BG Gとは 意味・読み方・使い方

The switch comprises an Si-MOSFET6 comprising a drain D, source S, gate G, and backgate BG; a first inductor 28 of which one end is connected to the drain D while the other end is connected to the backgate BG; and a second inductor 29 of which one end is connected to the source S while the other end is connected to the backgate BG.例文帳に追加

ドレインＤ、ソースＳ、ゲートＧ、及びバックゲートＢＧを有するＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ６、一端がドレインＤに、他端がバックゲートＢＧに接続された第１のインダクタ２８、及び、一端がソースＳに、他端がバックゲートＢＧに接続された第２のインダクタ２９とを備えている。 - 特許庁

The white balance part 23 performs the white balance adjustment to the R, G, B signals based on the R, B gains Rg, Bg.例文帳に追加

ホワイトバランス部２３はＲ、ＢゲインＲｇ、Ｂｇに基づいてＲ、Ｇ、Ｂ信号にホワイトバランス調整を行う。 - 特許庁

A white balance correcting part 220 multiplies RAW data of R, G and B by appropriate gain values Rg, Gg and Bg to be subjected to white balance correction.例文帳に追加

Ｒ、Ｇ、ＢのＲＡＷデータは、ホワイトバランス補正部２２０によって適宜のゲイン値Ｒg、Ｇg、Ｂgが乗算されてホワイトバランス補正される。 - 特許庁

At least the adhesive surface 22 side of the adhesive tape 2 is loaded with gradation colors of GY (greenish yellow) → G (green) → BG (blue green) → B (blue) → purple blue (PB) based on the Munsell hue circle.例文帳に追加

粘着テープ２の少なくとも粘着面２２側にマンセル色相環のＧＹ（黄緑）→Ｇ（緑）→ＢＧ（青緑）→Ｂ（青）→青紫（ＰＢ）の色相変化に含まれる色で着色がグラデーションとなるように施す。 - 特許庁

There is provided a MOS transistor Tr having plural stripe shaped transistor cells in which drains D and sources S are arranged at both sides of extending gates G, characterized by arranging a back gate BG which includes the plural transistor cells and has plural transistor cell blocks CB to whose both ends the sources S are arranged and extends outside the sources S at both ends of the transistor cell block CB.例文帳に追加

延在するゲートＧの両側にドレインＤ及びソースＳが配置されたストライプ状のトランジスタセルを複数有するＭＯＳトランジスタＴｒであって、 前記トランジスタセルを複数含み、ソースＳが両端に配置されたトランジスタセルブロックＣＢを複数有し、 該トランジスタセルブロックＣＢの両端の前記ソースＳの外側に、延在するバックゲートＢＧが配置されたことを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit apparatus, a drain D, a gate G, a source S, and a back gate BG in a high-concentration diffusion region are formed in this order, and an insulating gate field effect transistor having a drain output terminal pad is included.例文帳に追加

ドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳ及び高濃度拡散領域のバックゲートＢＧが、この順序で形成され、ドレイン出力端子ｐａｄを有する絶縁ゲート電界効果型トランジスタを含む半導体集積回路装置において、バックゲート用に形成された前記高濃度拡散領域の一部分の、ドレイン出力端子ｐａｄが設けられた位置とは反対側のみに金属配線を設ける。 - 特許庁