BY GaNとは 意味・読み方・使い方

Further, the upper part of the GaN layer 5 is processed into GaN pillars 5a, and a new GaN layer 7 is grown by crystal growth, until the surface thereof is made planarized.例文帳に追加

さらに、GaN層５の上部をGaN柱５ａに加工し新たなGaN層７を表面が平坦化するまで結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

Title: Shobutsushomyo no gan, Shobutsushoyo no gan, Shobutsushosan no gan, Shobutsushisha no gan, Osoeko no gan, Senchakushomyo gan (選択称名願), Ososhogyo (往相正業) (sorted by summarized test)発音を聞く 例文帳に追加

願名…諸仏称名の願・諸仏称揚の願・諸仏称讃の願・諸仏咨嗟の願・往相廻向の願・選択称名願・往相正業（略文類） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Nyoninjobutsu no gan, Nyoninojo no gan (Honen's Commentary on Daikyo), Henjonanshi no gan ("Jodo wasan," by Shinran), Tennyojonan no gan and Monmyotennyo no gan ("Nyoninojo kikigaki," by Zonkaku)発音を聞く 例文帳に追加

願名…女人成仏の願・女人往生の願（法然・大経釈）・変成男子の願（親鸞『浄土和讃』）・転女成男の願、聞名転女の願（存覚『女人往生聞書』） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

By epitaxially growing a GaN layer 32 in vertical and horizontal directions by utilizing the top parts T, which are exposed from the mask 4, of the GaN layer 31 for the nuclei, propagation of through dislocations from the GaN layer 31 is remarkably suppressed.例文帳に追加

マスク４から露出したGaN層３１の頂上部Ｔを核として、GaN層３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層３１からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。 - 特許庁

A GaN layer 3 is grown by nearly 2 μm on a GaN layer 2 formed on a base substrate 1, and an Al_2O_3 film 4 of nearly 100 μm is formed by sputtering method.例文帳に追加

ベース基板１上に形成されたGaN膜２に、GaN層３を２μｍ程度成長させ、スパッタ法により100ｎｍ程度のAl_2O_3膜４を形成する。 - 特許庁

Then, a GaN layer 3 is formed by longitudinal and transverse epitaxial growth.例文帳に追加

次に、縦及び横方向エピタキシャル成長によりGaN層３を形成する。 - 特許庁