Cap 'nとは 意味・読み方・使い方

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

On the n-type InAlGaN cap layer 4, Ti/Al ohmic electrodes 5 serve as a source electrode and a drain electrode, and are formed in contact with the n-type InAlGaN cap layer 4.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４の上には、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４と接し且つソース電極及びドレイン電極となるＴｉ／Ａｌオーミック電極５が形成されている。 - 特許庁

A cap unit 10 closely joins and seals a cap member 12 which is housed in the cap unit 10 to a nozzle formed surface 8a on which nozzles N are formed, through a driving mechanism.例文帳に追加

駆動機構を介してキャップユニット１０は、ノズルＮが形成されたノズル形成面８ａに同キャップユニット１０に収容されたキャップ部材１２を密着させ封止する。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

A sub-collector layer 2 of n+-GaAs, a collector layer 3 of n- GaAs, a base layer 4 of p-GaAs, a first emitter layer 5 of n-InGaPs, a first cap layer 7 of n+-GaAs, and a second cap layer 8 of n+-InGaAs are provided on a semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ｎ^+ −ＧａＡｓからなるサブコレクタ層２、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層５、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなる第２エミッタ層６、ｎ^+ −ＧａＡｓからなる第１キャップ層７、ｎ^+ −ＩｎＧａＡｓからなる第２キャップ層８を設ける。 - 特許庁

The layer structure LS includes an antireflection film 2, an n-type (first conduction type) high concentration carrier layer 3, an n-type optical absorption layer 5 and an n-type cap layer 7, which are sequentially laminated.例文帳に追加

層構造体ＬＳは、順次積層された、反射防止膜２、ｎ型（第一導電型）の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５及びｎ型のキャップ層７を含む。 - 特許庁

The layer structural body LS1 comprises a laminated etching stopping layer 2, an n-type high density carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、積層された、エッチング停止層２、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含む。 - 特許庁