「Au thin film」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An Au film 12, a Ti film 18 as a crushing film and an Au thin film 19 as an oxidation prevention film are formed at an active layer 11a side of a semiconductor laser bar 11, and an In film 14 and an Au thin film 20 as the oxidation prevention film are formed at a heatsink 13 side.例文帳に追加

半導体レーザバー１１の活性層１１ａ側にＡｕ膜１２、破砕膜としてのＴｉ膜１８、酸化防止膜としてのＡｕ薄膜１９を形成し、ヒートシンク１３側にＩｎ膜１４および酸化防止膜としてのＡｕ薄膜２０を形成する。 - 特許庁

Further, a second light absorption layer 30 comprising an Au thin film 31 and an Au-Si eutectic section 32 is formed also on the back of the silicon substrate 11.例文帳に追加

また、シリコン基板１１の裏面にも、同様にＡｕ薄膜３１とＡｕ−Ｓｉ共晶部３２をからなる第２光吸収層３０を形成する。 - 特許庁

This method comprises an Au thin film formation step for forming an Au thin film of 20 nm or less in thickness on a bonding surface of one silicon member and a heating step for making a bonding surface of the other silicon member and the Au thin film come in contact with each other and heating at a prescribed temperature.例文帳に追加

一方のシリコン部材の接合面に膜厚２０ｎｍ以下のＡｕ薄膜を形成するＡｕ薄膜形成工程と、他方のシリコン部材の接合面と該Ａｕ薄膜とを当接させて所定温度で加熱する加熱工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The Au thin film electrodes 14A and 15A, and 14B and 15B are connected by a bonding wire.例文帳に追加

Ａｕ薄膜電極１４Ａ、１５Ａと１４Ｂ、１５Ｂをボンディングワイヤで接続する。 - 特許庁

Au thin film electrodes 15A and 15B are formed next to the reservoir openings of the chip surface.例文帳に追加

チップ表面のリザーバ開口部に隣接してＡｕ薄膜電極１５Ａ、１５Ｂを形成する。 - 特許庁

A Cr thin film is interposed in between Au of the base metal and Ag of a weight portion.例文帳に追加

下地金属のＡｕと重り部のＡｇの間にＣｒの薄膜を介在させる。 - 特許庁

The translucent thin-film positive electrode 110 comprises a first translucent thin-film positive cobalt (Co) electrode layer 111 having its film thickness of about 15 Å and joined to the contact layer 107, and a second translucent thin-film positive gold (Au) electrode layer 112 having its film thickness of about 60 Å and joined to Co.例文帳に追加

透光性薄膜正電極１１０は、コンタクト層１０７に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)より成る薄膜正電極第１層１１１と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)より成る薄膜正電極第２層１１２とで構成されている。 - 特許庁

In the circuit board S1 wherein a laminated solder H constituted of an alternate multilayer film 4 of Au thin films and Su thin films is formed on a board 1, the uppermost layer 5 and the lowermost layer 3 of the laminated solder H are made of Au thin films, and the total film thickness of the Sn thin films is greater than that of the Au thin films.例文帳に追加

基板１上に、Ａｕ薄膜とＳｎ薄膜の交互多層膜４から成る積層はんだＨを形成した回路基板Ｓ１において、積層はんだ４の最上層５及び最下層３をＡｕ薄膜にするとともに、Ａｕ薄膜の合計膜厚よりＳｎ薄膜の合計膜厚が大であることを特徴とする。 - 特許庁

Successively, a Cr thin film 231 with a film thickness of 0.1 μm is formed on a lower face of the substrate 210, and further an Au thin film 232 with a film thickness of 0.1 μm is formed on a lower face of the Cr thin film 231.例文帳に追加

続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。 - 特許庁

The wafer for LED is obtained by forming an Au plating surface layer of Au or an Au alloy on both surfaces vertically symmetrically around a thin film core material consisting of Mo, and then forming composite underlying layer consisting at least of a Cu plating layer between the core material and the Au plating surface layer, so as to complement and maintain the core material and the Au plating surface layer.例文帳に追加

Ｍｏからなる薄板状のコア材を中心として上下対称となるように、両面にＡｕまたはＡｕ合金のＡｕメッキ表面層を形成し、コア材とＡｕメッキ表面層との間にそれを補完・維持する少なくともＣｕメッキ層からなる複合下地層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

A thin film made of only a Cr is formed on the entire surface of a crystal wafer for which outer shape forming is completed and a pattern is formed by photolithographic work, and a film of (Cr+Au) is newly formed on the Cr thin film on only a mount pad portion and weight portion which need an Au film.例文帳に追加

外形形成が終了した水晶ウエハの全面にＣｒのみの薄膜を成膜してホトリソ加工でパターンを形成後、Ａｕ膜が必要なマウントパッド部と錘部のみに、Ｃｒ薄膜の上にあらたに（Ｃｒ＋Ａｕ）膜を成膜する。 - 特許庁

The element includes a multilayer thin-film comprising a tantalum-nitride film formed on a substrate, a tantalum film formed on the tantalum-nitride film, and an Au thin-film formed on the tantalum film.例文帳に追加

本発明によると、基板上に形成された窒化タンタル膜と、窒化タンタル膜上に形成されたタンタル膜と、タンタル膜上に形成されたＡｕ薄膜とを含む多層薄膜を含む素子に関する。 - 特許庁

A semiconductor element mounting substrate or a heat sink has at least a thin film layer 2 consisting of an active metal layer, a thin film layer 3 consisting of an Ni3Mo layer, a thin film layer 4 consisting of a Cu layer, a thin film layer 5 consisting of an Ni layer and an Au thin film layer 6 on an AlN substrate 1.例文帳に追加

ＡｌＮ基板１に活性金属からなる薄膜層２と、Ｎｉ_3 Ｍｏからなる薄膜層３と、Ｃｕからなる薄膜層４と、Ｎｉからなる薄膜層５と、Ａｕ薄膜層６とを少なくとも有することを特徴としている。 - 特許庁

At the time of carrying out a reaction layer formation process by thermally press-fitting the both of them, the Au thin film 20 on the upper face of the In film 14 is crushed by the hard Ti film 18, a metallic compound is formed of the Au film 12 and the In film 14, and a reaction layer containing the fraction of the Ti film 18 is formed.例文帳に追加

両者を熱圧着することで反応層形成工程を実施すると、硬いＴｉ膜１８によりＩｎ膜１４の上面のＡｕ薄膜２０が破砕され、Ａｕ膜１２とＩｎ膜１４とが金属化合物を形成し、Ｔｉ膜１８の断片を含んだ反応層を形成する。 - 特許庁

Wiring coating layers 5 and 5', which cover a lower wiring layer 3a and an upper wiring layer 3b composed of Au on or above a compound semiconductor substrate 1 and are composed of tantalum or titanium that is a metal having a smaller thin film stress than Au and having a high melting point than Au, are formed by sputter.例文帳に追加

化合物半導体基板１上の、Ａｕからなる下部配線層３ａと上部配線層３ｂの上部を覆って、Ａｕより薄膜応力が小さく高融点を有する金属であるタンタルあるいはチタンからなる配線被覆層５と５’をスパッタにより形成する。 - 特許庁

Succeedingly, the sapphire substrate 101 is separated, an Au upper electrode 108 is formed on the AIN thin film surface, and the resonator is formed, wherein an air gap 111 is formed under the AIN layer 103.例文帳に追加

続いてサファイア基板１０１を分離し、AlN薄膜表面にAu上部電極１０８を形成し、AlN層１０３下方に空隙１１１が形成された共振器を形成する。 - 特許庁

The miniature contact point is formed by preparing a surface layer 6 composed of the thin Au film of 0.05 to 0.2 μm thickness, on the surface of the third layer 5 composed of Au-Ni alloy.例文帳に追加

Ａｕ−Ｎｉ合金からなる第３層５の表面に、厚さ０．０５μｍ〜０．２μｍのＡｕ薄膜からなる表面層６を形成した微小接触力用接点。 - 特許庁

Thin film electrodes 14A and 14B of Au are formed in positions corresponding to bottom faces of the reservoirs 12A and 12B of the groove 22.例文帳に追加

溝２２のうちリザーバ１２Ａ、１２Ｂの底面に対応する位置にＡｕの薄膜電極１４Ａ、１４Ｂを形成する。 - 特許庁

In a coating B(b) process, a metal coat 12 of Au is formed on the resin thin film 11 with sputtering or deposition.例文帳に追加

次に、コーティングＢ（ｂ）工程において、樹脂薄膜１１上に、スパッタリングまたは蒸着によりＡｕなどの金属被膜１２を形成する。 - 特許庁

An Al electrode 12 is formed above the P+ diffusion layer 4, and an Au thin film layer 14 is formed on the surface of the N+ diffusion layer 13.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層４の上方にはＡｌ電極１２が、Ｎ^+拡散層１３の表面にはＡｕ薄膜層１４が形成される。 - 特許庁

An Al electrode 32 is formed above the P+ diffusion layer 24, and an Au thin film layer 34 is formed on the surface of the N+ diffusion layer 33.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層２４の上方にはＡｌ電極３２が、Ｎ^+拡散層３３の表面にはＡｕ薄膜層３４が形成される。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor capable of preventing diffusion of Au from an upper electrode layer in a solder bump by a simple method at a low cost.例文帳に追加

上部電極層からハンダバンプへのＡｕの拡散を防止することができる薄膜コンデンサを簡単かつ安価な方法で提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL display device that has power consumption equal to or less than that when an Au thin film is used, and is reduced in color shift due to driving.例文帳に追加

Ａｕ薄膜を用いた場合と同等以下の消費電力を有し、駆動による色ずれが低減される有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

The translucent metallic thin film can be constituted of either one among Ti, Ta, Ni, Zr, Pt and Au.例文帳に追加

透光性金属薄膜は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｚｒ、ＰｔおよびＡｕのうちいずれかにより構成できる。 - 特許庁

The Au thin film interposed between the silicon members to be bonded is made 20 nm or less in thickness and thus active silicon atoms pass through the Au thin film and appear at the surface and by an action of the active silicon atoms, strong bonding can occur between the silicon members.例文帳に追加

接合しようとするシリコン部材間に介在させたＡｕ薄膜を膜厚２０ｎｍ以下とすることで、活性なシリコン原子がＡｕ薄膜を透過して表面に現れ、その活性なシリコン原子の働きで、シリコン部材間に強固な結合が生起できるのである。 - 特許庁

The method of manufacturing the element includes the step of manufacturing the multilayer thin-film by depositing the Au thin-film after tantalum is deposited at a prescribed thickness on the substrate on which the tantalum-nitride film is formed, and a step of heat-treating the element thus formed.例文帳に追加

また、本発明は窒化タンタル膜が形成された基板上にタンタルを所定厚さに蒸着させた後に、Ａｕ薄膜を蒸着させて多層薄膜を製造し、これを熱処理する工程を含む素子の製造方法に関する。 - 特許庁

The formation of the multilayer film containing Au on the main surface opposite to the main surface A where the oxide thin film is laminated enables a back metal of the Au film to reflect and cut undesired infrared rays from a heat source during crystal growing, and enables correct measurement of temperatures.例文帳に追加

酸化物薄膜を積層する主面Ａとは反対側の主面に、Ａｕ膜を含む多層膜を形成しているので、Ａｕ膜というバックメタルにより成長時の基板ホルダーや熱源からの余分な赤外線を反射してカットすることができ、温度を正確に測定することができる。 - 特許庁

A patterned Ti/Au film and a Ti/Au connecting conductor are formed on the magnetic thin film, a polyimide film of thickness 10 μm, and Cu coils each of height 35 μm, width 90 μm, and space 25 μm and a polyimide layer filling a space between the Cu coils are formed thereon.例文帳に追加

この磁性薄膜上にパターニングされたＴｉ／Ａｕ膜とＴｉ／Ａｕの接続導体が形成され、その上に１０μｍ厚のポリイミド膜と、高さ３５μｍ、幅９０μｍ、スペース２５μｍのＣｕコイルとＣｕコイル間のスペースを充填したポリイミド層が形成される。 - 特許庁

A first electrode for the electron emission is formed by reconstructing the structure of the first electrode into a structure, having both a thick island-type protrusion part and a flat thin-film part by post-heat treating the thin film of Ir, Pt, and Au are stacked.例文帳に追加

そのための電子放出用の第１の電極をＩｒ，Ｐｔ，Ａｕの薄膜を積層した後加熱処理を施して厚い島状の突起部と平坦な薄い薄膜部が併存した構造に再構成して形成する。 - 特許庁

A surface of the aluminum layer is formed with a thin film of Au or the like such that the thin film contacts with the Ni embedded layers, and bottom end parts of the nanoholes and the Al substrate are separated by a barrier layer of aluminum.例文帳に追加

そして、多孔質アルミナ層の表面に、Ｎｉ埋め込み層と接触するようにＡｕなどの薄膜が形成され、さらにナノホールの底端部とＡｌ基板とは、アルミナから成るバリア層により隔てられた構造になっている。 - 特許庁

For that purpose, a top electrode for electron emission is reconstructed with a thin film made of Ir, Pt, and Au laminated on it and put through heat treatment so that a thick island-shaped protrusion and a flat thin film part coexist.例文帳に追加

そのための電子放出用の上部電極をＩｒ，Ｐｔ，Ａｕの薄膜を積層した後加熱処理を施して厚い島状の突起部と平坦な薄い薄膜部が併存した構造に再構成して形成する。 - 特許庁

The first light absorption layer 26 is formed by vapor-depositing an Au thin film 27 on the inner wall of a trench formed to separate an operation region of each circuit, and heat treating the same to form an Au-Si eutectic crystal section 28, and further embedding the trench with an insulating film 29.例文帳に追加

この第１光吸収層２６は、各回路の動作領域を分離する形で形成されたトレンチ溝の内壁にＡｕ薄膜２７を蒸着させ、熱処理してＡｕ−Ｓｉ共晶部２８を形成し、このトレンチ溝内を絶縁膜２９で埋め込むことにより形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a metal thin film in which the metal thin film using noble metal superfine particles such as Ag and Au is formed on a flat and smooth inorganic oxide substrate and has a good adhesion to the substrate; and to provide the metal thin film formed by the method.例文帳に追加

平滑な無機酸化物基板上にＡｇやＡｕなどの貴金属超微粒子を用いた金属薄膜が、無機酸化物基板と良好な密着性を有する金属薄膜形成方法およびその形成方法によって作製された金属薄膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-film electrode layer having high EM (electromigration) resistance which is a problem in a conventional electrode structure by a Ta layer/an Au layer/a Ta layer, a thin-film magnetic head using a magneto-resistive effect element, and an electrode forming method of the thin-film magnetic head.例文帳に追加

従来のＴａ層／Ａｕ層／Ｔａ層による電極構造では問題になっていた、ＥＭ（ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ）耐性に優れた薄膜電極層及び磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド並びに該薄膜磁気ヘッドの電極形成方法を得る。 - 特許庁

The thin film is formed of an Ag alloy obtained by adding Au and at least one metal selected from Cu, Ti and Sn to Ag, and has a composition containing, by atom, 0.1 to 4.0% Au, 0 to 5.0% Cu, 0 to 1.0% Ti and 0 to 1.0% Sn.例文帳に追加

Ａｇに、ＡｕとＣｕ、Ｔｉ及びＳｎから選択された少なくとも１つの金属とを添加してなるＡｇ合金から形成された薄膜であって、０．１〜４．０ａｔ％のＡｕ、０〜５．０ａｔ％のＣｕ、０〜１．０ａｔ％のＴｉ、及び０〜１．０ａｔ％のＳｎを含有する薄膜からなる。 - 特許庁

In this way, by forming the Cr thin film at the boundary between Ag and Au, and on the surface of Ag, it becomes possible to prevent the intermetallic diffusion between Ag and Au and also the Ag oxidation and the gas absorption, thereby enabling long-term frequency stability.例文帳に追加

このように、ＡｇとＡｕの境界と、Ａｇの表面にＣｒの薄膜を形成することにより、ＡｇとＡｕの金属間拡散を防止し、更にＡｇの酸化やガス吸着を防止することができ、これによって、長期間にわたる周波数の安定性を図ることができる。 - 特許庁

The metal thin-film wiring is constituted by laminating the Mo alloy film wherein the Ti is contained by 2-50 at.% and the remaining portion is comprised of Mo and unavoidable impurities, as a cover film of the Ag film, the Cu film, the Au film or the alloy film containing them as a main constituent.例文帳に追加

また、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 - 特許庁

The metal thin-film wiring is constituted by laminating a Mo alloy film wherein Ti is contained by 2-50 at.% and the remaining portion is comprised of Mo and unavoidable impurities, as a base film of an Ag film, a Cu film, an Au film or an alloy film containing them as a main constituent.例文帳に追加

Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 - 特許庁

The first thin film is sputter deposited by using an Ag alloy target prepared by adding 0.1 to 4.0wt% Au and 0.5 to 10.0wt% Sn to Ag and the second thin film is sputter deposited by using an Ag alloy target prepared by adding 0.1 to 4.0wt% Au and ≤2.0wt% Sn to the Ag.例文帳に追加

第一薄膜が、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ及び０．５〜１０．０ｗｔ％のＳｎを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜が、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ及び２．０ｗｔ％以下のＳｎを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 - 特許庁

On the surface of the PS layer 22, a film of Au is deposited through a mask to 10 nm to form a thin-film electrode 23, thus completing an electric charge generating element.例文帳に追加

そして、ＰＳ層２２表面にＡｕをマスクデポにより１０ｎｍ成膜して薄膜電極２３を形成することで電荷発生素子が完成する。 - 特許庁

This photoelectron releasing material 1 is constituted by coating the front surface of a base material 2 with Au 3 as a photoelectron releasing substance in the form of a thin film and adding a holding material 4 from above the same.例文帳に追加

光電子放出材１は、母材２の表面に光電子放出性物質としてのＡｕ３が薄膜状に被覆され、その上から保持材４が付加されて構成されている。 - 特許庁

Further, since a minute periodic mask can be formed, by heating an Au thin film, the periodic structure A1 can be formed easily and at low cost.例文帳に追加

さらに、Ａｕ薄膜を加熱することにより微細な周期マスクを形成することができるため、周期構造Ａ１を簡易かつ安価に形成することができる。 - 特許庁

Also, an electrode 8 made of Al is formed on the undersurface of the n-type single-crystal substrate 1, and an electrode 9 made of Au is formed on the upper surface of the p-type polycrystalline thin film 2.例文帳に追加

また、ｎ型の単結晶基板１の下面には、Ａｌからなる電極８が形成されており、ｐ型の多結晶薄膜２の上面には、Ａｕからなる電極９が形成されている。 - 特許庁

In an electric connection area not coated with the protective film 12 on the Al pad 11, an electroless Ni plating layer 13 is formed by self-depositing Ni plating and a thin Au plating layer 14 is formed thereon.例文帳に追加

Ａｌパッド１１上において、保護膜１２の被覆されていない電気的接続領域上にＮｉメッキを自己析出させ固定した無電解Ｎｉメッキ層１３及びその上に薄いＡｕメッキ層１４が形成されている。 - 特許庁

In a jointed body of the AlN substrate or the heat sink with a semiconductor element, the semiconductor element 9 is bonded to one part of the metallized topmost Au thin film 6 with a solder or a brazing metal.例文帳に追加

又、ＡｌＮ基板又は放熱板と半導体との接合体は、前記メタライズ最上層のＡｕ薄膜６の一部分に半田又はろう材により半導体素子９が接合されていることを特徴としている。 - 特許庁