１において、積層はんだ４の最上層５及び最下層３をＡｕ薄膜にするとともに、Ａｕ薄膜の合計膜厚よりＳｎ薄膜の合計膜厚が大であることを特徴とする。 - 特許庁

Successively, a Cr thin film 231 with a film thickness of 0.1 μm is formed on a lower face of the substrate 210, and further an Au thin film 232 with a film thickness of 0.1 μm is formed on a lower face of the Cr thin film 231.例文帳に追加

続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。 - 特許庁

The wafer for LED is obtained by forming an Au plating surface layer of Au or an Au alloy on both surfaces vertically symmetrically around a thin film core material consisting of Mo, and then forming composite underlying layer consisting at least of a Cu plating layer between the core material and the Au plating surface layer, so as to complement and maintain the core material and the Au plating surface layer.例文帳に追加

Ｍｏからなる薄板状のコア材を中心として上下対称となるように、両面にＡｕまたはＡｕ合金のＡｕメッキ表面層を形成し、コア材とＡｕメッキ表面層との間にそれを補完・維持する少なくともＣｕメッキ層からなる複合下地層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁