INTER-PENETRATINGとは 意味・読み方・使い方

Further, the inter-layer insulating layer 20 has a plurality of through trap holes H2, penetrating to the element formation surface 11a, at a position on both Y-directional sides of each contact hole H1 and facing a counter light shield layer.例文帳に追加

また、層間絶縁層２０は、各コンタクトホールＨ１のＹ方向両側であって対向遮光層と対向する位置に、それぞれ素子形成面１１ａまでを貫通する複数のトラップホールＨ２を有する。 - 特許庁

The multilayer interconnection board has an insulating layer comprising a liquid crystal polymer, a conductive circuit formed by being embedded in the insulating layer, and an inter-layer connection conductive post formed on the conductive circuit layer by penetrating the insulating layer.例文帳に追加

液晶ポリマーで構成される絶縁層と、前記絶縁層に埋没して形成された導体回路と、前記絶縁層を貫通して前記導体回路層上に形成された層間接続用導体ポストとを有する多層配線板。 - 特許庁

The laminated terminal 12 comprises a wire connection part 22 at one end side thereof, and a penetrating contact part 24 into which, inter-layer connecting terminals 20 are penetrated and made to contact with a prescribed distance in a longitudinal direction.例文帳に追加

積層端子１２は、一端側に電線接続部２２を有し、その電線接続部２２の先に長手方向に所定の間隔をおいて層間接続子２０を貫通接触させる貫通接触部２４を有するものからなる。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁

The shield layers are formed of a 1st conductive light shielding film formed in non-opening areas between pixels while grounded on a plurality of inter-layer insulating films arranged on the storage capacitors and also electrically connected to fixed-potential side electrodes of the storage capacitors through contact holes penetrating the plurality of inter-layer insulating films in one.例文帳に追加

シールド層は、蓄積容量上に配置された複数の層間絶縁膜を下地として画素間の非開口領域内に形成されると共に、複数の層間絶縁膜を一つながりに貫通するコンタクトホールを介してにより蓄積容量の固定電位側電極と電気的に接続された第１の導電性遮光膜からなる。 - 特許庁

By the game machine, since the second case body 70 is fixed not only by the inter-case engaging hole 66A of the first case body 60 but also by a case insertion projection part 55 inserted to a projection part insertion part 65 penetrating the first case body 60, loads applied between the first case body 60 and the base part 52E are reduced.例文帳に追加

本発明の遊技機によれば、第２ケース体７０は、第１ケース体６０のケース間係合孔６６Ａだけでなく、第１ケース体６０を貫通する突部挿通部６５に挿通したケース挿通突部５５によっても固定されているので、第１ケース体６０とベース部５２Ｅとの間にかかる負荷を低減させることができる。 - 特許庁

A P type impurity region 512 is provided in contact with a flank of the wall region 601, and a contact part 522 provided penetrating an inter-layer insulating film 4 to reach the impurity region 512 and a gate wiring 405 electrically connects the storage node SN2 to a gate electrode of a transistor T22.例文帳に追加

ウエル領域６０１の側面に接するようにＰ型の不純物領域５１２が設けられており、層間絶縁膜４を貫通して不純物領域５１２およびゲート配線４０５に達するように設けられたコンタクト部５２２により、ストレージノードＳＮ２はトランジスタＴ２２のゲート電極に電気的に接続される。 - 特許庁