「Indium Gallium Zinc Oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The conductive oxide is a crystalline conductive oxide, and contains indium, gallium, zinc, oxygen and nitrogen while the concentration of nitrogen is ≥7×10^19(atom/cc).例文帳に追加

導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０^19（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering target including a mixture of oxides of indium, zinc and gallium contains at least one ternary mixed oxide of indium, zinc, and gallium, in which the ratio of the ternary mixed oxide of indium, zinc and gallium is at least 50 mass% relative to the total mass of the mixture, and the ratio of an amorphous phase is at least 20 mass% relative to the total mass of the mixture.例文帳に追加

この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 - 特許庁

The metal oxide powder is preferably one or more kinds selected from a group of oxides and double oxides of indium, tin, zinc, aluminum, gallium, cerium, germanium and silicon.例文帳に追加

また、前記金属酸化物粉末が、インジウム、錫、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、セリウム、ゲルマニウム、珪素の酸化物およびこれらの複合酸化物よりなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。 - 特許庁

The spacer layer 16 contains gallium oxide as a main component, and has a main spacer layer 16b containing at least one metal element selected from a group consisting of magnesium, zinc, indium and aluminum.例文帳に追加

スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも１つの金属元素を含む主スペーサ層１６ｂを有している。 - 特許庁

Thin-film transistors employing an oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc are easily disposed on a large-area substrate in a matrix and have small characteristic variations.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタは、大面積基板にマトリクス状に配置することが容易であり、また特性にバラツキが少ない。 - 特許庁

The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）を含み、Ｇａ_２Ｉｎ_６Ｓｎ_２Ｏ_１６又は（Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁

The conductive titanium oxide sintered compact containing titanium oxide as a principal component and containing at least one kind selected from niobium oxide and tantalum oxide as a dopant contains at least one kind selected from indium oxide, tin oxide, zinc oxide, gallium oxide, and aluminum oxide.例文帳に追加

酸化チタンを主成分とし、酸化ニオブまたは酸化タンタルから選ばれる少なくとも一種類をドーパントとして含む導電性酸化チタン焼結体において、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種類を含む導電性酸化チタン焼結体とする。 - 特許庁

An etching method of an amorphous oxide semiconductor film containing at least either of gallium and zinc, and indium selectively etches the amorphous oxide semiconductor film by an alkaline etching solution.例文帳に追加

ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

Copper is used as a wiring layer in this constituent substrate 2 for electronic devices, and the substrate 2 is characterized by having an indium oxide as a transparent conductive layer 11 and a composite oxide which is mainly composed of one or a plurality kinds of materials selected from zinc, tin, gallium, tallium, magnesium and lead.例文帳に追加

本発明の電子機器用構成基板は、配線層として銅を用い、透明導電層としてインジウム酸化物と亜鉛、錫、ガリウム、タリウム、マグネシウムおよび鉛からなる群より選択された一種または複数種の金属の酸化物とを主成分とする複合酸化物を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

In the oxide sintered compact substantially composed of zinc, titanium, oxygen, and at least one additional trace element (TE) selected from the group consisting of aluminum, gallium and indium, the titanium is derived from low valence titanium oxide expressed by the formula: TiO_2-X (X=0.1 to 1).例文帳に追加

実質的に、亜鉛と、チタンと、酸素と、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の微量添加元素（ＴＥ）とからなる酸化物焼結体であって、前記チタンが、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンに由来する、酸化物焼結体。 - 特許庁

The catalyst is prepared by using a basing a metal oxide such as cerium dioxide or zirconium dioxide as a carrier, carrying a noble metal such as platinum, palladium, rhodium iridium or ruthenium and further carrying an element the group IIB or IIIB such as zinc, gallium or indium.例文帳に追加

二酸化セリウムや二酸化ジルコニウムなどの塩基性の金属酸化物を担体として、白金やパラジウム，ロジウム，イリジウム，ルテニウムなどの貴金属を担持させると共に、亜鉛，ガリウム，インジウムなどの２Ｂ族または３Ｂ族の元素を担持させて触媒とする。 - 特許庁

In this piezoelectric sensor, as a piezoelectric layer 4, a thin film mainly made of one piezoelectric metal compound selected from aluminum nitride, gallium nitride, indium nitride, zinc oxide, and lithium niobate is formed on a sheet-like substrate 3 having flexibility.例文帳に追加

そして、前記圧電センサは、可撓性を有するシート状の基板３上に圧電層４として、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化亜鉛およびニオブ酸リチウムから選択された一つの圧電性金属化合物を主成分とする薄膜を形成したものである。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor using an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode or drain electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the thin-film transistor.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The main of a composite oxide sintered compact for forming the transparent thin film is the crystal of a compound which contains an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn) and whose formula is denoted as In_2Ga_2ZnO_7.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。 - 特許庁

This oxide superconducting wire comprises a first metal layer 12 selected from a silver alloy containing at least one of copper, antimony, tin, germanium, gallium, indium, zinc, platinum, and palladium, a second metal layer 11 that is fixed to the first metal layer and has tensile strength larger than silver, an oxide superconductor layer 13 formed on the first metal layer 12.例文帳に追加

銅、アンチモン、錫、ゲルマニウム、ガリウム、インジウム、亜鉛、白金、パラジウムのうち少なくとも１種を含む銀合金から選択される第１の金属層１２と、第１の金属層に固着され、銀より引っ張り強度の大きい第２の金属層１１と、第１の金属層１２上に形成された酸化物超電導体層１３とからなる事を特徴とする酸化物超電導線材。 - 特許庁

The magnesium oxide thin film has magnesium crystal phases with an average crystallite diameter of 1 to 18 nm and containing elements selected from among a group comprising aluminum, silicon, zinc, gallium, germanium, arsenic, cadmium, indium, tin, antimony, mercury, thallium, lead and bismuth, in a range of 0.0001 to 0.15 mol, dispersed in a magnesium oxide amorphous phase.例文帳に追加

マグネシウム１モルに対して、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、水銀、タリウム、鉛及びビスマスからなる群より選ばれる元素を０．０００１〜０．１５モルの範囲にて含む、平均結晶子径が１〜１８ｎｍの範囲にある酸化マグネシウム結晶相が酸化マグネシウム非晶質相に分散されてなる酸化マグネシウム薄膜。 - 特許庁

(1) The electrochemical sensor element has a field effect transistor structure with at least a gate insulating layer, a semiconductor layer structured so as to contact a solution and comprising an oxide film including indium, gallium and zinc, and source and drain electrodes sequentially stacked on a gate electrode.例文帳に追加

（１）ゲート電極上に、少なくともゲート絶縁層、半導体層、ソース及びドレイン電極を順に積層した電界効果型トランジスタ構造を有し、該半導体層が溶液と接する構造であり、かつ該半導体層が、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物薄膜からなることを特徴とする電気化学センサ素子。 - 特許庁

An amplifier circuit and a drive circuit of display elements, which are constituted of the thin-film transistors employing the oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc and have small characteristic variations, are used to convert light intensity distribution received by the photodiodes disposed in a matrix into electrical signals with high reproducibility for extraction, thus the display elements disposed in a matrix being driven in a uniform manner.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。 - 特許庁