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Eb isとは 意味・読み方・使い方
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「Eb is」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 293件
The sidewall 11b works as a reflecting member and is formed by different elliptical cross-section shapes EA, EB, EC.例文帳に追加
側壁１１ｂは反射部材として作用し、異なる楕円断面形状部EA、EB、ECによって形成される。 - 特許庁
To provide a transfer device capable of simultaneously producing a comparatively large concavo-convex structure pattern that is difficult to produce by an EB drawing device and a minute concavo-convex structure pattern by EB drawing.例文帳に追加
EB描画装置で困難である比較的大きな凹凸構造パターンとEB描画による微細凹凸構造パターンを同時に作製できる転写装置を提供する。 - 特許庁
For example, an EB resist 5 is applied on the substrate 3 made of quartz glass (a).例文帳に追加
例えば、石英ガラス製の基板３上にＥＢレジスト５を塗布する（ａ）。 - 特許庁
As the tuberculostat, isoniazid (INH), rifampicin (RFP), streptomycin (SM), ethambutol (EB), kanamycin (KM) or the like is used.例文帳に追加
抗結核薬は、イソニアジド（INH）、リファンピシン（RFP）、ストレプトマイシン（SM）、エタンブトール（EB）、カナマイシン（KM）等が使用できる。 - 特許庁
A sales management device (data management server) is provided with a master table for making POS data and EB data correspond to each other.例文帳に追加
売上管理装置（データ処理サーバ）にPOSデータとEBデータを対応付けるためのマスターテーブルを持たせる。 - 特許庁
The difference (Eb-Ec) between restitution coefficient Eb and restitution coefficient Ec is 0.004 or larger.例文帳に追加
Ｅｂ ≧ Ｅｃ ≧ Ｅｍ （１） Ｅｂ−Ｅｃ ≧ Ｅｃ−Ｅｍ （２）反発係数Ｅｂと反発係数Ｅｃとの差（Ｅｂ−Ｅｃ）は、０．００４以上である。 - 特許庁
The first bare chips (10) are formed using, as a chief material, a semiconductor whose value of breakdown electric field (Eb)×coefficient of thermal conductivity (λ) is larger than that of silicon.例文帳に追加
そして、第１ベアチップ（10）は、絶縁破壊電界（Eb）×熱伝導率（λ）の値が、シリコンよりも大きな半導体を主材料として形成する。 - 特許庁
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「Eb is」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 293件
Then, it moves toward the enemy character Eb, moves until the enemy character Eb is positioned inside a provocation possible range PAa, and then exercises "provocation".例文帳に追加
そして、この敵キャラクタＥｂに向かって移動し、敵キャラクタＥｂが挑発可能範囲ＰＡａ内に位置するまで移動した後、「挑発」を発動する。 - 特許庁
First focal points F1A, F1B, F1C of the different elliptical cross-section shapes EA, EB, EC are located in an identical position and the LED element 1 is arranged in this position.例文帳に追加
異なる楕円断面形状部EA、EB、ECの第１の焦点F1A、F1B、F1Cは同一位置にあり、この位置にLED素子１が配置される。 - 特許庁
Light from the LED element 1 is reflected by the elliptical cross-section shapes EA, EB, EC of the sidewall 11b and passes through the different focal points F2A, F2B, F2C of the light guide plate 2.例文帳に追加
LED素子１からの光は側壁１１ｂの楕円断面形状部EA、EB、ECで反射され、導光板２の異なる焦点F2A、F2B、F2Cを通過する。 - 特許庁
Further, the method for developing the EB is provided by seeding and culturing non-differentiated embryonic stem cells in the container for developing the EB.例文帳に追加
さらに、この培養容器に、未分化胚性幹細胞を播種、培養することにより胚様体を形成させることを特徴とする胚様体形成方法。 - 特許庁
A coating pattern is printed on a substrate with the coating material and is cured by using an electron beam ('EB') processing.例文帳に追加
基体に被覆材で被覆模様を印刷し、そして電子ビーム（“ＥＢ”）加工処理を使用して硬化させる。 - 特許庁
After the laminate region 21 is formed, alignment for EB exposure is carried out.例文帳に追加
積層領域２１を形成した後に、ＥＢ露光のためのアライメントを行う。 - 特許庁
A deflection part 13 deflecting the electron beam EB is arranged in a beam formation electrode 12 accelerating an electron emitted from the filament 11 and forming an electric field generating the electron beam EB so that the electron beam EB is protruded on the emission side beyond an opening part.例文帳に追加
フィラメント１１より放出された電子を加速して電子ビームＥＢを生成する電界を形成するためのビーム形成電極１２に、その開口部よりも電子ビームＥＢが射出する側に突出するように、電子ビームＥＢを偏向するデフレクション部１３を設ける。 - 特許庁
Even when the position of an EB bonding part 33 is fluctuated, since the EB bonding part 33 is located in one part of the upper SiGe layer 18b, the fluctuation of the Ge content in the EB bonding part 33 can be suppressed so that the high current amplification factor can be stably provided.例文帳に追加
ＥＢ接合部３３の位置が変動しても、ＥＢ接合部３３がＳｉＧｅ上部層１８ｂ中の一部位にあるので、ＥＢ接合部３３におけるＧｅ含有率の変動を抑制することができ、高い電流増幅率を安定して得ることができる。 - 特許庁
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