FD1とは 意味・読み方・使い方

The another semiconductor region SR1 is: arranged between the semiconductor regions FD1 and FD2 and the rear surface 1BK; formed so as to cover the semiconductor regions FD1 and FD2 when viewed from a direction normal to the rear surface 1BK; and a conductivity type opposite to the semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と裏面１ＢＫとの間に位置すると共に、裏面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

Since the unit frequency division circuit FD1 is driven by the voltage VBC, current driving performance is improved.例文帳に追加

単位分周回路ＦＤ１は、電圧ＶＢＣにより駆動されるので電流駆動能力が向上する。 - 特許庁

The third semiconductor region SR1 is provided at the rear face 1BK side away from the first and second semiconductor regions FD1 and FD2, and is a conductivity type opposite to that of the first and second semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から裏面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

The NAS2 stores the corresponding relation of a file descriptor fd1 managed by the NAS1 and a file descriptor fd2 managed by the NAS2.例文帳に追加

NAS２は、NAS１で管理されるファイルディスクリプタｆｄ１とNAS２で管理されるｆｄ２との対応関係を保持する。 - 特許庁

The semiconductor region SR1 is positioned between the semiconductor regions FD1 and FD2 and the light incident surface 1BK in the semiconductor substrate 1A, is formed so as to cover the semiconductor regions FD1 and FD2 when viewed from a direction orthogonal to the light incident surface 1BK, and has a conductivity type opposite to that of the semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と光入射面１ＢＫとの間に位置すると共に、光入射面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

The third semiconductor region SR1 is provided separately at the side of the light incidence surface 1BK from the first and second semiconductor regions FD1, FD2, and is of a conductivity type opposite to that of the first and second semiconductor regions FD1, FD2.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から光入射面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

A first and a second semiconductor areas FD1 and FD2 are arranged to be spatially separated from each other along each long side.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各長辺に沿って互いに空間的に離間して配置される。 - 特許庁

The radiator 1 includes: a radiation part 2 formed in a loop shape and having two power feeding points FD1, FD2; and a parasitic element 4 formed on the outer side of the radiation part 2 along a part of the radiation part 2 including the two power feeding points FD1, FD2.例文帳に追加

放射器１は、ループ状に形成され、２つの給電点ＦＤ１，ＦＤ２を有する放射部２と、２つの給電点ＦＤ１，ＦＤ２を含む放射部２の一部に沿って放射部２の外側に形成される無給電素子４とを備える。 - 特許庁