Indium Gallium Zinc Oxideとは 意味・読み方・使い方

The metal oxide powder is preferably one or more kinds selected from a group of oxides and double oxides of indium, tin, zinc, aluminum, gallium, cerium, germanium and silicon.例文帳に追加

また、前記金属酸化物粉末が、インジウム、錫、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、セリウム、ゲルマニウム、珪素の酸化物およびこれらの複合酸化物よりなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。 - 特許庁

The spacer layer 16 contains gallium oxide as a main component, and has a main spacer layer 16b containing at least one metal element selected from a group consisting of magnesium, zinc, indium and aluminum.例文帳に追加

スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも１つの金属元素を含む主スペーサ層１６ｂを有している。 - 特許庁

Thin-film transistors employing an oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc are easily disposed on a large-area substrate in a matrix and have small characteristic variations.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタは、大面積基板にマトリクス状に配置することが容易であり、また特性にバラツキが少ない。 - 特許庁

The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）を含み、Ｇａ_２Ｉｎ_６Ｓｎ_２Ｏ_１６又は（Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁

The conductive titanium oxide sintered compact containing titanium oxide as a principal component and containing at least one kind selected from niobium oxide and tantalum oxide as a dopant contains at least one kind selected from indium oxide, tin oxide, zinc oxide, gallium oxide, and aluminum oxide.例文帳に追加

酸化チタンを主成分とし、酸化ニオブまたは酸化タンタルから選ばれる少なくとも一種類をドーパントとして含む導電性酸化チタン焼結体において、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種類を含む導電性酸化チタン焼結体とする。 - 特許庁

An etching method of an amorphous oxide semiconductor film containing at least either of gallium and zinc, and indium selectively etches the amorphous oxide semiconductor film by an alkaline etching solution.例文帳に追加

ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

Copper is used as a wiring layer in this constituent substrate 2 for electronic devices, and the substrate 2 is characterized by having an indium oxide as a transparent conductive layer 11 and a composite oxide which is mainly composed of one or a plurality kinds of materials selected from zinc, tin, gallium, tallium, magnesium and lead.例文帳に追加

本発明の電子機器用構成基板は、配線層として銅を用い、透明導電層としてインジウム酸化物と亜鉛、錫、ガリウム、タリウム、マグネシウムおよび鉛からなる群より選択された一種または複数種の金属の酸化物とを主成分とする複合酸化物を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

In the oxide sintered compact substantially composed of zinc, titanium, oxygen, and at least one additional trace element (TE) selected from the group consisting of aluminum, gallium and indium, the titanium is derived from low valence titanium oxide expressed by the formula: TiO_2-X (X=0.1 to 1).例文帳に追加

実質的に、亜鉛と、チタンと、酸素と、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の微量添加元素（ＴＥ）とからなる酸化物焼結体であって、前記チタンが、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンに由来する、酸化物焼結体。 - 特許庁